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首页 > 热门关键词 > 英飞凌驱动芯片
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英飞凌智能高边开关 5.5~40V 90毫欧 4通道 可并联
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      ¥1.0942
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  • N沟道,100V,9.4A,210mΩ@10V
    数据手册
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      ¥0.746172 ¥0.7614
    • 4000+

      ¥0.7007 ¥0.715
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  • N沟道,100V,180A,4.5mΩ@10V
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      ¥2.68
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      ¥2.31
    • 600+

      ¥2.19
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  • N沟道,200V,30A,75mΩ@10V
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      ¥2.3085 ¥2.43
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  • N沟道,200V,30A,75mΩ@10V
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      ¥2.156 ¥2.2
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  • N沟道,150V,171A,5.9mΩ@10V
    数据手册
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      ¥7.4005 ¥7.79
    • 500+

      ¥7.0015 ¥7.37
    • 1000+

      ¥6.84 ¥7.2
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  • N沟道,55V,17A,75mΩ@10V
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    • 500+

      ¥0.744212 ¥0.7594
    • 2000+

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    • 4000+

      ¥0.68649 ¥0.7005
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    • 100+

      ¥2.6
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    • 800+

      ¥2.41
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  • N沟道,100V,290A,2.6mΩ@10V
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    • 1000+

      ¥5.46
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  • 采用巨磁电阻的角度传感器
    数据手册
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      ¥14.09
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    • 500+

      ¥8.18
    • 1000+

      ¥7.99
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  • N沟道,240V,110mA,14Ω@10V
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    • 50+

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    • 150+

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    • 500+

      ¥0.274204 ¥0.2798
    • 3000+

      ¥0.245196 ¥0.2502
    • 6000+

      ¥0.230692 ¥0.2354
  • 有货
  • N沟道,55V,49A,17.5mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

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      ¥1.222
    • 150+

      ¥1.0374
    • 500+

      ¥0.8726
    • 2500+

      ¥0.8273
    • 5000+

      ¥0.8002
  • 有货
  • N沟道,100V,33A,44mΩ@10V
    数据手册
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      ¥4.41
    • 10+

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    • 30+

      ¥3.14
    • 100+

      ¥2.7
    • 500+

      ¥2.57
    • 800+

      ¥2.48
  • 有货
  • 采用智能SIPMOS技术单片集成的、带电荷泵和电流控制输入的N沟道垂直功率MOSFET。具备嵌入式保护功能。
    数据手册
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    • 10+

      ¥3.99
    • 30+

      ¥3.49
    • 100+

      ¥2.94 ¥3
    • 500+

      ¥2.646 ¥2.7
    • 1000+

      ¥2.499 ¥2.55
  • 有货
  • N沟道,最大电流6.3A@VGS=4.5V,VDS=20V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6919
    • 50+

      ¥0.5407
    • 150+

      ¥0.4651
    • 500+

      ¥0.4084
    • 3000+

      ¥0.363
    • 6000+

      ¥0.3403
  • 有货
  • P沟道,55V ,11A,175mΩ
    数据手册
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      ¥1.4285
    • 50+

      ¥1.1146
    • 150+

      ¥0.9614
    • 500+

      ¥0.8247
    • 2000+

      ¥0.7283
    • 4000+

      ¥0.7058
  • 有货
  • N沟道,40V,90A,2.4mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.58
    • 10+

      ¥2.04
    • 30+

      ¥1.8
    • 100+

      ¥1.4345 ¥1.51
    • 500+

      ¥1.311 ¥1.38
    • 1000+

      ¥1.235 ¥1.3
  • 有货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 坚固性。 完全表征的电容和雪崩 SOA。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅,符合 RoHS 标准。应用:半桥和全桥拓扑。 同步整流应用
    数据手册
    • 1+

      ¥6.01
    • 10+

      ¥5.01
    • 30+

      ¥4.51
    • 100+

      ¥3.8095 ¥4.01
    • 500+

      ¥2.85 ¥3
    • 1000+

      ¥2.7075 ¥2.85
  • 有货
  • N沟道,200V,65A,25mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥10.64
    • 10+

      ¥9.1
    • 25+

      ¥8.13
    • 100+

      ¥6.783 ¥7.14
    • 500+

      ¥6.365 ¥6.7
    • 1000+

      ¥6.175 ¥6.5
  • 有货
  • 特性:P沟道增强模式。 雪崩额定。 逻辑电平。 dV/dt额定。 无铅引脚电镀,符合RoHS标准。 根据AEC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 5+

      ¥0.497
    • 50+

      ¥0.3906
    • 150+

      ¥0.3374
    • 500+

      ¥0.2975
    • 3000+

      ¥0.2656
    • 6000+

      ¥0.2496
  • 有货
  • 特性:4.5V VGS时极低的RDS(on)。 超低栅极阻抗。 完全表征的雪崩电压和电流。 无铅。 符合RoHS标准。应用:计算机处理器电源的高频同步降压转换器。 电信和工业用带同步整流的高频隔离式DC-DC转换器
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9476
    • 50+

      ¥0.7395
    • 150+

      ¥0.6503
    • 500+

      ¥0.52822 ¥0.539
    • 2000+

      ¥0.479612 ¥0.4894
    • 4000+

      ¥0.450506 ¥0.4597
  • 有货
  • N沟道,75V,80A,9mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.82
    • 10+

      ¥3.27
    • 30+

      ¥2.88
    • 100+

      ¥2.4225 ¥2.55
    • 500+

      ¥1.8335 ¥1.93
    • 1000+

      ¥1.767 ¥1.86
  • 有货
  • 汽车级智能高边开关(带诊断功能)
    数据手册
    • 1+

      ¥10.23
    • 10+

      ¥8.87
    • 30+

      ¥7.91
    • 100+

      ¥7.03
    • 500+

      ¥6.63
    • 1000+

      ¥6.46
  • 有货
  • N沟道,30V,5.3A,27mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6886
    • 50+

      ¥0.547
    • 150+

      ¥0.4762
    • 500+

      ¥0.401945 ¥0.4231
    • 3000+

      ¥0.36157 ¥0.3806
    • 6000+

      ¥0.341335 ¥0.3593
  • 有货
  • IRS2092是一款带有PWM调制器和保护功能的高压、高性能D类音频放大器驱动器。结合两个外部MOSFET和少量外部元件,可实现一个完整的带保护功能的D类音频放大器。国际整流器公司(International Rectifier)的专有噪声隔离技术使大电流栅极驱动级和高速低噪声误差放大器能够集成在一块小型单硅芯片上
    数据手册
    • 1+

      ¥7.39
    • 10+

      ¥6.13
    • 30+

      ¥5.44
    • 100+

      ¥4.66
    • 500+

      ¥4.31
    • 1000+

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