您好,请登录 免费注册
手机立创
  • 微信小程序

    找料更方便

  • 立创APP

    体验更友好

  • 立创公众号

    售前咨询,优惠活动

消息(0)
我的订单
联系客服
  • 4000800709

    点击QQ咨询

  • 0755-83865666

    0755-83865666

    拨打电话咨询

帮助中心
供应商合作
嘉立创产业服务群

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确,当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式,请检查后重新上传

BOM正在分析中...
首页 > 热门关键词 > 英飞凌驱动芯片
综合排序 价格 销量
-
符合条件商品:共28235
图片
关键参数
描述
价格(含税)
库存
操作
600V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
数据手册
  • 1+

    ¥10.46
  • 10+

    ¥8.66
  • 30+

    ¥7.67
  • 有货
  • 2ED2108 (4) S06F (J) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。它具备出色的耐用性和抗噪能力,在 VS 引脚(VCC = 15 V)承受高达 -11 V 的负瞬态电压时,仍能维持工作逻辑。该器件不存在任何寄生晶闸管结构,因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象
    • 1+

      ¥10.95
    • 10+

      ¥9.3
    • 30+

      ¥8.26
  • 有货
  • IR4426/IR4427/IR4428 (S) 是一款低压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专利抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容
    数据手册
    • 1+

      ¥11.41
    • 10+

      ¥9.7
    • 30+

      ¥8.63
    • 100+

      ¥7.53
  • 有货
  • 1ED312xMU12F(1ED-X3 Compact)栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和碳化硅MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。在独立的源极和漏极引脚,它们可提供高达14.0 A的典型输出电流;若配备额外的3.0 A有源密勒钳位电路,则可提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚的输入电压范围为3 V至15 V,采用CMOS阈值电平,以支持3.3 V的微控制器
    • 1+

      ¥14.06
    • 10+

      ¥11.95
    • 30+

      ¥10.63
    • 100+

      ¥9.28
  • 有货
  • 是一款带有集成驱动器和电平转换器的2.5A半桥。它在单个封装中包含一个高端P沟道MOSFET和一个低端N沟道MOSFET。集成的电平转换级允许将输入逻辑信号转换为栅极驱动器的电源电压电平。输入信号电平与CMOS兼容。电平转换器和栅极驱动器提供死区时间生成,以简化与AURIX™ TC3xx微控制器的嵌入式核心电压调节器的接口。低传播延迟允许在对时序要求有限的闭环控制应用中使用。输出级允许高开关频率。集成了针对高端MOSFET和低端MOSFET过流以及过温事件的保护功能。内部上电复位释放数字逻辑,并确保其在指定范围内的电源电压下工作。
    • 1+

      ¥16.1
    • 10+

      ¥13.66
    • 30+

      ¥12.13
  • 有货
  • 该产品是双路隔离栅极驱动器,用于驱动Si和SiC MOSFET以及GaN HEMT功率开关。所有产品均采用DSO封装,输入到输出爬电距离为8mm,通过片上无芯变压器(CT)技术提供增强隔离。14引脚DSO封装的2EDRx259X和2EDRx258X变体提供更大的通道间爬电距离,适用于更高母线电压或更高污染程度的应用,一般可简化PCB布线。所有版本均提供可选的直通保护(STP)和死区时间控制(DTC)功能,可作为双路低端、双路高端或半桥栅极驱动器,死区时间可配置。产品具有出色的共模瞬态抗扰度(CMTI)、低器件间偏差和快速信号传播,非常适合用于快速开关电源转换系统。
    • 1+

      ¥18.2
    • 10+

      ¥15.46
    • 30+

      ¥13.82
    • 100+

      ¥12.17
  • 有货
  • EiceDRIVER栅极驱动器1EDI3031AS是一款高压SiC-MOSFET驱动器,专为5 kW以上的汽车电机驱动而设计。该器件基于无芯变压器(CT)技术,在低压和高压域之间提供电流隔离。它支持400 V、600 V和1200 V的SiC-MOSFET技术
    • 1+

