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首页 > 热门关键词 > 英飞凌驱动芯片
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特性:单通道隔离IGBT驱动器。 适用于600 V/1200 V IGBT。 轨到轨输出典型峰值电流高达6 A。 有源米勒钳位。 电流隔离无芯变压器驱动器
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  • 1+

    ¥7.98
  • 10+

    ¥6.53
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    ¥5.74
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    ¥4.84
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  • 是高功率、高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.0V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在减少驱动器交叉导通。传播延迟匹配,便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达200V的N沟道功率MOSFET或IGBT。采用专有HVIC和抗闩锁CMOS技术,实现坚固的单片结构。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.79
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      ¥8.27
    • 30+

      ¥7.31
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      ¥5.55
    • 1000+

      ¥5.36
  • 有货
  • IR4426/IR4427/IR4428 (S) 是一款低压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专利抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容
    数据手册
    • 1+

      ¥10.71
    • 10+

      ¥9
    • 30+

      ¥7.93
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  • 是单通道隔离栅极驱动器IC,用于驱动Si、SiC和GaN功率开关。采用8引脚DSO封装,输入到输出爬电距离为4mm,通过片上无芯变压器(CT)技术实现隔离。具有严格的时序规格,适用于快速开关的中高功率系统。出色的共模抑制、低器件间偏差、快速信号传播和小封装尺寸,使其成为使用光耦合器或脉冲变压器的高端驱动解决方案的优质替代方案。
    • 1+

      ¥10.76
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      ¥9.01
    • 30+

      ¥7.91
    • 100+

      ¥6.79
  • 有货
  • IR2183(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥11.73
    • 10+

      ¥9.9
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      ¥8.75
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      ¥7.58
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      ¥7.05
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  • 2ED020I12-FI是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有互锁的高端和低端参考输出。浮动高端驱动器可直接供电,也可通过自举二极管和电容供电。除了每个驱动器的逻辑输入外,2ED020I12-FI还配备了一个专用关断输入。所有逻辑输入均与3.3 V和5 V TTL兼容。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级,旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。传播延迟经过匹配,便于在高频应用中使用。两个驱动器均设计用于驱动最高工作电压达1.2 kV的N沟道功率MOSFET或IGBT。此外,还提供了一个通用运算放大器和一个通用比较器,可用于例如电流测量或过流检测。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.55
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      ¥12.81
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      ¥12.37
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      ¥11.93
  • 有货
  • 1ED312xMU12F(1ED-X3 Compact)栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和碳化硅MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。在独立的源极和漏极引脚,它们可提供高达14.0 A的典型输出电流;若配备额外的3.0 A有源密勒钳位电路,则可提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚的输入电压范围为3 V至15 V,采用CMOS阈值电平,以支持3.3 V的微控制器
    • 1+

      ¥15.23
    • 10+

      ¥12.78
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      ¥11.24
    • 100+

      ¥9.66
  • 有货
  • 1ED332xMC12N(1ED - F3)是 EiceDRIVER™ 增强型单通道电气隔离式栅极驱动器系列产品,采用 DSO - 16 宽体封装,具备短路保护、有源密勒钳位和有源关断等集成保护功能,适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET。该产品的典型输出电流最高可达 +6 A / -8.5 A。所有逻辑引脚均与 3.3 V 和 5 V CMOS 兼容,可直接连接到微控制器
    • 1+

      ¥24.05
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      ¥20.34
    • 30+

      ¥18.13
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  • BTM7740G 是 TrilithIC 系列产品的一员,该系列产品在一个封装中集成了三个芯片:一个双高端开关和两个低端开关。这三个垂直 DMOS 芯片的漏极安装在独立的引线框架上。源极连接到各个引脚,因此 BTM7740G 可用于 H 桥以及其他任何配置。BTM7740G 的双高端开关和两个低端开关均采用 SMART SIPMOS 技术制造,该技术将低导通电阻(RDSON)的垂直 DMOS 功率级与用于控制、保护和诊断的 CMOS 电路相结合。
    • 1+

      ¥28.58
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      ¥27.25
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      ¥26.44
    • 100+

      ¥25.76
  • 有货
  • 1EDN7x/1EDN8x是一款先进的单通道驱动器。它适用于驱动逻辑电平和标准电平MOSFET,支持OptiMOs™、CoolMOs™、标准电平MOSFET、超结MOSFET,以及IGBT和氮化镓(GaN)功率器件。控制和使能输入与LV-TTL兼容(CMOS 3.3 V),输入电压范围为-5 V至+20 V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.96
    • 10+

