BPS驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：FAN7380MX-JSM 编号：C17701710

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 FAN7380是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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型号：TMI8837S 编号：C2829091

封装：SOP-8

品牌：TMI(拓尔微)

TMI8837和TMI8837S是低压直流电机驱动IC。内部集成了650mΩ（高侧 + 低侧典型值）H桥NMOS开关，可支持1.8V ~ 11V的输入电压范围。

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型号：TF0215-USQ 编号：C5119562

封装：SOT-23-5L

品牌：TFSS(德律风根)

驱动配置：低边是否隔离：非隔离电源电压：4.5V~18V 峰值灌电流：1.9A 峰值拉电流：1.8A 高速, 低边栅极驱动器, VCC电压范围：4.5V to 18V, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：EG2224 编号：C20416241

封装：SSOP-16

品牌：EG(屹晶微)

EG2224是一款高性价比带两个路比较器功能的全桥驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、SD控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。 EG2224高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽10V~20V，静态功耗低。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道IN1和IN2内建了250K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力I0+/-Δ 0.3/0.6A，采用SSOP24和SSOP16封装。

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型号：COS1416R 编号：C7190315

封装：SOT23-5

品牌：COSINE(科山芯创)

栅极驱动@@1.5A,4.5V-25V,单同相，高速低功耗 MOSFET/IGBT低边驱动器

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型号：EG3112 编号：C111908

封装：SOIC-8

品牌：EG(屹晶微)

600V，IO+1A/-1.5A，大功率MOS管、IGBT管栅极驱动IC

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型号：HTC4427AEOA713 编号：C22449575

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款高性能栅极驱动IC，宽泛的工作电压区间4.5V至25V，搭配2A峰值输出电流能力，为各类电路提供强大驱动力。其-5V的最大输入负压承受能力，提升了系统兼容性和鲁棒性，是实现精密控制与高效能转换的优选组件。

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型号：NSG6021 编号：C53436456

封装：SOP-8

品牌：NCE(无锡新洁能)

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型号：HX4428-P 编号：C19186060

封装：DIP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

双低侧MOSFET驱动器系列采用BiCMOS/DMOS工艺制造，提供高效的功率使用和高可靠性。这些驱动器将来自TTL或CMOS的输入逻辑电平转换为输出电压电平，该输出电压电平可在正电源或地的25mV范围内摆动。该驱动器有三种配置：双反相、双同相以及一个反相加一个同相输出。它们旨在取代其他型号，提供改进的电气性能和耐用性

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型号：SL27524A 编号：C46061829

封装：SOIC-8

品牌：Slkor(萨科微)

是5A双通道、高速、低端栅极驱动器，能够有效且安全地驱动MOSFET和IGBT。低传播延迟和失配以及紧凑的SOIC-8封装使MOSFET能够以数百kHz的频率开关。非常适合服务器和电信电源的同步整流驱动，其中同步MOSFET的死区时间精度直接影响转换器的效率。该驱动器能够将两个通道并联以增加输出驱动电流

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型号：SL27624MS 编号：C20539705

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL27624是一款双通道、高速、低端栅极驱动器，能够有效驱动MOSFET和IGBT功率开关。SL27624采用了从本质上可将直通电流降至最低的设计，能够向容性负载提供和吸收高峰值电流脉冲，具备轨到轨驱动能力，且传播延迟极小，典型值为20ns。在12V VDD电源供电时，SL27624可提供5.0A的源极和5.0A的漏极峰值驱动电流

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型号：EG21867 编号：C20416238

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG21867是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG21867高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽7.7V~20V，静态电流约200μA。输入通道HIN和LIN内建了一个250K下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力10+1-4/4A，采用SOP8封装。

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型号：NCP5106ADR2G-JSM 编号：C44606286

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

NCP5106A是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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型号：SLM7888MD 编号：C785010

封装：TSSOP-20

品牌：Sillumin(数明半导体)

160V三相全桥，互锁，Vo：10-20V，HI1,2,3/LI1,2,3负逻辑，所有通道高低边欠压保护，兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:130/150ns，DT:270ns,MT:40ns，MDT:25ns

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型号：MS2861 编号：C50385418

封装：SOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

MS2861是DC双向直流马达驱动芯片，采用SOP8封装，最大输出电流6A,工作电压3.0-30V,超低导通电阻，静态电流1UA,具有过热保护，短路保护，过流保护及紧急停止功能，能够满足大多数小型到中型直流电机的驱动需求等，可应用于电动玩具、安防设备、家用电器等产品中，驱动直流电机正转和反转，因其高效能和稳定性，特别适合于需要精确控制电机运动的应用场景可替代AM2861。

