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首页 > 热门关键词 > 英飞凌驱动芯片
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N沟道,55V,49A,17.5mΩ@10V
数据手册
  • 5+

    ¥1.8003
  • 50+

    ¥1.3011
  • 150+

    ¥1.1168
  • 500+

    ¥0.9523
  • 2500+

    ¥0.9072
  • 5000+

    ¥0.88
  • 有货
  • 采用巨磁电阻的角度传感器
    数据手册
    • 1+

      ¥15.16
    • 10+

      ¥13.51
    • 30+

      ¥12.34
    • 100+

      ¥9.69
    • 500+

      ¥9.2
    • 1000+

      ¥9
  • 有货
  • N沟道,75V,80A,9mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.33
    • 10+

      ¥1.81
    • 50+

      ¥1.51
    • 100+

      ¥1.28
    • 500+

      ¥1.22
    • 1000+

      ¥1.18
  • 有货
  • N沟道,200V,30A,75mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.54
    • 10+

      ¥4.83
    • 25+

      ¥3.52
    • 100+

      ¥3.11
    • 400+

      ¥2.98
    • 800+

      ¥2.9
  • 有货
  • P沟道,-55V,-74A,20mΩ@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.44
    • 10+

      ¥2.87
    • 50+

      ¥2.55
    • 100+

      ¥2.22
    • 500+

      ¥2.12
    • 1000+

      ¥2.05
  • 有货
  • 特性:非常低的栅极电荷,适用于高频应用。 针对直流-直流转换进行优化。 N 沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 150℃工作温度。 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥4.2
    • 10+

      ¥3.55
    • 30+

      ¥3.09
    • 100+

      ¥2.71
    • 500+

      ¥2.59
    • 1000+

      ¥2.51
  • 有货
  • N沟道,200V,65A,19.7mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.5
    • 10+

      ¥4.82
    • 50+

      ¥4
    • 100+

      ¥3.61
    • 500+

      ¥3.48
    • 1000+

      ¥3.4
  • 有货
  • N沟道,200V,50A,40mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.39
    • 10+

      ¥5.45
    • 25+

      ¥4.28
    • 100+

      ¥3.73
    • 350+

      ¥3.56
    • 1050+

      ¥3.45
  • 有货
  • N沟道,100V,17A,90mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0242
    • 50+

      ¥1.5352
    • 150+

      ¥1.3141
    • 500+

      ¥1.1168
    • 2000+

      ¥1.0626
    • 5000+

      ¥1.03
  • 有货
  • 特性:针对高性能开关电源(SMPS)进行优化,例如同步整流。 100%经过雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道,逻辑电平。 无铅镀锡,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准,无卤
    数据手册
    • 1+

      ¥3.99
    • 10+

      ¥3.37
    • 30+

      ¥2.94
    • 100+

      ¥2.58
    • 500+

      ¥2.47
    • 1000+

      ¥2.4
  • 有货
  • N沟道,60V,100A,2.8mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.19
    • 10+

      ¥5.42
    • 30+

      ¥4.68
    • 100+

      ¥4.14
    • 500+

      ¥3.92
    • 1000+

      ¥3.8
  • 有货
  • N沟道,200V,30A,75mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥4.52
    • 10+

      ¥3.88
    • 25+

      ¥3.11
    • 100+

      ¥2.74
    • 400+

      ¥2.62
    • 800+

      ¥2.55
  • 有货
  • IRS2092是一款带有PWM调制器和保护功能的高压、高性能D类音频放大器驱动器。结合两个外部MOSFET和少量外部元件,可实现一个完整的带保护功能的D类音频放大器。国际整流器公司(International Rectifier)的专有噪声隔离技术使大电流栅极驱动级和高速低噪声误差放大器能够集成在一块小型单硅芯片上
    数据手册
    • 1+

      ¥8.24
    • 10+

      ¥6.98
    • 30+

      ¥6.29
    • 100+

      ¥5.51
    • 500+

      ¥5.16
    • 1000+

      ¥5
  • 有货
  • N沟道,200V,65A,25mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥10.81
    • 10+

      ¥9.21
    • 25+

      ¥8.2
    • 100+

      ¥7.17
    • 500+

      ¥6.71
    • 1000+

      ¥6.5
  • 有货
  • N沟道,55V,17A,75mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5337
    • 50+

      ¥1.1774
    • 150+

      ¥1.0034
    • 500+

      ¥0.8483
    • 2000+

      ¥0.8056
    • 4000+

      ¥0.78
  • 有货
  • N沟道,100V,9.4A,210mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7017
    • 50+

      ¥1.3394
    • 150+

      ¥1.1625
    • 500+

      ¥0.8894
    • 2000+

      ¥0.8461
    • 4000+

      ¥0.82
  • 有货
  • P沟道,-30V,-10A,20mΩ@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.51
    • 10+

