BPS驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-220-5

高速栅极驱动器特别适合驱动最新的功率MOSFET和IGBT。输出可提供和吸收30A的峰值电流，同时产生小于20ns的电压上升和下降时间。内部电路消除了交叉传导和电流“直通”，驱动器几乎不受闭锁影响。欠压锁定 (UVLO) 电路使输出保持低电平，直到施加足够的电源电压（IXD_630版本为12.5V，IXD_630M版本为9V）。低传播延迟和快速匹配的上升和下降时间使该系列非常适合非常高频率和高功率应用。IXDD630配置为带使能的同相驱动器。IXDN630配置为同相驱动器，IXDI630配置为反相驱动器。该系列采用5引脚TO-220 (CI) 和5引脚TO-263 (YI) 封装。

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1+
￥59.07
10+
￥50.88
50+
￥45.89
100+
￥41.7

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型号：DRV8245HQPWPRQ1 编号：C7172541

封装：HTSSOP-28

品牌：TI(德州仪器)

DRV8245-Q1 具有集成电流检测和反馈功能的汽车类 40V、32A H 桥驱动器

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￥41.81
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￥35.65
30+
￥31.89

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型号：POWERSTEP01TR 编号：C2653554

封装：VFQFPN-89(11x14)

品牌：ST(意法半导体)

系统级封装集成了微步控制器和10 A功率MOSFET

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1+
￥42.84
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￥36.84
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￥33.19
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￥30.12

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型号：QP12W08S-37 编号：C115812

封装：SIP-13

品牌：MORNSUN(金升阳)

GP12W08s 37 是一款集成混合式 IGBT 驱动器，内置隔离式 DC - DC 转换器。该器件是一个完全隔离的栅极驱动电路，由一个经过优化的隔离式栅极驱动放大器和一个隔离式 DC - DC 转换器组成。栅极驱动器基于去饱和检测和故障输出提供故障保护功能

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1+
￥65.54
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￥56.32
60+
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型号：GR6208D 编号：C18164463

封装：SOP-8

品牌：GR(国睿)

电机驱动芯片通用版本 GR6208D 是一款的双向马达驱动芯片，可驱动马达正转、反转、停止，可用于IR-Cut驱动，用来控制红外线滤光片的切换。GR6208D具有耐压高、待机功耗低的特点，可广泛应用于无线摄像设备和安防监控系统中。

20+
￥0.2204
200+
￥0.1724
600+
￥0.1484
4000+
￥0.1304
8000+
￥0.116
20000+
￥0.1088

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型号：BDR6118 编号：C53055896

封装：SOP-8

品牌：巴丁微

是一款直流电机控制的驱动芯片，具有宽工作电压范围，2V~7V。应用领域：2-4 节干电池供电电机驱动、单节锂电池供电的电机驱动、遥控玩具飞机尾翼电机驱动、遥控玩具飞机舵机电机驱动领域等。

10+
￥0.2926
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￥0.2326
300+
￥0.2026
1000+
￥0.1801

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型号：LKS520 编号：C2798403

封装：SOP-8

品牌：LINKOSEMI(凌鸥创芯)

LKS520 是一款用于驱动MOS/IGBT 栅极的集成电路，芯片有高侧驱动输出和低侧驱动输出两组，可同时驱动两个MOS/IGBT 器件，其中高侧器件通过浮动管脚实现电压抬升，最高耐压达 +600V 。输入信号可兼容CMOS 和LSTTL 电平。

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单价：
￥0.4253 / 个

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型号：FM TC6803S 编号：C22396981

封装：SSOP-24

品牌：FM(富满)

8 通道达林顿管+1 组正反转驱动芯片

5+
￥0.6232
50+
￥0.5472
150+
￥0.5092
500+
￥0.4807
2500+
￥0.4579

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型号：U3115D 编号：C41374690

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U3115D/U3116D可在高达+350V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通

5+
￥0.7561
50+
￥0.5977
150+
￥0.5185
500+
￥0.4591

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型号：NSG531 编号：C46473174

封装：SOT-23-5

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG531是一款通用的功率开关控制器，可以替代由分立元件组成的推挽电路，可以直接驱动IGBT，功率MOSFET，继电器等功率开关。SOT23-5封装，简单小巧。

