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  • 600V,高低侧驱动IC,门驱动供应电压范围:10V to 20V
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  • IRMCF171 是一款基于高性能闪存的运动控制 IC,主要为家电应用而设计。IRMCF171 旨在为先进的变频家电电机控制提供低成本、高性能的控制解决方案。IRMCF171 包含两个集成在单芯片上的计算引擎
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  • 是一款多功能系统IC,在散热焊盘PG-VQFN-48功率封装中集成了电源、通信接口、多个半桥和支持功能。该器件专为各种汽车电机控制应用而设计。为支持这些应用,直流电机系统IC提供了主要功能,如5V低压差稳压器、一个支持CAN FD和CAN部分网络(包括FD容错模式)的HS-CAN收发器、四个用于直流电机控制的半桥,以及一个32位串行外设接口(SPI)。该器件包括诊断和监控功能,如漏源监控和开路负载检测、短路保护、可配置超时和窗口看门狗、故障安全输出以及过温保护。
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    TLE9562QX是一款多功能系统IC,采用外露焊盘PG-VQFN-48功率封装,集成了电源、通信接口、多个半桥及支持功能。该器件专为各种汽车电机控制应用而设计。为支持这些应用,直流电机系统IC提供了主要功能,如一个5 V低压差稳压器、一个支持CAN FD的HS-CAN收发器、一个LIN收发器、四个用于直流电机控制的半桥,以及一个32位串行外设接口(SPI)。该器件具备诊断和监控功能,如漏源极监测和开路负载检测、短路保护、可配置超时和窗口看门狗、故障安全输出,以及过温保护。
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    1EDCxxI12MH 是采用 PG-DSO-8-59 封装的单通道 IGBT 驱动器,具有电气隔离功能,可提供高达 3 A 的输出电流,并集成了具有相同电流额定值的有源米勒钳位电路,以防止寄生导通。其输入逻辑引脚的输入电压范围宽,为 3 V 至 15 V,采用按比例缩放的 CMOS 阈值电平,甚至可支持 3.3 V 的微控制器。
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  • IR2110/IR2113是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V
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  • 600V,高低侧驱动IC,门驱动供应电压范围:10V to 20V
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  • IR2117/IR2118(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 输出兼容
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  • IR2106(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具备独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闭锁 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3V
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  • IR2086S(PbF)是一款自振荡全桥控制器及驱动器IC,占空比为50%,非常适合用于36V - 75V全桥直流母线转换器。死区时间可通过合理选择CT来控制,范围为50至200纳秒。内部软启动功能在上电时增加脉冲宽度,并在整个启动周期内保持高低端输出的脉冲宽度相等
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  • IR2010是一款高功率、高电压、高速的功率MOSFET和IGBT驱动器,具备独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,最低可支持3.0V逻辑。
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  • IRS2334是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有三个独立的高端和低端参考输出通道,适用于三相应用。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3 V。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。传播延迟经过匹配,便于在高频应用中使用。浮动通道可用于在高端配置中驱动耐压高达600 V的N沟道功率MOSFET或IGBT。
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  • 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有三个独立的高端和低端参考输出通道,适用于三相应用。专有的 HVIC 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容 CMOS 或 LSTTL 输出,逻辑电压低至2.5V。独立的运算放大器通过外部电流检测电阻提供桥电流的模拟反馈。该电阻还可以提供电流跳闸功能,用于终止所有六个输出。关断功能可用于终止所有六个输出。提供开漏故障信号,用于指示发生过流或欠压关断。故障状态可通过 FLT-CLR 引脚清除。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大限度地降低驱动器交叉传导。
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