      ¥1.99
    • 30+

      ¥1.73
    • 100+

      ¥1.51
    • 500+

      ¥1.44
    • 1000+

      ¥1.4
  • 有货
  • 采用智能SIPMOS技术单片集成的、带电荷泵和电流控制输入的N沟道垂直功率MOSFET。具备嵌入式保护功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.72
    • 10+

      ¥4.65
    • 30+

      ¥4.12
    • 100+

      ¥3.59
    • 500+

      ¥3.27
    • 1000+

      ¥3.1
  • 有货
  • IRS20957S是一款高压、高速MOSFET驱动器,具有浮动PWM输入,专为D类音频放大器应用而设计。双向电流检测可在正负载电流和负负载电流期间检测过流情况,无需任何外部分流电阻。内置保护控制模块针对过流情况提供安全的保护序列和可编程复位定时器。内部死区时间生成模块可实现精确的栅极开关和最佳死区时间设置,以获得更好的音频性能,如更低的总谐波失真(THD)和更低的音频本底噪声。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.84
    • 10+

      ¥10.18
    • 30+

      ¥9.14
    • 100+

      ¥7.1
    • 500+

      ¥6.61
    • 1000+

      ¥6.4
  • 有货
  • N沟道,150V,171A,5.9mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥13.03
    • 10+

      ¥11.66
    • 25+

      ¥9.71
    • 100+

      ¥8.83
    • 500+

      ¥8.42
    • 1000+

      ¥8.25
  • 有货
  • N沟道,最大电流6.3A@VGS=4.5V,VDS=20V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8115
    • 50+

      ¥0.6542
    • 150+

      ¥0.5756
    • 500+

      ¥0.5166
    • 3000+

      ¥0.4694
    • 6000+

      ¥0.4458
  • 有货
  • 这是一款硅低势垒N型器件,片上集成保护环用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容,使其适合在高达12 GHz频率的应用中用于混频器和探测器功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.05
    • 10+

      ¥2.44
    • 30+

      ¥2.18
    • 100+

      ¥1.85
    • 500+

      ¥1.63
    • 1000+

      ¥1.54
  • 有货
  • N沟道,Vdss=100V,Ic=42A
    数据手册
    • 1+

      ¥4.54
    • 10+

      ¥3.86
    • 25+

      ¥3.21
    • 100+

      ¥2.81
    • 400+

      ¥2.68
    • 800+

      ¥2.6
  • 有货
  • 角度传感器
    数据手册
    • 1+

      ¥12.82
    • 10+

      ¥10.88
    • 30+

      ¥9.66
    • 100+

      ¥8.41
    • 500+

      ¥7.85
    • 1000+

      ¥7.6
  • 有货
  • 特性:短路耐受时间:10μs。适用于1200V应用的第二代TrenchStop技术,提供非常紧密的参数分布。高耐用性,温度稳定性能。由于VCE(sat)的正温度系数,易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷。应用:变频器。不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥18.27
    • 10+

      ¥15.54
    • 30+

      ¥12.88
    • 90+

      ¥11.14
    • 480+

      ¥10.35
    • 960+

      ¥10.01
  • 有货
  • N沟道,30V,1.2A,250mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.2856
    • 50+

      ¥1.0231
    • 150+

      ¥0.9105
    • 500+

      ¥0.7701
    • 3000+

      ¥0.7076
    • 6000+

      ¥0.6701
  • 有货
  • 特性:P沟道增强模式。 逻辑电平(额定4.5V)。 ESD保护。 根据AEC Q101标准认证。 100%无铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    数据手册
    • 5+

      ¥1.4681
    • 50+

      ¥1.2142
    • 150+

      ¥1.1054
    • 500+

      ¥0.9697
    • 3000+

      ¥0.8363
    • 6000+

      ¥0.8
  • 有货
  • N沟道,20V,4.2A,45mΩ@4.5V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.6082
    • 10+

      ¥2.1796
    • 30+

      ¥1.996
    • 100+

      ¥1.7668
    • 500+

      ¥1.6648
    • 1000+

      ¥1.1
  • 有货
  • N沟道,150V,104A,11mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.34
    • 10+

      ¥5.27
    • 30+

      ¥4.73
    • 100+

      ¥3.39
    • 500+

      ¥3.07
    • 1000+

      ¥2.9
  • 有货
  • 特性:N沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积(FOM)。 极低的导通电阻RDS(on)。 175℃工作温度。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 适用于高频开关和同步整流。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥7.37
    • 10+

      ¥6.26
    • 30+

      ¥5.64
    • 100+

      ¥4.95
    • 500+

      ¥4.64
    • 1000+

      ¥4.5
  • 有货
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