5+
￥0.762185 ￥0.8023
50+
￥0.59413 ￥0.6254
150+
￥0.510055 ￥0.5369
500+
￥0.446975 ￥0.4705
3000+
￥0.39653 ￥0.4174
6000+
￥0.371355 ￥0.3909

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型号：PAM8016AKR 编号：C581340

封装：UFLGA-9

品牌：DIODES(美台)

PAM8016是一款触觉驱动器，具有低延迟、高效率和更强驱动能力的特点，能够驱动线性谐振致动器（LRA）和偏心旋转质量块（ERM）触觉元件，这些元件常用于便携式市场的触觉反馈。PAM8016支持差分、单端或PWM输入等灵活输入方式，方便主微控制器驱动触觉元件。PAM8016采用无滤波器架构设计，无需外部输出滤波器，所需外部元件更少，PCB面积更小，系统成本更低，并且简化了应用设计

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5+
￥0.99331 ￥1.1686
50+
￥0.7719 ￥1.0292
150+
￥0.63011 ￥0.9694
500+
￥0.581685 ￥0.8949
3000+
￥0.560105 ￥0.8617
6000+
￥0.547105 ￥0.8417

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型号：GR2823M 编号：C18164466

封装：SOP-16

品牌：GR(国睿)

电机驱动芯片专用步进电机驱动集成芯片，内置数据转换模块、高耐压大电流驱动模块和输出钳。

5+
￥1.0773
50+
￥0.9408
150+
￥0.8823
500+
￥0.8093
2500+
￥0.7768
5000+
￥0.7573

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型号：HT7K1201 编号：C182041

封装：SOT-23-6

品牌：HOLTEK(合泰/盛群)

直流电机驱动应用简单无外围电路

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5+
￥1.0784
50+
￥0.8359
150+
￥0.732
500+
￥0.6024

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型号：EG3035 编号：C48580030

封装：SOP-16

品牌：EG(屹晶微)

EG3035是一款高性价比三相PMOS、NMOS管栅极驱动专用芯片，内部集成了LDO、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、输出驱动电路，用于电机控制器、电源的驱动电路。

5+
￥1.0828
50+
￥0.856
150+
￥0.7588
500+
￥0.6375

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型号：SS8837T-DF-TP 编号：C5370897

封装：DFN2x2-8L

品牌：LEADPOWER(率能)

SS8837T 为摄像机、消费类产品、玩具和其它低电压或者电池供电的运动控制类应用提供了一个集成的电机驱动器解决方案。此器件能够驱动一个直流电机或诸如螺线管的器件。其导通电阻：高侧 + 低侧 (HS + LS) 260mΩ。

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5+
￥1.1
50+
￥0.8581
150+
￥0.7544
500+
￥0.625
3000+
￥0.5674

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型号：BDR6122F-S 编号：C22364943

封装：SOP-8

品牌：巴丁微

是一款直流电机驱动芯片,应用领域：仪表、阀门、智能锁、机器人等领域。

5+
￥1.2437
50+
￥0.9766
150+
￥0.8621
500+
￥0.7193

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型号：EG1416 编号：C5346625

封装：SOT23-5

品牌：EG(屹晶微)

低册单通道驱动芯片 EG1416单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。电源电压范围宽4V~20V，静态功耗小于1uA。

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5+
￥1.2508
50+
￥0.9786
150+
￥0.862
500+
￥0.7164

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型号：GC8837 编号：C16197213

封装：DFN-8

品牌：SX(芯麦)

GC8837 是一款 12V 直流电机驱动芯片，可工作在 0~12V 的电源电压上，提供1.5A的持续输出电流，兼容3.3V，5V逻辑输入，封装采用2*2mm的DFN8。具有 PWM（IN/IN）输入接口,与行业标准器件兼容，并具有过温保护与输出短路保护，欠压保护，过流保护。其H桥导通阻抗为350mΩ，拥有低电流睡眠模式。提供STM32参考例程及原厂技术支持

5+
￥1.2847
50+
￥1.0075
150+
￥0.8887
500+
￥0.7404

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型号：NSG3100C 编号：C41414514

封装：SOT-23-5

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG3100C 4A 栅极驱动器设计为通过在短开关间隔内提供高峰值电流脉冲，驱动低边开关应用驱动中的一个N 沟道增强MOSFET。此驱动器可以提供NSG3100C 输入阈值。内部电路可使输出保持低电平状态，直到电源电压进入工作范围内，从而提供欠压锁定功能。