      ¥2.3
    • 30+

      ¥2.02
    • 100+

      ¥1.67
  • 有货
  • 600V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.45
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      ¥2.75
    • 30+

      ¥2.44
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      ¥2.07
    • 500+

      ¥1.9
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  • 600V,自激振荡的半桥式驱动IC
    数据手册
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      ¥6.33
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      ¥5.2
    • 30+

      ¥4.59
    • 100+

      ¥3.89
    • 500+

      ¥3.58
  • 有货
  • 6ED系列第二代器件是一款全桥驱动器,用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件,最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术,该器件在瞬态电压下具有出色的鲁棒性。器件中不存在寄生晶闸管结构
    数据手册
    • 1+

      ¥10.4
    • 10+

      ¥8.42
    • 30+

      ¥7.18
    • 100+

      ¥5.52
  • 有货
  • 600V,单通道驱动IC,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    数据手册
    • 1+

      ¥11.26
    • 10+

      ¥9.64
    • 30+

      ¥8.75
    • 100+

      ¥7.75
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  • TLE9201SG是一款通用型6A H桥,专为汽车应用中的直流电机或其他感性负载控制而设计(但不限于这些应用)。输出可进行脉宽调制,最高频率达20kHz。PWM/DIR控制减少了微控制器端所需的具备PWM功能的引脚数量
    数据手册
    • 1+

      ¥19.32
    • 10+

      ¥16.41
    • 30+

      ¥14.69
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  • 1ED31xxMU12H(1ED-X3紧凑型)栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流,或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作,采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器
    • 1+

      ¥20.58
    • 10+

      ¥17.46
    • 30+

      ¥15.61
  • 有货
  • 1ED020I12FA2是一款采用PG-DSO-20封装的单通道IGBT电流隔离驱动器,典型输出电流能力为2A。所有逻辑引脚均与5V CMOS兼容,可直接连接到微控制器。通过集成的无芯变压器技术实现电流隔离的数据传输
    数据手册
    • 1+

      ¥24.71
    • 10+

      ¥21.36
    • 30+

      ¥19.37
    • 100+

      ¥17.35
  • 有货
  • 1ED34x1Mc12M系列(X3模拟)由采用小型PG-DSO-16封装的单通道电气隔离式栅极驱动IC组成,其爬电距离和电气间隙达8 mm。这些栅极驱动IC的典型峰值输出电流分别为3 A、6 A和9 A。该系列产品具备可调节的控制和保护功能,可简化高可靠性系统的设计
    • 1+

      ¥34.2
    • 10+

      ¥29.38
    • 30+

      ¥26.44
  • 有货
  • 是一款先进的栅极驱动IC,用于控制6个外部N沟道MOSFET,形成用于汽车领域大电流三相电机驱动应用的逆变器。一款精密的高压技术使TLE9183QK能够支持12V电池系统的应用,即使在恶劣的汽车环境中,结合高电机电流。因此,桥接、电机和电源相关引脚可以承受高达40V的电压。电机相关引脚甚至可以承受低至-15V的负电压瞬变而不会损坏。所有低侧和高侧输出级均基于浮动概念,其驱动强度允许驱动市场上常见的最低RDSON MOSFET。集成的SPI接口用于在上电后为应用配置TLE9183QK
    • 1+

      ¥38.67
    • 10+

      ¥33.46
    • 30+

      ¥30.28
  • 有货
  • 2EDN752x/2EDN852x是一款先进的双通道驱动器,适用于驱动逻辑电平和普通电平MOSFET,支持OptiMOS、CoolMOS、标准电平MOSFET、超结MOSFET,以及IGBT和GaN功率器件。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.39
    • 10+

      ¥2.65
    • 30+

      ¥2.34
    • 100+

      ¥1.94
  • 有货
  • EiceDRIVER™ 1EDNx550 是单通道非隔离式栅极驱动集成电路的全新产品系列。由于采用了具有出色共模抑制能力的独特全差分输入电路,逻辑驱动器状态仅由两个输入之间的电压差控制,完全独立于驱动器的参考(接地)电位。这消除了误触发的风险,因此在所有驱动器和控制器接地之间存在电压差的应用中具有显著优势,这是采用 4 引脚封装(开尔文源极连接)、高寄生 PCB 电感(长距离、单层 PCB)、双极栅极驱动的系统常见的问题
    数据手册
    • 1+

      ¥4.16
    • 10+

      ¥3.31
    • 30+

      ¥2.89
    • 100+

      ¥2.48
    • 500+

      ¥2.23
  • 有货
  • 半桥驱动集成电路,可直接驱动高侧(高端)和低侧(低端)大功率场效应管。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.08
    • 10+

