英飞凌驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRF2807PBF 编号：C2560

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,75V,75A,13mΩ@10V

数据手册

1+
￥3.98
10+
￥3.08
50+
￥2.43
100+
￥1.95
500+
￥1.73
1000+
￥1.6

有货

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型号：IRLML6344TRPBF 编号：C53550

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,5A,29mΩ@4.5V

数据手册

5+
￥1.4271
50+
￥1.1365
150+
￥1.0119
500+
￥0.8565
3000+
￥0.6616
6000+
￥0.62

有货

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型号：IRF7342TRPBF 编号：C41811

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-50V,-3.4A,170mΩ@4.5V

数据手册

1+
￥3.63
10+
￥2.92
30+
￥2.61
100+
￥2.1185 ￥2.23
500+
￥1.729 ￥1.82
1000+
￥1.634 ￥1.72

有货

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型号：BSC028N06NS 编号：C148250

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,60V,100A,2.8mΩ@10V

数据手册

1+
￥5.39
10+
￥4.37
30+
￥3.85
100+
￥3.35
500+
￥3.04
1000+
￥2.88

有货

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型号：IRF7351TRPBF 编号：C68403

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

双N沟道,60V,8A,17.8mΩ@10V

数据手册

1+
￥5.56
10+
￥4.56
30+
￥4.06
100+
￥3.56
500+
￥2.73
1000+
￥2.58

有货

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型号：IPB072N15N3G 编号：C459162

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。适用于高频开关和同步整流。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥6.69
10+
￥5.57
30+
￥4.95
100+
￥4.26
500+
￥3.95
1000+
￥3.81

有货

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型号：IKW20N60T 编号：C10456

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

Vce=600V，Ic=20A，Vce(sat)=1.5V

数据手册

1+
￥8.37
10+
￥7.69
30+
￥5.75
90+
￥5.0635 ￥5.33
510+
￥4.8925 ￥5.15
990+
￥4.807 ￥5.06

有货

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型号：BTS6163D 编号：C534821

封装：TO-252-4

品牌：Infineon(英飞凌)

采用电荷泵、电流控制输入和带负载电流检测的诊断反馈的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），集成于智能SIPMOS芯片堆叠技术中，具备嵌入式保护功能。

数据手册

1+
￥18.12
10+
￥15.22
30+
￥13.4
100+
￥11.55
500+
￥10.71
1000+
￥10.34

有货

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型号：BTS50055-1TMA 编号：C112643

封装：TO-220-7

品牌：Infineon(英飞凌)

采用电荷泵、电流控制输入和带负载电流检测的诊断反馈的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），集成于智能SIPMOS芯片上芯片技术中，具备嵌入式保护功能。

数据手册

1+
￥28.25
10+
￥24.11
30+
￥21.66
100+
￥19.17
500+
￥18.02
1000+
￥17.5

有货

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型号：BGS12P2L6E6327 编号：C3312945

封装：XFDFN-6(0.7X1.1)

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款通用射频MOS功率开关，设计用于覆盖从0.05到6 GHz的广泛高功率应用，主要用于GSM、WCDMA和LTE手机的发射路径。芯片集成了片上CMOS逻辑，由简单的单引脚CMOS或TTL兼容控制输入信号驱动。与GaAs技术不同，仅当外部施加直流电压时，才需要在RF端口使用外部直流隔直电容。采用英飞凌专利的MOS技术制造，兼具GaAs的性能以及传统CMOS的经济性和集成性，包括固有的更高ESD鲁棒性。尺寸非常小，仅为0.7×1.1 mm²，最大高度为0.31 mm。

5+
￥1.7983
50+
￥1.3967
150+
￥1.2246
500+
￥0.989702 ￥1.0099
2500+
￥0.896014 ￥0.9143
5000+
￥0.839762 ￥0.8569

有货

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型号：IRFR9120NTRPBF 编号：C3019

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-100V,-6.6A,480mΩ@-10V

数据手册

5+
￥2.0321
50+
￥1.6089
150+
￥1.4275
500+
￥1.141045 ￥1.2011
2000+
￥1.04538 ￥1.1004
4000+
￥0.987905 ￥1.0399

有货

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型号：IRLL024NTRPBF 编号：C148138

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 55V 3.1A

数据手册

1+
￥2.67
10+
￥2.14
30+
￥1.91
100+
￥1.539 ￥1.62
500+
￥1.3015 ￥1.37
1000+
￥1.235 ￥1.3

有货

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型号：IRF5305PBF 编号：C2623

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-55V,-31A,60mΩ@-10V

数据手册

1+
￥3.84
10+
￥3.16
50+
￥2.42
100+
￥1.976 ￥2.08
500+
￥1.786 ￥1.88
1000+
￥1.691 ￥1.78

有货

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型号：BSC010N04LS 编号：C501508

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：优化用于同步整流。极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道，逻辑电平。符合JEDEC标准，适用于目标应用。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤素。由于扩大了源极互连，具有更高的焊点可靠性

数据手册

1+
￥4.11
10+
￥3.34
30+
￥2.95
100+
￥2.432 ￥2.56
500+
￥2.2135 ￥2.33
1000+
￥2.0995 ￥2.21

有货

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型号：IRF5210PBF 编号：C2621

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-100V,-40A,60mΩ@-10V

数据手册

1+
￥5.17
10+
￥4.64
50+
￥4.35
100+
￥4.02
500+
￥3.87
1000+
￥3.8

有货

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型号：BSC016N06NS 编号：C454269

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对同步整流进行优化。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚电镀，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤。由于扩大了源极互连，具有更高的焊点可靠性

数据手册

1+
￥6.12
10+
￥4.97
30+
￥4.4
100+
￥3.6385 ￥3.83
500+
￥3.3155 ￥3.49
1000+
￥3.154 ￥3.32

有货

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型号：BSC160N10NS3G 编号：C148261

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,8.8A,16mΩ@10V

数据手册

1+
￥6.87
10+
￥5.66
30+
￥5.05
100+
￥4.2275 ￥4.45
500+
￥3.496 ￥3.68
1000+
￥3.325 ￥3.5

有货

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型号：IPD068N10N3G 编号：C88066

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,90A,6.8mΩ@10V

数据手册

1+
￥6.9
10+
￥5.82
30+
￥5.23
100+
￥4.12
500+
￥3.82
1000+
￥3.69

有货

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型号：IRFP4868PBF 编号：C415700

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 坚固性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥14.6
10+
￥12.55
25+
￥10.68
75+
￥9.36
525+
￥8.77
975+
￥8.51

有货

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型号：MA5332MSXUMA1 编号：C4991423

封装：IQFN-42

品牌：Infineon(英飞凌)

MA5332MS在无需散热片的情况下，提供与单片方案相同或更高的输出功率，且占位面积减小50%。这种多芯片模块（MCM）解决方案集成了2通道PWM控制器、高压栅极驱动器和4个低RDS(ON) MOSFET。与前代产品IR43x2M一样，它具备标准的D类保护功能，可在各种环境条件下可靠运行。作为对1R43x2M和其他单片解决方案的有力升级，MA5332MS采用7x7 mm PG-IQFN-42封装，具有占位面积小、功率密度高和无需散热片运行的优势。

1+
￥30.88
10+
￥26.22
30+
￥23.37
100+
￥20.99

有货

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型号：IPW65R041CFD 编号：C528753

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的坚固性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

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