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首页 > 热门关键词 > 英飞凌驱动芯片
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600V,三相桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
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    ¥6.32
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    ¥5.24
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    ¥4.7
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  • 刷式直流电动机驱动器
    数据手册
    • 1+

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      ¥13.89
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  • AUIR2085S是一款占空比为50%的自振荡半桥驱动IC,非常适合用于36V - 75V半桥直流母线转换器。每个通道的频率等于fOSC,可通过选择RT和CT来设置。死区时间可通过适当选择CT来控制,范围为50ns至200ns
    数据手册
    • 1+

      ¥17.17
    • 10+

      ¥14.46
    • 30+

      ¥12.77
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      ¥11.03
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    • 1000+

      ¥9.9
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  • IR2127/IR2128/IR21271(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL(LSTTL)输出兼容,最低可至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.54
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      ¥2.2
    • 1000+

      ¥2.07
  • 有货
  • TLE94108ES是一款具备保护功能的八路半桥驱动器,专为汽车运动控制应用而设计,如加热、通风和空调(HVAC)风门直流电机控制。它是一个更大产品系列的一部分,该系列提供从三路输出到十二路输出的半桥驱动器,具备直接接口或SPI接口。半桥驱动器旨在以顺序或并行模式驱动直流电机负载
    • 1+

      ¥10.06
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      ¥9.16
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  • 集成的600V全桥门驱动器
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      ¥7.48
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      ¥6.93
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  • IR25602是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具备相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容,低至3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.84
    • 10+

      ¥3.11
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      ¥2.74
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      ¥2.16
    • 1000+

      ¥2.05
  • 有货
  • 特性:单通道隔离式IGBT驱动器。 输入到输出隔离电压高达1200V。 适用于高压功率IGBT。 典型值高达10A
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    • 1+

      ¥10.15
    • 10+

      ¥8.44
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      ¥7.5
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      ¥6.15
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      ¥5.68
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  • BTN9960LV是一款用于电机驱动应用的集成式大电流半桥器件。它是MOTIX单半桥产品家族的一员,该产品家族将一个p沟道高端MOSFET和一个n沟道低端MOSFET与一个集成驱动IC封装在一起。由于采用了p沟道高端开关,无需使用电荷泵,从而将电磁干扰(EME)降至最低
    • 1+

      ¥27.92
    • 10+

      ¥23.68
    • 30+

      ¥21.17
    • 100+

      ¥18.62
  • 有货
  • 高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。
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    • 单价:

      ¥6.02 / 个
  • 有货
  • 双通道隔离EiceDRIVER产品系列设计用于高性能功率转换应用。强大的4 A/8 A源/灌双通道栅极驱动器可提高CoolMOS、CoolSiC和OptiMOS MOSFET半桥的效率。37 ns的低传播延迟,结合高度精确和稳定的定时、过温保护和生产工艺,可在电气隔离功率级内和跨功率级或在多相/多级拓扑中进一步提高效率。不同封装的功能和增强型隔离驱动器使其非常适合初级侧和(安全)次级侧控制。栅极驱动器输出具有5 A的高反向电流能力和150 V/ns的CMTI抗扰度,适用于高dv/dt功率环路。对于较慢的开关或驱动较小的MOSFET,也提供1 A/2 A峰值电流的产品变体。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.53
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      ¥7.99
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    • 500+

      ¥5.6
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  • IR2114/IR2214 栅极驱动器系列适用于功率开关应用中驱动单个半桥。这些驱动器具备高栅极驱动能力(2 A 源电流、3 A 灌电流),且静态电流需求低,这使得它们能够在中功率系统中采用自举电源技术。这些驱动器通过功率晶体管去饱和检测实现全面的短路保护,并通过专用的软关断引脚平稳关断去饱和晶体管来处理所有半桥故障,从而防止过电压并减少电磁辐射
    数据手册
    • 1+

