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首页 > 热门关键词 > 英飞凌驱动芯片
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单通道5.7 kV（rms）隔离栅极驱动器IC，带有源米勒钳位或独立输出
型号：1ED3124MC12HXUMA1 编号：C17365056
封装：SOIC-8
品牌：Infineon(英飞凌)
1ED31xxMC12H（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V微控制器

  • 1+

    ￥25.47

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    半桥驱动器
    型号：IR25602STRPBF 编号：C537635
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IR25602是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容，低至3.3V
    数据手册

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    半桥驱动器
    型号：IRS2004STRPBF 编号：C78066
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IRS2004是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V
    数据手册

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    单通道驱动器
    型号：1EDN7512G 编号：C533028
    封装：DFN-6(3x3)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    1EDN7x/1EDN8x是一款先进的单通道驱动器。它适用于驱动逻辑电平和标准电平MOSFET，支持OptiMOs™、CoolMOs™、标准电平MOSFET、超结MOSFET，以及IGBT和氮化镓（GaN）功率器件。控制和使能输入与LV-TTL兼容（CMOS 3.3 V），输入电压范围为-5 V至+20 V
    数据手册

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    双通道低侧栅极驱动IC，具备低输出电阻和出色的时序精度
    型号：2EDN7534BXTSA1 编号：C3654924
    封装：SOT-23-6
    品牌：Infineon(英飞凌)
    EiceDRIVER 2EDN 系列产品提供 8 引脚 DSO、TSSOP 和 WSON 封装，以及小巧且通用的 6 引脚 SOT23 封装。高输出电流能力，再加上有源输出电压钳位、严格的时序规格以及优化的启动和关断时间，使 2EDN 系列成为许多快速开关应用的首选。

    • 1+

      ￥5.31

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    高端栅极驱动IC
    型号：IRS10752LTRPBF 编号：C126923
    封装：SOT-23-6
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IRS10752是一款高端单通道栅极驱动IC，具备100V阻断和电平转换能力。这使得该栅极驱动器可直接连接到高端功率MOSFET的栅极，同时由低端接地电位电路进行控制。IRS10752具有较宽的VCC电源电压范围、欠压锁定（UVLO）保护功能，并且在恶劣的dv/dt或 -VS开关环境中具有出色的抗干扰能力
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    具备过流保护和故障/使能功能的单通道低端栅极驱动IC
    型号：1ED44176N01FXUMA1 编号：C1848808
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    1ED44176N01F是一款低压功率MOSFET和IGBT同相栅极驱动器。专有的抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容
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      ￥6.426 ￥9.18

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    具备过流保护（OCP）、使能（EN）、故障指示功能及集成自举二极管（BSD）的200 V和600 V三相栅极驱动器
    型号：6EDL04I06PT 编号：C533113
    封装：SO-28-300mil
    品牌：Infineon(英飞凌)
    6ED系列第二代器件是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的鲁棒性。器件中不存在寄生晶闸管结构
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    具备过流保护（OCP）、使能（EN）、故障指示功能及集成自举二极管（BSD）的200 V和600 V三相栅极驱动器
    型号：6EDL04N06PT 编号：C533115
    封装：DSO-28
    品牌：Infineon(英飞凌)
    6ED系列第二代器件是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的鲁棒性。器件中不存在寄生晶闸管结构
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      ￥10.9053 ￥17.31

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    高性能无传感器电机控制IC
    型号：IRMCF183MTR 编号：C538206
    封装：QFN-32-EP(5x5)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    是一款基于闪存的高性能运动控制IC，专为低成本家电控制而设计和优化，包含两个集成在一个单芯片中的计算引擎。一个是灵活运动控制引擎（MCE™），用于永磁电机或感应电机的无传感器控制；另一个是8位高速微控制器（8051）。用户可以通过使用图形编译器连接这些控制元素来编写运动控制算法。复杂无传感器控制算法的关键组件，如角度估计器，作为完整的预定义控制块提供。独特的模拟/数字电路和算法完全支持单分流或支路分流电流重建。采用32引脚5x5 QFN封装。
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    快速、耐用的双通道电流隔离式栅极驱动IC
    型号：2EDB8259KXUMA1 编号：C17368311
    封装：LGA-13(5x5)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    2EDi 是一系列双通道隔离式栅极驱动 IC，旨在驱动硅（Si）MOSFET、碳化硅（SiC）MOSFET 和氮化镓（GaN）功率开关。该系列产品通过英飞凌无芯变压器（CT）技术实现隔离，此技术可确保稳定运行，并具备业界领先的共模抑制能力（CMTI）。