      ¥4.84
    • 50+

      ¥4.22
  • 有货
  • 特性:单通道隔离式IGBT驱动器。 输入到输出隔离电压高达1200V。 适用于高压功率IGBT。 典型值高达10A
    数据手册
    • 1+

      ¥7.43
    • 10+

      ¥6.75
    • 30+

      ¥6.32
    • 100+

      ¥5.89
  • 有货
  • IRS4426/IRS4427/IRS4428 是低压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专有的抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容
    数据手册
    • 1+

      ¥9.45
    • 10+

      ¥7.74
    • 30+

      ¥6.8
    • 100+

      ¥5.74
  • 有货
  • 1ED314xMU12F栅极驱动IC是采用DSO - 8 150 mil封装的、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们可提供高达6.5 A的典型输出电流。输入逻辑引脚的输入电压范围很宽,为3 V至6.5 V,采用CMOS阈值电平,以支持3.3 V微控制器
    • 1+

      ¥10.44
    • 10+

      ¥8.79
    • 30+

      ¥7.75
    • 100+

      ¥6.69
  • 有货
  • 是快速双路隔离式MOSFET栅极驱动IC系列,通过无芯变压器(CT)技术提供功能(2EDFx)或增强(2EDSx)输入到输出隔离。由于驱动电流大、共模抑制性能出色和信号传播速度快,特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET(CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC)。为具有MOSFET开关的快速开关中高功率系统而设计,针对温度和生产差异下的高定时精度进行了优化。可靠准确的定时简化了系统设计,提高了功率转换效率。2EDSx、2EDFx双路增强(安全)和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度:4A/8A适用于低欧姆功率MOSFET,1A/2A适用于更高导通电阻的MOSFET或较慢的开关瞬变(EMI)。1A/2A增强隔离驱动器还可与非隔离升压栅极驱动器(如1EDNx 4A/8A)结合用作PWM数据耦合器,该非隔离升压栅极驱动器需紧邻超结功率开关放置
    数据手册
    • 1+

      ¥10.95
    • 10+

      ¥9.29
    • 30+

      ¥8.24
    • 100+

      ¥7.18
  • 有货
  • 电信、数据中心和工业开关电源(SMPS)的发展受到能源效率提升、高功率密度和不断增长的输出功率等趋势的推动。宽带隙材料,如CoolSiC™ 650 V MOSFET和CoolGaN™ 600 V增强型高电子迁移率晶体管(e-mode HEMT),有助于实现高性能拓扑结构,如连续导通模式(CCM)图腾柱功率因数校正(PFC)。这种拓扑结构可确保PFC级效率达到99%,使系统整体效率达到98%,且每个开关周期都会出现硬开关换相
    数据手册
    • 1+

      ¥11.53
    • 10+

      ¥9.73
    • 30+

      ¥8.6
    • 100+

      ¥7.45
  • 有货
  • 1EDI05I12AH、1EDI20I12AH、1EDI40I12AH、1EDI60I12AH、1EDI20H12AH 和 1EDI60H12AH 是采用 PG-DSO-8-59 封装的单通道 IGBT 驱动器,具有电气隔离功能,其分离输出引脚的输出电流最高可达 10 A。输入逻辑引脚的输入电压范围为 3 V 至 15 V,采用缩放后的 CMOS 阈值电平,甚至可支持 3.3 V 的微控制器。
    数据手册
    • 1+

      ¥20.02
    • 10+

      ¥17.03
    • 30+

      ¥15.25
    • 100+

      ¥13.46
  • 有货
  • IRSM005 - 301MH是一款通用半桥器件,集成了栅极驱动器,采用极具吸引力的7x8mm PQFN封装。它是一个通用构建模块,适用于各种对功率密度至关重要的低压应用。典型示例包括先进的电机驱动器、直流 - 交流和直流 - 直流转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥20.856 ¥34.76
    • 10+

      ¥17.964 ¥29.94
    • 30+

      ¥16.242 ¥27.07
    • 100+

      ¥14.502 ¥24.17
    • 500+

      ¥13.698 ¥22.83
    • 1300+

      ¥13.338 ¥22.23
  • 有货
  • 1EDCxxI12AH 和 1EDCxxH12AH 是采用 PG-DSO-8-59 封装的单通道IGBT 隔离驱动器,其独立输出引脚的输出电流最高可达 10 A。输入逻辑引脚的输入电压范围宽,为 3 V 至 15 V,采用按比例缩放的 CMOS 阈值电平,甚至可支持 3.3 V 的微控制器。
    数据手册
    • 1+

      ¥21.15
    • 10+

      ¥18.11
    • 30+

      ¥16.3
  • 有货
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