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  • 是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相关联的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术,具有出色的耐用性和抗噪性,能够在VS引脚负电压高达 -11 VDC(VCC = 15V)的瞬态电压下保持逻辑运行。器件中不存在任何寄生晶闸管结构,因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT,其工作电压高达650V。
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  • 是一种高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V。保护电路检测被驱动功率晶体管中的过电流并终止栅极驱动电压。提供开漏FAULT信号以指示发生过电流关断。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端或低端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT,工作电压高达600V。
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  • 高电压、高速功率 MOSFET驱动和IGBT驱动
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      ¥19.705677
    2ED2103S06F是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具备独立的高端和低端参考输出通道。它具有出色的耐用性和抗干扰能力,在VS引脚(VCC = 15 V)承受高达 -11 V DC的负电压瞬态时,仍能维持工作逻辑。该器件不存在任何寄生晶闸管结构,因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象
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  • TLE 8444SL是一款受保护的四半桥集成电路,主要面向汽车和工业运动控制应用。它是基于智能混合技术SPT的单片芯片,该技术将双极和CMOS控制电路与DMOS功率器件相结合。直流电机可在正转(顺时针)、反转(逆时针)、制动和高阻抗模式下驱动,而步进电机可在无电流、负/正输出电流模式下驱动。通过该器件与微控制器的标准并行接口,可轻松实现这些不同的模式。PG-SSOP-24-7封装具有节省PCB板空间和成本的优势。集成的短路和过温保护,以及内置的诊断功能(如过压和欠压锁定、开路负载检测),提高了系统的可靠性和性能。
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      ¥4.48
    IRS21091是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V
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      ¥2.5312
    IR2111(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动芯片,具有独立的高端和低端参考输出通道,专为半桥应用而设计。其采用专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁 CMOS 技术,实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容
    数据手册
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      ¥49.116896
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      ¥42.375362
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      ¥39.004594
    TLE94003EP是一款受保护的三重半桥驱动器,专为汽车运动控制应用(如侧视镜x-y调节)而设计。它是一个更大产品系列的一部分,该系列提供从三输出到十二输出的半桥驱动器,具备直接接口或SPI接口。半桥驱动器旨在以顺序或并行模式驱动直流电机负载
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      ¥8.814
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      ¥7.5936
    IRS2183/IRS21834是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专有的HVIC和闩锁免疫CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出,低至3路。
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    600V,半桥式驱动器,门驱动供应电压范围:10V to 20V
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  • 半桥驱动
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    • 1000+

      ¥14.196303
    是一款高功率、高速功率MOSFET驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.0V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。传播延迟匹配,便于在高频应用中使用。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达200伏的N沟道功率MOSFET。专有HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。
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  • 是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术,具有出色的耐用性和抗噪能力,能够在VS引脚上高达 -11 VDC的负电压瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构,因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT,工作电压高达650 V。
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  • IR2112(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的高压集成电路(HVIC)和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。
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