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      ￥12.62

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    单通道5.7 kV (rms)隔离栅极驱动器IC，带有源米勒钳位或独立输出
    型号：1ED3121MU12H 编号：C530922
    封装：DSO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    1ED31xxMU12H（1ED-X3紧凑型）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作，采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器

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    单通道3.0 kV（有效值）隔离式栅极驱动IC，具备有源密勒钳位或独立输出
    型号：1ED3124MU12FXUMA1 编号：C17295974
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    1ED312xMU12F（1ED-X3 Compact）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和碳化硅MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。在独立的源极和漏极引脚，它们可提供高达14.0 A的典型输出电流；若配备额外的3.0 A有源密勒钳位电路，则可提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚的输入电压范围为3 V至15 V，采用CMOS阈值电平，以支持3.3 V的微控制器

    • 1+

      ￥17.2

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    具备两级压摆率控制（2L-SRC）的单通道5.7kV（rms）隔离式栅极驱动IC
    型号：1ED3241MC12HXUMA1 编号：C17535489
    封装：SOIC-8-300mil
    品牌：Infineon(英飞凌)
    1ED32xx系列是采用DSO - 8 300 mil封装的一组单通道电气隔离驱动IC。这些驱动IC的典型峰值输出电流最高可达18 A。该系列产品采用了两级压摆率控制（2L - SRC）技术

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      ￥17.93

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      ￥15.22

    • 30+

      ￥13.52
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    单通道5.7 kV（rms）隔离式栅极驱动器IC，带有源米勒钳位或独立输出
    型号：1ED3122MU12HXUMA1 编号：C17390271
    封装：SOIC-8-300mil
    品牌：Infineon(英飞凌)
    1ED31xxMU12H（1ED-X3紧凑型）栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚提供高达14.0 A的典型输出电流，或在配备额外3.0 A有源米勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚在3 V至15 V的宽输入电压范围内工作，采用CMOS阈值电平以支持3.3 V微控制器

    • 1+

      ￥21.96

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      ￥18.74

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      ￥16.83
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    三相桥式驱动器
    型号：IR2130STRPBF 编号：C16675
    封装：SOIC-28-300mil
    品牌：Infineon(英飞凌)
    600V，三相桥驱动IC
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    • 1+

      ￥27.84

    • 10+

      ￥23.67

    • 30+

      ￥21.19
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    高端和低端驱动器
    型号：IRS2301STRPBF 编号：C520632
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IRS2301S是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V
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    • 1+

      ￥4.58

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      ￥3.71

    • 30+

      ￥3.28
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    单通道带过流保护的低端栅极驱动IC
    型号：1ED44173N01BXTSA1 编号：C1513367
    封装：SOT-23-6
    品牌：Infineon(英飞凌)
    1ED44173N01B是一款低压功率MOSFET同相栅极驱动器。采用专有的抗闩锁CMOS技术，实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容
    数据手册

    • 1+

      ￥6.87

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      ￥5.66

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      ￥4.05

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      ￥3.71
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    IRS21531DSTRPBF
    型号：IRS21531DSTRPBF 编号：C538293
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    基于流行的IR2153自振荡半桥栅极驱动器IC，采用更先进的硅平台，集成了高压半桥栅极驱动器和类似于行业标准CMOS 555定时器的前端振荡器。HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。通过栅极驱动器的低di/dt峰值实现抗噪性。
    数据手册

    • 1+

      ￥7.55

    • 10+

      ￥6.27

    • 30+

      ￥5.57

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      ￥4.78
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    单通道 IGBT 栅极驱动集成电路
    型号：1EDI05I12AF 编号：C530949
    封装：DSO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：单通道隔离式IGBT驱动器。 输入到输出隔离电压高达1200V。 适用于高压功率IGBT。 典型值高达10A
    数据手册

    • 1+

      ￥9.1838 ￥9.77

    • 10+

      ￥6.846 ￥8.15

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      ￥5.3798 ￥7.27

    • 100+

      ￥4.6324 ￥6.26

    • 500+

      ￥4.3068 ￥5.82

    • 1000+

      ￥4.1588 ￥5.62
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    高低侧驱动器
    型号：IRS21864STRPBF 编号：C538312
    封装：SOIC-14
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IRS2186(4)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V
    数据手册