      ¥22.32
    • 10+

      ¥21.79
    • 30+

      ¥21.43
  • 有货
    • 1+

      ¥34.98
    • 10+

      ¥29.73
    • 30+

      ¥26.61
  • 有货
  • IR2213(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥37.42
    • 10+

      ¥32.2
    • 30+

      ¥27.92
  • 有货
  • IRS2304是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术使其具备坚固的单芯片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.92
    • 10+

      ¥2.37
    • 30+

      ¥2.14
    • 100+

      ¥1.85
  • 有货
  • 1EDN7x/1EDN8x是一款先进的单通道驱动器。它适用于驱动逻辑电平和标准电平MOSFET,支持OptiMOs™、CoolMOs™、标准电平MOSFET、超结MOSFET,以及IGBT和氮化镓(GaN)功率器件。控制和使能输入与LV-TTL兼容(CMOS 3.3 V),输入电压范围为-5 V至+20 V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.25
    • 10+

      ¥2.6
    • 30+

      ¥2.31
    • 100+

      ¥1.96
  • 有货
  • EiceDRIVER™ 1EDNx550 是单通道非隔离式栅极驱动集成电路的全新产品系列。由于采用了具有出色共模抑制能力的独特全差分输入电路,逻辑驱动器状态仅由两个输入之间的电压差控制,完全独立于驱动器的参考(接地)电位。这消除了误触发的风险,因此在所有驱动器和控制器接地之间存在电压差的应用中具有显著优势,这是采用 4 引脚封装(开尔文源极连接)、高寄生 PCB 电感(长距离、单层 PCB)、双极栅极驱动的系统常见的问题
    数据手册
    • 1+

      ¥4.28
    • 10+

      ¥3.44
    • 30+

      ¥3.03
    • 100+

      ¥2.61
  • 有货
  • IRS2301S是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.74
    • 10+

      ¥5.56
    • 30+

      ¥4.97
  • 有货
  • 1ED44173N01B是一款低压功率MOSFET同相栅极驱动器。采用专有的抗闩锁CMOS技术,实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容
    数据手册
    • 1+

      ¥6.87
    • 10+

      ¥5.66
    • 30+

      ¥5
    • 100+

      ¥4.05
  • 有货
  • 1EDN7x/1EDN8x是一款先进的单通道驱动器。它适用于驱动逻辑电平和标准电平MOSFET,支持OptiMOs™、CoolMOs™、标准电平MOSFET、超结MOSFET,以及IGBT和氮化镓(GaN)功率器件。控制和使能输入与LV-TTL兼容(CMOS 3.3 V),输入电压范围为-5 V至+20 V
    数据手册
    • 1+

      ¥7.15
    • 10+

      ¥5.93
    • 30+

      ¥5.25
    • 100+

      ¥4.49
  • 有货
  • 6ED系列第二代器件是一款全桥驱动器,用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件,最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术,该器件在瞬态电压下具有出色的鲁棒性。器件中不存在寄生晶闸管结构
    数据手册
    • 1+

      ¥10.46
    • 10+

      ¥8.81
    • 30+

      ¥7.9
    • 100+

      ¥6.15
  • 有货
  • 600V,单通道驱动IC,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    数据手册
    • 1+

      ¥11.34
    • 10+

      ¥9.29
    • 30+

      ¥8.16
    • 100+

      ¥6.88
  • 有货
  • 电信、数据中心和工业开关电源(SMPS)的发展受到能源效率提升、高功率密度和不断增长的输出功率等趋势的推动。宽带隙材料,如CoolSiC™ 650 V MOSFET和CoolGaN™ 600 V增强型高电子迁移率晶体管(e-mode HEMT),有助于实现高性能拓扑结构,如连续导通模式(CCM)图腾柱功率因数校正(PFC)。这种拓扑结构可确保PFC级效率达到99%,使系统整体效率达到98%,且每个开关周期都会出现硬开关换相
    数据手册
    • 1+

