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首页 > 热门关键词 > BPS驱动芯片
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符合条件商品:共10398
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操作
单相驱动,带SD功能 半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片,带上下电保护、欠压保护。
  • 1+

    ¥3.9525 ¥4.65
  • 10+

    ¥3.859 ¥4.54
  • 30+

    ¥3.791 ¥4.46
  • 100+

    ¥3.7315 ¥4.39
  • 有货
  • DC双向马达驱动芯片,采用SOP8封装,具备最大输出电流6A,工作电压3.0-30V,超低导通电阻,静态电流1UA,具有过热保护,短路保护,过流保护及紧急停止功能等。因其卓越的性能,被广泛应用于机器人、无人机、智能家居设备、电动工具、个人移动设备、玩具及各种自动化控制系统中的直流电机驱动。
    • 1+

      ¥3.9615 ¥4.17
    • 10+

      ¥3.1825 ¥3.35
    • 30+

      ¥2.793 ¥2.94
    • 100+

      ¥2.413 ¥2.54
    • 500+

      ¥2.1755 ¥2.29
    • 1000+

      ¥2.0615 ¥2.17
  • 有货
  • 独立的H桥驱动,驱动一个直流电机、步进电机的一个绕组或者其它负载;3.6-A 峰值电流驱动能力;集成电流调节功能;低功耗休眠模式;VM欠压锁定;过流保护 (OCP)-过流重启: SS8870T;热关断 (TSD);故障自恢复;底部散热盘ETSSOP8封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥4
    • 10+

      ¥3.23
    • 30+

      ¥2.84
    • 100+

      ¥2.46
    • 500+

      ¥1.94
    • 1000+

      ¥1.82
  • 有货
  • 此款DC双向马达驱动芯片,采用SOP8封装,最大输出电流5A,工作电压3.0-18V,超低导通电阻,静态电流1UA,具有过热保护,短路保护,过流保护及紧急停止功能,能够满足大多数小型到中型直流电机的驱动需求等,可应用于电动玩具、安防设备、家用电器等产品中,驱动直流电机正转和反转,因其高效能和稳定性,特别适合于需要精确控制电机运动的应用场景。
    • 1+

      ¥4.009 ¥4.22
    • 10+

      ¥3.23 ¥3.4
    • 30+

      ¥2.8405 ¥2.99
    • 100+

      ¥2.451 ¥2.58
    • 500+

      ¥2.2135 ¥2.33
    • 1000+

      ¥2.0995 ¥2.21
  • 有货
  • 此款DC双向马达驱动芯片,采用SOP8封装,最大输出电流5A,工作电压3.0-18V,超低导通电阻,静态电流1UA,具有过热保护,短路保护,过流保护及紧急停止功能,能够满足大多数小型到中型直流电机的驱动需求等,可应用于电动玩具、安防设备、家用电器等产品中,驱动直流电机正转和反转,因其高效能和稳定性,特别适合于需要精确控制电机运动的应用场景。
    • 1+

      ¥4.009 ¥4.22
    • 10+

      ¥3.23 ¥3.4
    • 30+

      ¥2.8405 ¥2.99
    • 100+

      ¥2.451 ¥2.58
    • 500+

      ¥2.2135 ¥2.33
    • 1000+

      ¥2.0995 ¥2.21
  • 有货
    • 1+

      ¥4.21
    • 10+

      ¥3.35
    • 30+

      ¥2.92
    • 100+

      ¥2.5
    • 500+

      ¥2.24
  • 有货
  • IRS2308S是一款高压、高速功率 MOSFET 高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。
    • 1+

      ¥4.28
    • 10+

      ¥3.41
    • 30+

      ¥2.98
    • 100+

      ¥2.55
  • 有货
  • ZXGD3105N8同步控制器专为驱动MOSFET作为理想整流器而设计。此举旨在取代二极管,以提高功率传输效率。比例栅极驱动控制会监测MOSFET的反向电压,这样一来,一旦发生体二极管导通,就会向MOSFET的栅极引脚施加正电压
    数据手册
    • 1+

      ¥4.365 ¥4.85
    • 10+

      ¥3.24 ¥4.05
    • 30+

      ¥2.555 ¥3.65
    • 100+

      ¥2.282 ¥3.26
    • 500+

      ¥2.114 ¥3.02
    • 1000+

      ¥2.03 ¥2.9
  • 有货
    • 1+

      ¥4.465 ¥4.7
    • 10+

      ¥3.6195 ¥3.81
    • 30+

      ¥3.192 ¥3.36
    • 100+

      ¥2.774 ¥2.92
    • 500+

      ¥2.5175 ¥2.65
    • 1000+

      ¥2.394 ¥2.52
  • 有货
  • MC33151PG-HX/MC34151PG-HX是高耐用MOSFET驱动器,电流峰值1.5A,工作电压4.5~18V,快速开关(<40ns),支持反向电流500mA和5V噪声,适用于MOSFET、压电执行器、同轴线和时钟线驱动
    • 1+

