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首页 > 热门关键词 > 英飞凌驱动芯片
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是一款小型化数字气压传感器,防水、防尘、防潮。具有高精度和低电流消耗的特点,能够测量压力和温度。压力传感器元件基于电容感应原理,可在温度变化时保证高精度。小尺寸封装使其适用于移动应用和可穿戴设备,且因其坚固性可在恶劣环境中使用。内部信号处理器将压力和温度传感器元件的输出转换为24位结果。每个单元都经过单独校准,校准系数存储在校准寄存器中,用于将测量结果转换为高精度的压力和温度值。结果FIFO最多可存储32个测量结果,可降低主处理器的轮询率。传感器测量值和校准系数可通过串行I²C或SPI接口获取,测量状态通过SDO引脚上的状态位或中断指示。
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  • 1+

    ¥20.8
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    ¥17.78
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    ¥15.98
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    ¥12.65
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    ¥12.27
  • 有货
  • N沟道,40V,85A,2.4mΩ@10V
    数据手册
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      ¥1.7776
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      ¥1.567
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      ¥1.3043
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      ¥1.1873
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      ¥1.117
  • 有货
  • 特性:N- 沟道,正常电平。 出色的栅极电荷与导通电阻乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 认证,适用于目标应用。 非常适合高频开关和同步整流。 根据 IEC61249-2-21 标准,无卤
    数据手册
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      ¥4.42
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      ¥2.1375 ¥2.25
  • 有货
  • 特性:N- 沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 极低的反向恢复电荷(Qrr)。 150℃工作温度。 无铅负载电镀,符合 R_D / R_S 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流
    数据手册
    • 1+

      ¥6.93
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      ¥6.05
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      ¥5.22
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      ¥4.6
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      ¥4.35
    • 1000+

      ¥4.22
  • 有货
  • N 通道垂直功率 FET 与电荷泵、电流控制输入和带负载电流检测的诊断反馈集成在智能 SIPMOS 芯片上芯片技术中,提供嵌入式保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥34.08
    • 10+

      ¥29.37
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      ¥24.13
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      ¥21.3
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      ¥19.99
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      ¥19.4
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  • N沟道,60V,2.7A,92mΩ@10V
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      ¥0.8507
    • 50+

      ¥0.6966
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      ¥0.6196
    • 500+

      ¥0.550564 ¥0.5618
    • 3000+

      ¥0.404152 ¥0.4124
    • 6000+

      ¥0.381514 ¥0.3893
  • 有货
  • 特性:非常低的栅极电荷,适用于高频应用。 针对直流-直流转换进行优化。 N 沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 150℃工作温度。 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥4.1
    • 10+

      ¥3.33
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      ¥2.94
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      ¥2.432 ¥2.56
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      ¥2.2135 ¥2.33
    • 1000+

      ¥2.0995 ¥2.21
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  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥5.65
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      ¥4.7
    • 30+

      ¥4.22
    • 100+

      ¥3.5625 ¥3.75
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      ¥2.85 ¥3
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      ¥2.7075 ¥2.85
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  • 特性:短路耐受时间:10μs。适用于1200V应用的第二代TrenchStop技术,提供非常紧密的参数分布。高耐用性,温度稳定性能。由于VCE(sat)的正温度系数,易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷。应用:变频器。不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥19.09
    • 10+

      ¥16.39
    • 30+

      ¥13.72
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      ¥12.09
    • 480+

      ¥11.34
    • 960+

      ¥11
  • 有货
  • 特性:N沟道增强模式。逻辑电平(额定4.5V)。雪崩额定。根据AEC Q101标准认证。100%无铅;符合RoHS标准。根据IEC61249 2 21标准无卤
    数据手册
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      ¥0.6795
    • 50+

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      ¥0.4769
    • 500+

      ¥0.364136 ¥0.3958
    • 3000+

      ¥0.326876 ¥0.3553
    • 6000+

      ¥0.3082 ¥0.335
  • 有货
  • 特性:P沟道增强模式。 逻辑电平(额定4.5V)。 ESD保护。 根据AEC Q101标准认证。 100%无铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6854
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      ¥0.5429
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      ¥0.4182
    • 3000+

      ¥0.3324
    • 6000+

      ¥0.311
  • 有货
  • N沟道,200V,5A,600mΩ@10V
    数据手册
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    • 50+

      ¥1.4168
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      ¥1.2647
    • 500+

      ¥0.888535 ¥0.9353
    • 2000+

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      ¥0.76 ¥0.8
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  • P沟道,-100V,-14A,200mΩ@-10V
    数据手册
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      ¥1.7915
    • 50+

      ¥1.407
    • 150+

      ¥1.2422
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      ¥0.984675 ¥1.0365
    • 2000+

      ¥0.89775 ¥0.945
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      ¥0.8455 ¥0.89
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  • N沟道,55V,4.9A,50mΩ@10V
    数据手册
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      ¥1.073215 ¥1.1297
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      ¥0.983725 ¥1.0355
    • 4000+

      ¥0.929955 ¥0.9789
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  • N 通道垂直功率 FET,采用智能功率技术,通过嵌入式保护功能实现全面保护。是一款采用智能功率技术 (SPT) 的单片功率开关,具有逻辑电平输入、漏极开路 DMOS 输出级和集成保护功能,专为汽车和工业应用中的各种电阻性和电感性负载(继电器、螺线管)而设计。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.37
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      ¥5.19
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      ¥4
    • 500+