      ¥11.91
    • 10+

      ¥10.11
    • 30+

      ¥8.98
  • 有货
  • 2EDi 是一系列双通道隔离式栅极驱动 IC,旨在驱动硅(Si)MOSFET、碳化硅(SiC)MOSFET 和氮化镓(GaN)功率开关。该系列产品通过英飞凌无芯变压器(CT)技术实现隔离,此技术可确保稳定运行,并具备业界领先的共模抑制能力(CMTI)。
    • 1+

      ¥15.88
    • 10+

      ¥13.36
    • 30+

      ¥11.78
    • 100+

      ¥10.17
  • 有货
  • 1EDI05I12AH、1EDI20I12AH、1EDI40I12AH、1EDI60I12AH、1EDI20H12AH 和 1EDI60H12AH 是采用 PG-DSO-8-59 封装的单通道 IGBT 驱动器,具有电气隔离功能,其分离输出引脚的输出电流最高可达 10 A。输入逻辑引脚的输入电压范围为 3 V 至 15 V,采用缩放后的 CMOS 阈值电平,甚至可支持 3.3 V 的微控制器。
    数据手册
    • 1+

      ¥20.02
    • 10+

      ¥17.03
    • 30+

      ¥15.25
  • 有货
  • 600V,高低侧驱动IC,门驱动供应电压范围:10V to 20V
    数据手册
    • 1+

      ¥20.84
    • 10+

      ¥17.95
    • 50+

      ¥16.23
  • 有货
  • 1ED020I12FA2是一款采用PG-DSO-20封装的单通道IGBT电流隔离驱动器,典型输出电流能力为2A。所有逻辑引脚均与5V CMOS兼容,可直接连接到微控制器。通过集成的无芯变压器技术实现电流隔离的数据传输
    数据手册
    • 单价:

      ¥13.72093 / 个
    2ED2410-EM是一款单通道栅极驱动器,具有两个独立的栅极输出,适用于12/24 V汽车应用。它具备多种保护功能,用于连接/断开负载或不同的电源。
    数据手册
    • 1+

      ¥31.01
    • 10+

      ¥26.36
    • 30+

      ¥23.59
  • 有货
  • 是一款先进的栅极驱动IC,用于控制6个外部N沟道MOSFET,形成用于汽车领域大电流三相电机驱动应用的逆变器。一款精密的高压技术使TLE9183QK能够支持12V电池系统的应用,即使在恶劣的汽车环境中,结合高电机电流。因此,桥接、电机和电源相关引脚可以承受高达40V的电压。电机相关引脚甚至可以承受低至-15V的负电压瞬变而不会损坏。所有低侧和高侧输出级均基于浮动概念,其驱动强度允许驱动市场上常见的最低RDSON MOSFET。集成的SPI接口用于在上电后为应用配置TLE9183QK
    • 1+

      ¥40.59
    • 10+

      ¥35.38
    • 30+

      ¥32.2
  • 有货
  • 由采用小型 PG-DSO-16 封装的单通道栅极驱动 IC 组成,爬电距离和电气间隙达 8mm。栅极驱动 IC 提供 3A、6A 和 9A 的典型峰值输出电流。包含可调控制和保护功能,可简化高可靠性系统的设计。所有参数调整均通过 I2C 接口(引脚 SDA 和 SCL)从输入侧完成。所有逻辑 I/O 引脚与 3.3V 或 5V CMOS 兼容,可直接连接微控制器。通过集成无芯变压器技术实现跨电隔离的数据传输。
    • 1+