      ¥4.5 ¥5
    • 10+

      ¥3.645 ¥4.05
    • 50+

      ¥3.213 ¥3.57
    • 100+

      ¥2.79 ¥3.1
    • 500+

      ¥2.538 ¥2.82
    • 1000+

      ¥2.403 ¥2.67
  • 有货
  • IR2113PBF-HX是一款高压高速MOSFET/IGBT驱动器,具独立高低端输出,支持3.3V逻辑输入,高边驱动可达600V,延时匹配适用于高频应用
    • 1+

      ¥4.5 ¥5
    • 10+

      ¥3.645 ¥4.05
    • 25+

      ¥3.213 ¥3.57
    • 100+

      ¥2.79 ¥3.1
    • 500+

      ¥2.538 ¥2.82
    • 1000+

      ¥2.403 ¥2.67
  • 有货
  • L293 是大电流,半步四相电机驱动器,双向驱动电流可达 600mA ,使用电压为4.5V-36V,用作驱动感性负载的继电器,螺线圈,直流双极性步进电机,以及大电流,大电压感性负载在正电源方面的应用。 每个输入均与TTL 兼容。每个输出由一个达林顿管和一个伪达林顿管构成消除交越失真的互补输出级,达林顿管用于拉电流,伪达林顿管用于灌电流。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.55
    • 10+

      ¥3.69
    • 30+

      ¥3.25
    • 100+

      ¥2.83
    • 500+

      ¥2.45
  • 有货
  • FAN7392N 700V 4A 半桥式功率 MOSFET/IGBT 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动 芯片,采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成
    • 1+

      ¥4.55
    • 10+

      ¥3.68
    • 25+

      ¥3.25
    • 100+

      ¥2.82
    • 500+

      ¥2.56
    • 1000+

      ¥2.43
  • 有货
  • IRS20752是一款具有200V阻断和电平转换能力的单通道高端栅极驱动IC。这使得该栅极驱动器可直接连接到高端功率MOSFET的栅极,同时由低端接地电位电路进行控制。IRS20752具备较宽的 $\mathsf{V}_{\mathsf{CC}}$ 电源电压范围、欠压锁定(UVLO)保护功能,并且在恶劣的dv/dt或V}_{\mathrm{S}}$ 开关环境下具有出色的抗干扰能力
    数据手册
    • 1+

      ¥4.56
    • 10+

      ¥3.65
    • 30+

      ¥3.2
    • 100+

      ¥2.74
    • 500+

      ¥2.47
  • 有货
  • DRV8428 具有集成电流检测功能和 1/256 微步进的 35V、1A 双极步进电机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥4.75
    • 10+

      ¥3.8
    • 30+

      ¥3.33
    • 100+

      ¥2.86
  • 有货
  • 高压、高速功率高低侧驱动芯片,带上下电保护、欠压保护。
    • 1+

      ¥4.833 ¥5.37
    • 10+

      ¥3.861 ¥4.29
    • 30+

      ¥3.375 ¥3.75
    • 100+

      ¥2.898 ¥3.22
    • 500+

      ¥2.61 ¥2.9
    • 1000+

      ¥2.457 ¥2.73
  • 有货
  • DRV8320 最大 65V 三相智能栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥4.95
    • 10+

      ¥4.49
    • 30+

      ¥4.24
    • 100+

      ¥3.57
  • 有货
  • 6A,4.5V-25V,单通道,反相,高速低功耗MOSFET低边驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.06
    • 10+

      ¥4.01
    • 30+

      ¥3.49
    • 100+

      ¥2.97
    • 500+

      ¥2.66
    • 1000+

      ¥2.5
  • 有货
  • 是一款坚固的N沟道MOSFET驱动器,最大开关节点(HS)额定电压为100V。它允许在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个N沟道MOSFET。其3A的峰值源电流和灌电流以及低上拉和下拉电阻,使该驱动器能够在MOSFET米勒平台过渡期间以最小的开关损耗驱动大功率MOSFET。由于输入与电源电压无关,可与模拟和数字控制器配合使用
    • 单价:

      ¥5.09 / 个
  • 有货
  • TPS28225 具有 4V UVLO、用于同步整流的 4A、27V 半桥栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.23
    • 10+