      ¥30.68
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      ¥23.93
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      ¥21.39
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  • IRS2005是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具备独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL输出兼容,低至3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.94
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      ¥2.01
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      ¥1.42
  • 有货
  • 2EDN752x/2EDN852x是一款先进的双通道驱动器,适用于驱动逻辑电平和普通电平MOSFET,支持OptiMOS、CoolMOS、标准电平MOSFET、超结MOSFET,以及IGBT和GaN功率器件。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.86
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      ¥2.27
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      ¥2.02
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    • 500+

      ¥1.48
    • 1000+

      ¥1.39
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  • IRS20752是一款具有200V阻断和电平转换能力的单通道高端栅极驱动IC。这使得该栅极驱动器可直接连接到高端功率MOSFET的栅极,同时由低端接地电位电路进行控制。IRS20752具备较宽的 $\mathsf{V}_{\mathsf{CC}}$ 电源电压范围、欠压锁定(UVLO)保护功能,并且在恶劣的dv/dt或V}_{\mathrm{S}}$ 开关环境下具有出色的抗干扰能力
    数据手册
    • 1+

      ¥4.53
    • 10+

      ¥3.62
    • 30+

      ¥3.17
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      ¥2.72
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      ¥2.46
    • 1000+

      ¥2.32
  • 有货
  • 是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达600V的N沟道功率MOSFET或IGBT。
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    • 1+

      ¥9.64
    • 10+

      ¥8
    • 30+

      ¥7.09
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      ¥5.51
    • 500+

      ¥5.05
    • 1000+

      ¥4.85
  • 有货
  • IR2301(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.76
    • 10+

      ¥3.05
    • 30+

      ¥2.69
    • 100+

      ¥2.33
    • 500+

      ¥1.85
    • 1000+

      ¥1.74
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  • N沟道,Vin=6V~20V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.24
    • 10+

      ¥3.37
    • 30+

      ¥2.94
    • 100+

      ¥2.51
    • 500+

      ¥2.26
    • 1000+

      ¥2.12
  • 有货
  • IR2111(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道,专为半桥应用而设计。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容
    数据手册
    • 1+

      ¥7.5409 ¥10.33
    • 10+

      ¥5.4054 ¥8.58
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      ¥4.0386 ¥7.62
    • 100+

      ¥3.4609 ¥6.53
    • 500+

      ¥2.8196 ¥5.32
    • 1000+

      ¥2.703 ¥5.1
  • 有货
  • IR2101(S)/IR2102(S)是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闭锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥8.76
    • 10+

      ¥7.17
    • 30+

      ¥6.3
    • 100+

      ¥5.32
    • 500+

      ¥4.88
  • 有货
  • TLE94108EL是一款带保护功能的八路半桥驱动器,专为汽车运动控制应用而设计,如加热、通风和空调(HVAC)风门直流电机控制。它是一个更大产品系列的一部分,该系列提供从三路输出到十二路输出的半桥驱动器,具备直接接口或SPI接口。这些半桥驱动器旨在以顺序或并行方式驱动直流电机负载
    数据手册
    • 1+

      ¥9.2
    • 10+

      ¥8.97
    • 30+

      ¥8.81
    • 100+

      ¥8.65
  • 有货
  • 特性:单通道隔离式MOSFET驱动器。 输入到输出隔离电压高达1200 V。 适用于高压功率MOSFET。 轨到轨输出的典型峰值电流高达10 A。 独立的源极和漏极输出。 电流隔离核心
    数据手册
    • 1+

      ¥11.31
    • 10+

      ¥9.64
    • 30+

      ¥8.59
    • 100+

      ¥7
  • 有货
  • 是快速双路隔离式MOSFET栅极驱动IC系列,通过无芯变压器(CT)技术提供功能(2EDFx)或增强(2EDSx)输入到输出隔离。由于驱动电流大、共模抑制性能出色和信号传播速度快,特别适合在快速开关电源系统中驱动中高压MOSFET(CoolMOS、OptiMOS、CoolSIC)。为具有MOSFET开关的快速开关中高功率系统而设计,针对温度和生产差异下的高定时精度进行了优化。可靠准确的定时简化了系统设计,提高了功率转换效率。2EDSx、2EDFx双路增强(安全)和功能隔离产品变体具有不同的驱动强度:4A/8A适用于低欧姆功率MOSFET,1A/2A适用于更高导通电阻的MOSFET或较慢的开关瞬变(EMI)。1A/2A增强隔离驱动器还可与非隔离升压栅极驱动器(如1EDNx 4A/8A)结合用作PWM数据耦合器,该非隔离升压栅极驱动器需紧邻超结功率开关放置
    数据手册
    • 1+

