BPS驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-220-5

适合驱动最新的MOSFET和IGBT。每个输出可提供和吸收14A的峰值电流，同时产生小于30ns的电压上升和下降时间。内部电路消除了交叉传导和电流“直通”，使驱动器几乎不受闩锁影响。低传播延迟和快速的上升和下降时间使其非常适合高频和高功率应用。有非反相驱动器（带使能）、非反相驱动器和反相驱动器三种配置。有8引脚DIP（PI）、带外露金属背的8引脚Power SOIC（SI）、5引脚TO-220（CI）和5引脚TO-263（YI）封装。

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￥32.71
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型号：DRV8302DCA 编号：C84672

封装：HTSSOP-56-6mm

品牌：TI(德州仪器)

DRV8302 具有降压稳压器和电流分流放大器和硬件接口的最大 65V 三相智能栅极驱动器

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型号：TC4431EOA 编号：C2909520

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4431/TC4432是30V CMOS缓冲器/驱动器，适用于高端驱动应用。在其功率和电压额定值范围内的任何条件下，它们都不会发生闩锁。它们能够承受高达300 mA的反向电流（任意极性）强制回流到其输出端，而不会损坏或出现逻辑混乱。所有引脚均具备高达4 kV的静电放电保护。当输入电源电压降至7V以下时，欠压锁定电路会将输出强制置为“低”状态。若要在较低电压下工作，可将引脚3（LOCK DIS）接地以禁用锁定和启动电路；在其他情况下，引脚3（LOCK DIS）应悬空。在驱动MOSFET时，欠压锁定和启动电路可提供掉电保护。

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型号：DRV8262DDWR 编号：C22427252

封装：HTSSOP-44

品牌：TI(德州仪器)

一款宽电压、高功率H桥电机驱动器，适用于各种工业应用。该器件集成了两个H桥来驱动一个或两个直流电机或一个双极步进电机。在双路H桥模式下支持高达16A的峰值电流，在单路H桥模式下支持高达32A的峰值电流。该器件还集成了电流检测和调节、电流检测输出以及保护电路

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型号：MCZ33810EK 编号：C3192631

封装：SSOP-32-EP-300mil

品牌：NXP(恩智浦)

是一款八通道输出驱动IC，适用于汽车发动机控制应用。该IC由四个集成的低端驱动器和四个低端栅极预驱动器组成。低端驱动器适用于驱动喷油器、电磁阀、灯和继电器。四个栅极预驱动器既可以作为点火IGBT栅极预驱动器，也可以作为通用MOSFET栅极预驱动器。该器件采用SMARTMOS技术供电。当配置为点火IGBT栅极预驱动器时，可启用额外功能，如火花持续时间、导通时间和点火线圈电流检测。当配置为通用栅极预驱动器（GPGD）时，提供外部MOSFET短路保护、电感反激保护和诊断功能。该器件采用32引脚（0.65mm间距）外露焊盘SOIC封装。

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型号：THB6064AH 编号：C19935

封装：HZIP-25-P-1.27mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

42V/4.5A大电流步进电机驱动IC

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型号：LT1336IN#PBF 编号：C663454

封装：PDIP-16

品牌：ADI(亚德诺)

[↑]336 是一款高性价比的半桥 N 沟道功率 MOSFET 驱动器。浮动驱动器可驱动在高达 60V（绝对最大值）的高压（HV）轨上工作的高端 N 沟道功率 MOSFET。在 PWM 操作中，片上开关稳压器即使在接近并以 100%占空比运行时，也能维持自举电容的电荷

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￥87.26
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型号：LMG3422R050RQZR 编号：C5218881

封装：VQFN-54(12x12)

品牌：TI(德州仪器)

LMG3422R050 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 50mΩ GaN FET

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￥121.73
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型号：DX2213E 编号：C22364159

封装：ESOP-8

品牌：Dersem(德信创微)