      ¥4.2
    • 30+

      ¥3.68
    • 100+

      ¥3.16
  • 有货
  • 内部集成了高低侧欠压锁定电路、过压钳位电路等保护电路
    • 1+

      ¥5.304 ¥6.24
    • 10+

      ¥4.386 ¥5.16
    • 30+

      ¥3.8845 ¥4.57
    • 100+

      ¥3.315 ¥3.9
    • 500+

      ¥3.06 ¥3.6
    • 1000+

      ¥2.9495 ¥3.47
  • 有货
  • M81740FP是高压、高速功率MOSFET/IGBT高低侧驱动系列芯片,具有单输入信号同时控制两个传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路、和防直通锁定电路等保护电路,具备大电流脉冲输出能力,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平,输出电流能力最大可达4A,其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFET/IGBT等器件。
    • 1+

      ¥5.37
    • 10+

      ¥4.29
    • 30+

      ¥3.75
    • 100+

      ¥3.22
  • 有货
  • UCC27516 和UCC27517 单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。UCC27516 和UCC27517 采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(典型值为13ns)。 当 VDD = 12V 时,UCC27516 和UCC27517 可提供峰值为4A 的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.65
    • 10+

      ¥4.51
    • 30+

      ¥3.94
    • 100+

      ¥3.37
  • 有货
  • RZ7889-MSK是DC双向直流马达驱动芯片,采用DIP-8封装,最大输出电流5A,工作电压3.0-18V,超低导通电阻,静态电流1UA,具有过热保护,短路保护,过流保护及紧急停止功能,能够满足大多数小型到中型直流电机的驱动需求等,可应用于电动玩具、安防设备、家用电器等产品中,驱动直流电机正转和反转,因其高效能和稳定性,特别适合于需要精确控制电机运动的应用场景。
    • 1+

      ¥5.68
    • 10+

      ¥4.6
    • 50+

      ¥4.06
    • 100+

      ¥3.52
  • 有货
  • IR2127S是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路,当检测到过流状态时,关断芯片输出,同时,一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET,浮地通道最高工作电压可达250V。采用SOIC8封装,可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。
    • 1+

      ¥5.699 ¥6.95
    • 10+

      ¥4.6658 ¥5.69
    • 30+

      ¥4.1 ¥5
    • 100+

      ¥3.4604 ¥4.22
    • 500+

      ¥3.1734 ¥3.87
    • 1000+

      ¥3.0422 ¥3.71
  • 有货
  • DRV8701 47V H 桥智能栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.75
    • 10+

      ¥4.63
    • 30+

      ¥4.07
    • 250+

      ¥3.27
  • 有货
  • DRV8212 具有自动睡眠模式的 12V、4A H 桥电机驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥5.88
    • 10+

      ¥5.21
    • 30+

      ¥4.59
  • 有货
  • VOD3120A由一个砷铝化镓(AlGaAs)发光二极管(LED)与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这款光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。输出级较宽的工作电压范围可提供栅极控制型器件所需的驱动电压
    数据手册
    • 1+

      ¥5.92
    • 10+

      ¥5.36
    • 30+

      ¥5.05
    • 100+

      ¥4.71
    • 500+

      ¥4.03
  • 有货
  • 三相正弦无感应器,无功率级、40V、外置MOS、BLDC、即插即用、FOC控制算法
    • 1+

      ¥5.98
    • 10+

      ¥4.84
    • 30+

      ¥4.27
    • 100+

      ¥3.71
    • 500+

      ¥3.37
    • 1000+

      ¥3.2
  • 有货
  • FAN73711 一种单片高压侧门极驱动集成电路,可以驱动最高在 +600 V 下运行的高速 MOSFET 和 IGBT。它拥有缓冲输出级,所有 NMOS 晶体管都针对高脉冲电流驱动能力和最小交叉导通而设计。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路针对 VBS=15 V 提供了最高 VS=-9.8 V(典型值)的高压侧门极驱动器运行。当 VBS 低于指定的阈值电压时,UVLO 电路将防止故障运行。高电流和低输出电压降低特性使得此器件适用于等离子显示面板、电机驱动逆变器、开关电源、大功率 DC-DC 转换器应用中的维持和能量回收电路开关驱动器。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.105 ¥8.14
    • 10+

      ¥4.329 ¥6.66
    • 30+

      ¥3.2175 ¥5.85
    • 100+

      ¥2.717 ¥4.94
    • 500+

      ¥2.4915 ¥4.53
    • 1000+

      ¥2.3925 ¥4.35
  • 有货
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