      ¥12.23
    • 10+

      ¥10.46
    • 30+

      ¥9.36
    • 100+

      ¥8.23
  • 有货
  • 1ED31xxMC12H(1ED-X3 Compact)栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流,或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内,采用CMOS阈值电平,以支持3.3 V微控制器
    • 1+

      ¥17.28
    • 10+

      ¥14.57
    • 30+

      ¥12.87
    • 100+

      ¥11.13
  • 有货
  • TLE9201SG是一款通用型6A H桥,专为汽车应用中的直流电机或其他感性负载控制而设计(但不限于这些应用)。输出可进行脉宽调制,最高频率达20kHz。PWM/DIR控制减少了微控制器端所需的具备PWM功能的引脚数量
    数据手册
    • 1+

      ¥18.7
    • 10+

      ¥15.87
    • 30+

      ¥14.1
    • 100+

      ¥12.29
  • 有货
  • 1ED31xxMC12H(1ED-X3 Compact)栅极驱动IC是采用PG-DSO-8封装、用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的单通道电气隔离栅极驱动IC。它们在独立的源极和漏极引脚处可提供高达14.0 A的典型输出电流,或在配备额外3.0 A有源密勒钳位时提供10.0 A的典型输出电流。输入逻辑引脚工作在3 V至15 V的宽输入电压范围内,采用CMOS阈值电平,以支持3.3 V微控制器
    数据手册
    • 1+

      ¥22.33
    • 10+

      ¥18.98
    • 30+

      ¥16.99
    • 100+

      ¥14.98
  • 有货
  • 2EDN752x/2EDN852x是一款先进的双通道驱动器,适用于驱动逻辑电平和普通电平MOSFET,支持OptiMOS、CoolMOS、标准电平MOSFET、超结MOSFET,以及IGBT和GaN功率器件。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.26
    • 10+

      ¥2.55
    • 30+

      ¥2.24
    • 100+

      ¥1.86
    • 500+

      ¥1.61
    • 1000+

      ¥1.51
  • 有货
  • 是单通道隔离栅极驱动器IC,用于驱动Si、SiC和GaN功率开关。采用8引脚DSO封装,输入到输出爬电距离为4mm,通过片上无芯变压器(CT)技术实现隔离。具有严格的时序规格,适用于快速开关的中高功率系统。出色的共模抑制、低器件间偏差、快速信号传播和小封装尺寸,使其成为使用光耦合器或脉冲变压器的高端驱动解决方案的优质替代方案。
    • 1+

      ¥13.01
    • 10+

      ¥10.89
    • 30+

      ¥9.56
    • 100+

      ¥8.21
  • 有货
  • 特性:薄膜SOI技术。 最大阻断电压 +600V。 两个输出端均有独立控制电路。 对欠压电源进行滤波检测。 所有输入均由二极管钳位。 主动关断功能。 高端和低端具有不对称欠压锁定阈值。 针对目标应用通过JEDEC1认证(1000h高温应力测试)
    数据手册
    • 1+

      ¥13.8043 ¥18.91
    • 10+

      ¥10.1682 ¥16.14
    • 30+

      ¥7.632 ¥14.4
    • 100+

      ¥6.6886 ¥12.62
    • 500+

      ¥6.2646 ¥11.82
    • 1000+

      ¥6.0791 ¥11.47
  • 有货
  • IRS2004是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专有的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.99
    • 10+

      ¥3.3
    • 30+

      ¥2.95
    • 100+

      ¥2.61
    • 500+

      ¥2.12
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