      ¥49.04
    • 10+

      ¥41.74
    • 30+

      ¥37.29
  • 有货
  • IR3537/CHL8510 是一款高效率栅极驱动器,可以切换同步降压转换器中的高侧和低侧 N 沟道外部 MOSFET。它旨在与国际整流子的数字 PWM 控制器一起使用,为当今先进的计算应用提供完整的电压调节器 (VR) 解决方案。IR3537/CHL8510 低侧驱动器能够快速切换具有低 RDS(on) 和大输入电容的大型 MOSFET,用于高效率设计。IR3537/CHL8510 具有对外部 MOSFET 中高侧和低侧栅极驱动电压从 4.5V 到 13.2V 的独立控制。这使得能够优化外部 MOSFET 中的开关和导通损耗。当与 IR 专有的可变栅极驱动 (VGD) 技术一起使用时,在整个负载范围内可以观察到效率的显著提高。IR3537/CHL8510 可以配置为从独特的 IR 快速主动三电平 (ATL) PWM 信号或通用的三态 PWM 模式驱动高侧和低侧开关。IR ATL 模式允许控制器在不到 30ns 的时间内禁用高侧和低侧 FET,而无需专用禁用引脚。这提高了 VR 瞬态性能,尤其是在负载释放期间。集成的自举二极管减少了外部元件数量。IR3537/CHL8510 还具有自适应非重叠控制,用于防止直通保护。这可以防止高侧和低侧 MOSFET 的交叉传导,并最大程度地减少体二极管导通时间,从而提供一流的效率。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.8 ¥5
    • 10+

      ¥3.234 ¥4.9
    • 30+

      ¥2.6992 ¥4.82
    • 100+

      ¥2.66 ¥4.75
  • 有货
  • 是 600-V 半桥栅极驱动器系列。其薄膜-SOI 技术提供出色的耐用性和抗噪性。施密特触发器逻辑输入与低至 3.3 V 的标准 CMOS 或 LSTTL 逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达 600 V 的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT。此外,离线钳位功能在 IC 未供电时,通过浮动栅极条件为寄生导通提供固有保护。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.84
    • 10+

      ¥4.72
    • 30+

      ¥4.64
  • 有货
  • EiceDRIVER 2EDN 系列产品提供 8 引脚 DSO、TSSOP 和 WSON 封装,以及小巧且通用的 6 引脚 SOT23 封装。高输出电流能力,再加上有源输出电压钳位、严格的时序规格以及优化的启动和关断时间,使 2EDN 系列成为许多快速开关应用的首选。
    • 1+

      ¥5.31
    • 10+

      ¥4.23
    • 30+

      ¥3.69
  • 有货
  • IRS10752是一款高端单通道栅极驱动IC,具备100V阻断和电平转换能力。这使得该栅极驱动器可直接连接到高端功率MOSFET的栅极,同时由低端接地电位电路进行控制。IRS10752具有较宽的VCC电源电压范围、欠压锁定(UVLO)保护功能,并且在恶劣的dv/dt或 -VS开关环境中具有出色的抗干扰能力
    数据手册
    • 1+

      ¥5.44
    • 10+

      ¥4.33
    • 30+

      ¥3.78
  • 有货
  • 600V,自激振荡的半桥式驱动IC
    数据手册
    • 1+

      ¥6.33
    • 10+

      ¥5.2
    • 30+

      ¥4.59
  • 有货
  • 立创商城为您提供英飞凌驱动芯片型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息,为您购买英飞凌驱动芯片提供详细信息
    您的浏览器版本过低(IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式),存在严重安全漏洞,请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
    推荐您下载并使用 立创商城APP 或者最新版 谷歌浏览器火狐浏览器360浏览器搜狗浏览器QQ浏览器 的极(高)速模式进行访问。
    © 深圳市立创电子商务有限公司 版权所有
    |

    提示

    您确定要删除此收货地址的吗?

    请填写订单取消原因

    提示

    您确定删除此收货地址吗?

    成功提示

    content

    失败提示

    content

    提示

    content