    • 1+

      ￥10.07

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      ￥8.47

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      ￥7.47
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    高压高速半桥MOSFET和IGBT驱动器
    型号：IR2111SPBF 编号：C2970
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IR2111(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动芯片，具有独立的高端和低端参考输出通道，专为半桥应用而设计。其采用专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术，实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容
    数据手册

    • 1+

      ￥12.9948 ￥19.11

    • 10+

      ￥11.084 ￥16.3

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      ￥9.894 ￥14.55

    • 100+

      ￥8.67 ￥12.75

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    • 1000+

      ￥7.8812 ￥11.59
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    1A DC电机驱动器
    型号：TLE4205G 编号：C5157949
    封装：SOIC-20-300mil
    品牌：Infineon(英飞凌)
    TLE 4205G是一款适用于宽温度范围的集成式功率全桥直流电机驱动器，例如汽车应用中就有这样的需求。该电路包含两个功率比较器，可组合成一个全桥电路。对于感性负载，有集成的续流二极管连接到+ΔVS和地。输出端在高达18 V的电源电压下对地短路保护，并且在出现过热时会关闭。这款IC特别适用于汽车的前照灯光束调节。

    • 1+

      ￥15.29

    • 10+

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      ￥9.88
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    宽体封装单通道 IGBT 栅极驱动 IC
    型号：1EDI20H12AH 编号：C533013
    封装：DSO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    1EDI05I12AH、1EDI20I12AH、1EDI40I12AH、1EDI60I12AH、1EDI20H12AH 和 1EDI60H12AH 是采用 PG-DSO-8-59 封装的单通道 IGBT 驱动器，具有电气隔离功能，其分离输出引脚的输出电流最高可达 10 A。输入逻辑引脚的输入电压范围为 3 V 至 15 V，采用缩放后的 CMOS 阈值电平，甚至可支持 3.3 V 的微控制器。
    数据手册

    • 1+

      ￥17.21

    • 10+

      ￥14.49

    • 30+

      ￥12.79
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    集成驱动IC的单半桥电路
    型号：BTN9960LVAUMA1 编号：C22401721
    封装：HSOF-7
    品牌：Infineon(英飞凌)
    BTN9960LV是一款用于电机驱动应用的集成式大电流半桥器件。它是MOTIX单半桥产品家族的一员，该产品家族将一个p沟道高端MOSFET和一个n沟道低端MOSFET与一个集成驱动IC封装在一起。由于采用了p沟道高端开关，无需使用电荷泵，从而将电磁干扰（EME）降至最低

    • 1+

      ￥29.37

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      ￥24.92

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      ￥22.27
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    无刷直流BLDC电机驱动芯片 45V
    型号：TLE7184FXUMA2 编号：C2150694
    封装：VQFN-48-EP(9x9)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    TLE7184F是一款用于无刷电机控制的系统IC。它集成了一个为微控制器（μC）供电的电压源、一个适用于B6配置的桥驱动器、一个典型应用的PWM接口以及其他一些小功能。其目标是减少典型无刷直流（BLDC）汽车应用中分立元件的数量，并为特定定制适配提供足够的灵活性
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    高端和低端驱动器
    型号：IR2213STRPBF 编号：C495817
    封装：SOIC-16
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IR2213(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V
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    1ED020I12B2XUMA1
    型号：1ED020I12B2XUMA1 编号：C7431136
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：Infineon(英飞凌)

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    带集成驱动器的大电流PN半桥
    型号：BTN9990LVAUMA1 编号：C3655355
    封装：HSOF-7
    品牌：Infineon(英飞凌)
    BTN9990LV是一款用于电机驱动应用的集成大电流半桥。它是集成半桥NovalithIC+系列的一部分，在一个封装中包含一个p沟道高端MOSFET和一个n沟道低端MOSFET以及一个集成驱动IC。由于采用了p沟道高端开关，无需电荷泵，从而将电磁干扰（EME）降至最低。集成驱动IC使与微控制器的接口变得简单，其具有逻辑电平输入、带电流检测的诊断功能、压摆率调整、死区时间生成以及针对过温、欠压、过流和短路的保护功能。BTN9990LV为受保护的大电流PWM电机驱动提供了一种成本优化的解决方案，且电路板空间占用极小。

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    半桥驱动器
    型号：IR2304STRPBF 编号：C78065
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IR2304(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，最低可至 3.3V
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