5+
￥1.38833 ￥1.4614
50+
￥1.09098 ￥1.1484
150+
￥0.96349 ￥1.0142
500+
￥0.804555 ￥0.8469
3000+
￥0.733685 ￥0.7723
6000+
￥0.69122 ￥0.7276

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型号：EG2204 编号：C20416239

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG2204是一款高性价比的带SD功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2204高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽9V~25V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻，SD内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+/-0.5/1.0A，采用SOP8封装。

5+
￥1.3921
50+
￥1.2031
150+
￥1.1221
500+
￥1.0211
2500+
￥0.9761

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型号：EG6388 编号：C20416245

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG6388是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、死区电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG6388高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~25V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10±0.5/0.9A，采用SOP8封装。

5+
￥1.3921
50+
￥1.2031
150+
￥1.1221
500+
￥1.0211
2500+
￥0.9761

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型号：EG27710 编号：C20416243

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG27710是一款高性价比的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG27710高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~25V。该芯片输入通道HIN内建了一个200K下拉电阻，LIN内建了一个200K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/-0.6/1.0A，采用SOP8封装。

5+
￥1.3921
50+
￥1.2031
150+
￥1.1221
500+
￥1.0211

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型号：SiLM27624LCA-DG 编号：C49329025

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。采用固有地最小化直通电流的设计，能够向电容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，提供轨到轨驱动能力和极小的传播延迟，典型值为20ns。在12V VDD电源下，提供5.0A源极、5.0A漏极峰值驱动电流能力。

5+
￥1.6843
50+
￥1.3315
150+
￥1.1803
500+
￥0.9917

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型号：U6310 编号：C41374698

封装：SSOP-24

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

一款耐压为70V的集成三相全桥栅极驱动器，适合于12V，24V和36V的三相电机应用中高速功率MOSFET和IGBT的栅极驱动，同时也集成了12V LDO控制电路和MCU的供电5.0V LDO，简化了整个供电系统。内置比较电路，可用于电流过流检测，简化外围应用电路。内置低侧电源和高侧电源欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。输入脚兼容3.3-5.0V输入逻辑，集成防穿通死区时间为200ns，驱动能力为+1.5A/- 1.8A。集成共模噪声消除技术使得高边驱动器在高dv/dt噪声环境能稳定工作，并且使芯片具有宽范的负瞬态电压忍受能力。

5+
￥1.687
50+
￥1.309
150+
￥1.147
500+
￥0.9448

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型号：SS6209L-SO-TP 编号：C5370900

封装：SOP-8

品牌：LEADPOWER(率能)

最大额定持续电流 4A，峰值 8A。自举式高端驱动器。集成高/低侧 MOSFET。高频操作（最高 1MHz）。PWM 输入兼容 3.3V 和 5V。内部自举二极管。欠电压锁定。热保护关断。自适应防串通保护。

数据手册

5+
￥1.6962
50+
￥1.3182
150+
￥1.1562
500+
￥0.9541
2500+
￥0.8641
4000+
￥0.81

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型号：EG27519 编号：C2987450

封装：SOT-23-5

品牌：EG(屹晶微)

EG27519单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。电源电压范围宽4V~20V，外围器件少。

数据手册

5+
￥1.7004
50+
￥1.3375
150+
￥1.182
500+
￥0.9879

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型号：NSG2065 编号：C41414477

封装：TSSOP-20

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A、集成自举二极管

1+
￥1.7385 ￥1.83
10+
￥1.52 ￥1.6
30+
￥1.425 ￥1.5
100+
￥1.311 ￥1.38
500+
￥1.254 ￥1.32
1000+
￥1.2255 ￥1.29

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型号：SiLM27624MCA-DG 编号：C7419945

封装：SOP8

品牌：Sillumin(数明半导体)

SiLM27624 是一款双通道、高速、低端栅极驱动器，可有效驱动 MOSFET 和 IGBT 功率开关。SiLM27624 采用了从本质上可将直通电流降至最低的设计，能够向容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，具备轨到轨驱动能力，且传播延迟极小，典型值为 20ns。在 12V VDD 电源供电时，SiLM27624 的源极和漏极峰值驱动电流能力均为 5.0A