      ¥3.22
    • 1000+

      ¥3.04
  • 有货
  • 特性:N沟道,针对FOMoss进行优化。 极低导通电阻,可在175℃工作温度下使用。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 按照JEDC11标准进行认证,适用于目标应用。 非常适合高频开关和同步整流
    数据手册
    • 1+

      ¥13.64
    • 10+

      ¥11.81
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      ¥7.961 ¥8.38
    • 500+

      ¥7.4575 ¥7.85
    • 1000+

      ¥7.239 ¥7.62
  • 有货
  • N沟道
    数据手册
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      ¥0.5018
    • 100+

      ¥0.4048
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      ¥0.3564
    • 3000+

      ¥0.246905 ¥0.2599
    • 6000+

      ¥0.21926 ¥0.2308
    • 9000+

      ¥0.20539 ¥0.2162
  • 有货
  • N沟道,100V,1.6A,220mΩ@10V
    数据手册
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      ¥0.7695
    • 50+

      ¥0.6257
    • 150+

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    • 500+

      ¥0.47481 ¥0.4998
    • 3000+

      ¥0.371355 ¥0.3909
    • 6000+

      ¥0.350835 ¥0.3693
  • 有货
  • 这是一款硅低势垒N型器件,片上集成保护环用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容,使其适合在高达12 GHz频率的应用中用于混频器和探测器功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.81
    • 10+

      ¥2.21
    • 30+

      ¥1.96
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      ¥1.64
    • 500+

      ¥1.42
    • 1000+

      ¥1.34
  • 有货
  • P沟道,-100V,-13A,-205mΩ@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.17
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      ¥2.56
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      ¥2.3
    • 100+

      ¥1.8715 ¥1.97
    • 500+

      ¥1.482 ¥1.56
    • 1000+

      ¥1.3965 ¥1.47
  • 有货
  • 特性:针对同步整流进行优化。 极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 出色的热阻。 N沟道,逻辑电平。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 由于扩大了源极互连,具有更高的焊点可靠性
    数据手册
    • 1+

      ¥3.69
    • 10+

      ¥2.98
    • 30+

      ¥2.68
    • 100+

      ¥2.185 ¥2.3
    • 500+

      ¥1.7765 ¥1.87
    • 1000+

      ¥1.6815 ¥1.77
  • 有货
  • N沟道,100V,97A,9mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.79
    • 10+

      ¥3.89
    • 50+

      ¥3.02
    • 100+

      ¥2.5186 ¥2.57
    • 500+

      ¥2.2638 ¥2.31
    • 1200+

      ¥2.1266 ¥2.17
  • 有货
  • BTT6030 - 2ERA是一款导通电阻为32 mΩ的双通道智能高端功率开关,采用PG - TDSO - 14外露焊盘封装,具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6技术集成
    数据手册
    • 1+

      ¥18.75
    • 10+

      ¥15.86
    • 30+

      ¥14.05
    • 100+

      ¥12.2
    • 500+

      ¥11.37
    • 1000+

      ¥11
  • 有货
  • 40A1200V 英飞凌IGBT,广泛应用于电磁炉,电机,电焊机行业。
    数据手册
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      ¥18.9
    • 10+

      ¥16.39
    • 30+

      ¥13.05
    • 90+

      ¥11.45
    • 480+

      ¥10.72
    • 960+

      ¥10.41
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  • P沟道,-30V,-3A,98mΩ@-10V
    数据手册
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      ¥0.7692
    • 50+

      ¥0.6112
    • 150+

      ¥0.5322
    • 500+

      ¥0.44935 ¥0.473
    • 3000+

      ¥0.40432 ¥0.4256
    • 6000+

      ¥0.381805 ¥0.4019
  • 有货
  • N沟道,30V,18A,4.8mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0743
    • 50+

      ¥1.6374
    • 150+

      ¥1.4501
    • 500+

      ¥1.155675 ¥1.2165
    • 2500+

      ¥1.056875 ¥1.1125
    • 4000+

      ¥0.997595 ¥1.0501
  • 有货
  • N沟道,100V,17A,90mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.3073
    • 50+

      ¥1.7953
    • 150+

      ¥1.5919
    • 500+

      ¥1.27129 ¥1.3382
    • 2000+

      ¥1.16394 ¥1.2252
    • 5000+

      ¥1.09953 ¥1.1574
  • 有货
  • N沟道,80V,100A,5.7mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.24
    • 10+

      ¥3.5
    • 30+

      ¥3.13
    • 100+

      ¥2.622 ¥2.76
    • 500+

      ¥2.147 ¥2.26
    • 1000+

      ¥2.0425 ¥2.15
  • 有货
  • BTT6050 - 2ERA是一款导通电阻为50 mΩ的双通道智能高端功率开关,采用PG - TDSO - 14露焊盘封装,具备保护功能和诊断功能。功率晶体管由一个带电荷泵的N沟道垂直功率MOSFET构成。该器件采用Smart6 HV技术集成
    • 1+

      ¥17.07
    • 10+

      ¥14.4
    • 30+

      ¥12.73
    • 100+

      ¥11.01
    • 500+

      ¥10.24
    • 1000+

      ¥9.9
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  • 英飞凌智能高边开关
    数据手册
    • 1+

      ¥20.49
    • 10+

      ¥17.62
    • 30+

      ¥15.83
    • 100+

      ¥12.69
    • 500+

      ¥11.86
    • 1000+

      ¥11.5
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