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首页 > 热门关键词 > 英飞凌驱动芯片
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采用电荷泵、电流控制输入和带负载电流检测的诊断反馈的N沟道垂直功率场效应晶体管(FET),集成于智能SIPMOS芯片堆叠技术中,具备嵌入式保护功能。
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  • 1+

    ¥19.98
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    ¥17.08
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    ¥12.2
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  • 适用于1200V应用的第二代TrenchStop,具有非常紧密的参数分布和高耐用性、温度稳定特性。由于VCE(sat)具有正温度系数,易于并联。具有低电磁干扰和低栅极电荷。采用软、快速恢复的反并联发射极控制二极管。
    数据手册
    • 1+

      ¥26.04
    • 10+

      ¥22.8
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      ¥19.28
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      ¥16.44
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      ¥16.03
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  • N沟道
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      ¥0.4938
    • 50+

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      ¥0.2388
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  • P沟道,30V,3.6A,64mΩ@3.6A,10V
    数据手册
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      ¥0.5229
    • 6000+

      ¥0.4915
  • 有货
  • BFP420是一款基于接地发射极(SIEGET™)的低噪声器件,属于英飞凌成熟的第四代射频双极晶体管系列。其25 GHz的特征频率fₜ、高增益和低电流特性,使该器件适用于高达10 GHz的振荡器。它在保证易用性的同时,还具有成本竞争力
    数据手册
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      ¥1.2065
    • 50+

      ¥1.06
    • 150+

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  • N沟道,50V,3A,130mΩ@10V
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  • P沟道,-50V,-3.4A,170mΩ@4.5V
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    • 1000+

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  • N沟道,100V,97A,9mΩ@10V
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  • 数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的处理技术,以实现每个硅面积的低导通电阻。此外,栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻经过优化,以改善D类音频放大器的关键性能因素,如效率、总谐波失真(THD)和电磁干扰(EMI)。该MOSFET的其他特性包括175℃的工作结温和重复雪崩能力。这些特性结合在一起,使该MOSFET成为D类音频放大器应用中高效、坚固且可靠的器件。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.85
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      ¥4.07
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  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥5.59
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      ¥2.69
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  • N沟道,200V,50A,40mΩ@10V
    数据手册
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      ¥3.18
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  • 特性:针对高性能开关电源进行优化,例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
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      ¥9.45
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      ¥5.2
  • 有货
  • 特性:N沟道,正常电平。 极低导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。 极低反向恢复电荷(Qrr)。 高雪崩能量额定值。 175℃工作温度。 针对高频开关进行优化。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 根据J-STD-020标准进行MSL 1分类
    • 1+

      ¥17.43
    • 10+

      ¥15
    • 30+

      ¥13.48
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    • 1000+

      ¥10.92
  • 有货
  • BTT6200 - 4ESA是一款200 mΩ四通道智能高端功率开关,采用PG - TSDSO - 24封装,具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6 HV技术集成
    数据手册
    • 1+

      ¥29.63
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      ¥26.7
    • 30+

      ¥24.95
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      ¥22.37
    • 1000+

      ¥22
  • 有货
  • 采用电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管(FET),具有接地参考的CMOS兼容输入,采用智能SIPMOS技术进行单片集成。具备嵌入式保护功能。绿色产品(符合RoHS标准)
    数据手册
    • 1+

      ¥29.73
    • 10+

      ¥26.38
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      ¥22.38
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      ¥21.45
    • 1000+

      ¥21.03
  • 有货
  • 特性:N 通道增强模式。 逻辑电平(额定 4.5V)。 雪崩额定。 根据 AEC Q101 认证。 100% 无铅;符合 RoHS 标准,无卤素
    数据手册
    • 10+

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    • 6000+

      ¥0.264
    • 9000+

      ¥0.2508
  • 有货
  • N沟道,100V,10A,185mΩ@10V
    数据手册
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      ¥2.1052
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      ¥1.16
    • 2000+

      ¥1.0609
    • 4000+

      ¥1.0014
  • 有货
  • N沟道,40V,90A,2.4mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.27
    • 10+

      ¥2.72
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      ¥2.49
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    • 500+

      ¥2.06
    • 1000+

      ¥1.99
  • 有货
  • 特性:N- 沟道,正常电平。 出色的栅极电荷与导通电阻乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 认证,适用于目标应用。 非常适合高频开关和同步整流。 根据 IEC61249-2-21 标准,无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥4.43
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    • 1000+

      ¥2.25
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  • P沟道,-100V,-40A,60mΩ@-10V
    数据手册
    • 1+

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      ¥4.12
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      ¥3.97
    • 1000+

      ¥3.9
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  • N沟道,75V,130A,7.8mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.65
    • 10+

      ¥4.58
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      ¥4.04
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      ¥3.51
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      ¥3.19
    • 1000+

      ¥3.02
  • 有货
  • 这款HEXFET功率MOSFET专为等离子显示屏中的维持、能量回收和通路开关应用而设计。该MOSFET采用了最新的加工技术,以实现单位硅片面积的低导通电阻和低脉冲能量(EpuLsE)额定值。该MOSFET的其他特性包括175°C的工作结温和高重复峰值电流能力
    数据手册
    • 1+

      ¥6.44
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      ¥5.28
    • 30+

      ¥4.65
    • 100+

      ¥3.94
    • 500+

      ¥3.62
    • 800+

      ¥3.48
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  • N沟道,30V,161A,4mΩ@4.5V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.51
    • 10+

      ¥5.3
    • 30+

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    • 100+

      ¥4.1
    • 500+

      ¥3.75
    • 1000+

      ¥3.56
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  • N沟道,60V,210A,3mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.98
    • 10+

      ¥5.71
    • 50+

      ¥4.53
    • 100+

      ¥3.91
    • 350+

      ¥3.53
    • 1050+

      ¥3.34
  • 有货
  • N沟道
    数据手册
    • 1+

      ¥7.92
    • 10+

      ¥6.55
    • 30+

      ¥5.8
    • 100+

      ¥4.95
    • 500+

      ¥4.57
    • 1000+

      ¥4.4
  • 有货
  • N沟道,100V,90A,6.8mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥10.64
    • 10+

      ¥9.25
    • 30+

      ¥8.49
    • 100+

      ¥7.06
    • 500+

      ¥6.68
    • 1000+

      ¥6.5
  • 有货
  • P沟道,30V,100A,3mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥14.32
    • 10+

      ¥12.06
    • 30+

      ¥10.64
    • 100+

      ¥9.19
    • 500+

      ¥8.54
    • 1000+

      ¥8.26
  • 有货
  • 特性:N 通道。增强模式。AEC Q101 合格。MSL1 高达 260℃ 峰值回流。175℃ 工作温度。绿色产品(符合 RoHS)。100% 雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥22.55
    • 10+

      ¥19.66
    • 30+

      ¥17.86
    • 100+

      ¥16.01
    • 500+

      ¥15.17
    • 1000+

      ¥14.81
  • 有货
  • N沟道,40V,3.6A,56mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9786
    • 50+

      ¥0.7744
    • 150+

      ¥0.687
    • 500+

      ¥0.5778
    • 3000+

      ¥0.5292
    • 6000+

      ¥0.5
  • 有货
  • N沟道,55V,4.9A,50mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2775
    • 50+

      ¥1.8827
    • 150+

      ¥1.7136
    • 500+

      ¥1.2504
    • 2500+

      ¥1.1564
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