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型号：MS7888 编号：C50385416

封装：SOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

MS7888是DC双向直流马达驱动芯片，采用SOP8封装，最大输出电流5A,工作电压3.0-18V,超低导通电阻，静态电流1UA,具有过热保护，短路保护，过流保护及紧急停止功能，能够满足大多数小型到中型直流电机的驱动需求等，可应用于电动玩具、安防设备、家用电器等产品中，驱动直流电机正转和反转，因其高效能和稳定性，特别适合于需要精确控制电机运动的应用场景RZ7888。

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型号：NCP3420DR2G 编号：C154600

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP3420 是一款经优化的单相 MOSFET 门极驱动器，适用于驱动同步降压转换器中高压侧和低压侧功率 MOSFET 的门极。高压侧和低压侧驱动器能够驱动一个 3000 pF 负载，传播延迟为 30 ns，转换时间为 20 ns。在较宽的运行电压范围内，可以优化高压侧或低压侧 MOSFET 门极驱动电压，以实现最佳能效。内部自适应非重叠电路通过防止两个 MOSFET 同时导通来减少开关损耗。通过对输出禁用引脚施加低逻辑电平，可以将两个门极输出驱动为低电平。欠压锁定功能可确保当电源电压较低时，两个驱动器输出都为低电平，而高温关断功能可为集成电路提供超温保护。

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型号：L293DNE(MS) 编号：C19632281

封装：DIP-16

品牌：MSKSEMI(美森科)

电机驱动芯片，L293DNE(MS)，逻辑电源电压最高7V;马达驱动，双路全桥驱动，静态电流Iq(Typ)24mA，驱动电流，应用领域：继电器、直流和步进电机和开关电源等领域

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型号：SiLM2661CA-DG 编号：C41433640

封装：SOP-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

SiLM2660/SiLM2661是一款用于电池充放电系统控制的低功耗高端N沟道FET驱动器。高端控制可避免系统中的接地断开，并允许电池组与主机系统之间进行连续通信。SiLM2660具备额外的P沟道FET控制功能，可对深度放电的电池进行低电流预充电，并且它还集成了一个PACK+电压监测器，供主机检测PACK+电压

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型号：HTD8236NESD 编号：C5445020

封装：ESOP-8

品牌：嘉兴禾润

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型号：TC4427VPA-JSM 编号：C20616627

封装：DIP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

带上下电保护、欠压保护 TC4427是功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时，它具有匹配的上升和下降时间。TC4427在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。

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型号：IR25606STRPBF-JSM 编号：C41421795

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动 IR25606S是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

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型号：XJNG2153D 编号：C53190623

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

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型号：MC33151PG-HX 编号：C52191376

封装：DIP-8

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

MC33151PG-HX/MC34151PG-HX是高耐用MOSFET驱动器，电流峰值1.5A，工作电压4.5~18V，快速开关(<40ns)，支持反向电流500mA和5V噪声，适用于MOSFET、压电执行器、同轴线和时钟线驱动

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型号：IR2113PBF-HX 编号：C52191356

封装：DIP-14

品牌：ZHHXDZ(海芯电子)

IR2113PBF-HX是一款高压高速MOSFET/IGBT驱动器，具独立高低端输出，支持3.3V逻辑输入，高边驱动可达600V，延时匹配适用于高频应用

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型号：FAN7392N-MNS 编号：C47967294

封装：DIP-14

品牌：minos(迈诺斯)

FAN7392N 700V 4A 半桥式功率 MOSFET/IGBT 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成

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型号：LTC7001EMSE-JSM 编号：C44606291

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

LTC7001是一款快速、高压侧N沟道MOSFET栅极驱动器，采用高达250V的输入电压工作。该器件可以实现一个负责全面增强外部N沟道MOSFET开关的充电结构，因而使其能够无限期地保持导通。其强大的驱动器能够容易地以非常短的转换时间驱动大的栅极电容，从而使之非常适合高频开关应用或者要求快速接通和/或关断时间的静态开关应用。LTC7001采用SOP-8封装，可以在-40°C至125°C温度范围内工作。

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型号：UCC27423DR 编号：C2677322

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

具有 5V UVLO、使能功能和反相输入的 4A/4A 双通道栅极驱动器 8-SOIC -40 to 105

数据手册

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型号：VPS8703 编号：C2846906

封装：ESOP-8

品牌：VPSC(源特科技)

VPS8703 是一款专门为小体积、低待机功耗的微功率隔离电源而设计的变压器驱动器，其外围只需匹配简单的输入输出滤波电容、隔离变压器和整流电路，即可实现 6.5~30V 输入电压、多种输出电压、输出功率高达 15W 的隔离电源。 VPS8703 内部集成两个 N 沟道功率 MOSFET 和两个 P 沟道功率 MOSFET，并组成桥式连接方式。芯片内部集成振荡器提供一对高精度互补信号，能有效确保两路功率 MOSFET 驱动的高度对称性，避免电路在工作过程发生偏磁。

数据手册

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型号：IRS21281STRPBF-JSM 编号：C41421794

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

IRS21281是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路，当检测到过流状态时，关断芯片输出，同时，一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。

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