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    是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术,具有出色的耐用性和抗噪能力,能够在VS引脚上高达 -11 VDC的负电压瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构,因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT,工作电压高达650 V。
    数据手册
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  • 2EDL803x 旨在以半桥配置驱动高端和低端 MOSFET。浮动高端驱动器能够驱动工作在最高 120 V 自举电压下的高端 MOSFET。版本 4 具备完整的 4 A 电流驱动能力,而版本 3 具备 3 A 电流驱动能力
    • 1+

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  • 高电压、高速功率 MOSFET驱动和IGBT驱动
    数据手册
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    IR2112(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利的高压集成电路(HVIC)和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。
    数据手册
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  • MOS管驱动器芯片
    数据手册
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    • 500+

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    2ED2181(4)S06F(J)是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具备独立的高端和低端参考输出通道。该器件稳定性出色、抗噪能力强,在VS引脚(VCC = 15 V)承受高达 -11 VDC的负电压瞬态时,仍能维持工作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构,因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象
    • 1+

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    • 30+

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