LED驱动高压单路线性输入电压：内置500V MOS管输出电流：可调输出电流精度：±5% 开关调光/调色

10+
￥0.19296 ￥0.2144
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￥0.18819 ￥0.2091
300+
￥0.18504 ￥0.2056
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￥0.1818 ￥0.202

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型号：DX3108E 编号：C22364164

封装：ESOP-8

品牌：Dersem(德信创微)

LED驱动高压单路线性 PF＜0.7 输出电流：外部可调高效无频闪电压补偿满足欧盟ERP

5+
￥0.31293 ￥0.3477
50+
￥0.30519 ￥0.3391
150+
￥0.29997 ￥0.3333
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型号：LKS571 编号：C41355378

封装：SOP-8

品牌：LINKOSEMI(凌鸥创芯)

LKS571 是一款用于驱动MOS/IGBT 栅极的集成电路，芯片有高侧驱动输出和低侧驱动输出两组，可同时驱动两个MOS/IGBT 器件，其中高侧器件通过浮动管脚实现电压抬升，最高耐压达 +250V。输入信号可兼容CMOS 和LSTTL 电平。

单价：
￥0.3389 / 个

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型号：CP118SDTR(XBLW) 编号：C18723578

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

马达驱动直流马达驱动，静态电流Iq(Typ)1uA，驱动电流 Iout1.6A

10+
￥0.4315
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￥0.3403
300+
￥0.2948
3000+
￥0.2606
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￥0.2333
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型号：BDR6121G 编号：C5440775

封装：SOP8

品牌：巴丁微

最大持续输出电流：1.55A(VDD=6.5V) 最大峰值输出电流：3A(VDD=6.5V)

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5+
￥0.4802
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￥0.3746
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￥0.3218

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型号：U2115C 编号：C41374691

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U2115C/U2116C可在高达+200V的电压下完全工作，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可低至3.3V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通

5+
￥0.6186
50+
￥0.489
150+
￥0.4242
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￥0.3756

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型号：BDR6121T 编号：C53055894

封装：SOP-8

品牌：巴丁微

是一款直流电机驱动芯片，具有宽工作电压范围，2.5V~11V。应用领域：电子锁、玩具车、机器人、智能家居领域等。

5+
￥0.6554
50+
￥0.521
150+
￥0.4538
500+
￥0.4034
2500+
￥0.3631
4000+
￥0.3429

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型号：U2115D 编号：C41374692

封装：SOP-8

品牌：UNI-SEMIC(宇力半导体)

U2115D/U2116D可在高达+200V电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备相互独立的高端和低端参考输出通道。其逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，可低至3.3V逻辑电平。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计，可将驱动器的交叉导通降至最低

5+
￥0.6644
50+
￥0.5252
150+
￥0.4556
500+
￥0.4034
2500+
￥0.3617

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型号：G2022 编号：C41414475

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V N+N半桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流：1.2/1.5A

5+
￥0.69331 ￥0.7298
50+
￥0.54644 ￥0.5752
150+
￥0.473005 ￥0.4979
500+
￥0.417905 ￥0.4399
2500+
￥0.37392 ￥0.3936
4000+
￥0.35188 ￥0.3704

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型号：TC2466A 编号：C2887477

封装：SOP-8

品牌：FM(富满)

TC2466A 为相机、消费类产品、玩具及其他需要低压或电池供电运动控制的应用提供集成式电机驱动器。TC2466E 可提供高达 1.8A 的直流输出电流。

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5+
￥0.7166
50+
￥0.624
150+
￥0.5844
500+
￥0.5349
2500+
￥0.4954

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型号：NSG0462U 编号：C6274824

封装：SOP-16-150mil

品牌：WXNSIC(国硅集成)

NSG0462U是一款三相高速功率MOSFET驱动器，具有6个通道，最高工作电压可达40V。

5+
￥0.81415 ￥0.857
50+
￥0.711075 ￥0.7485
150+
￥0.666805 ￥0.7019
500+
￥0.61161 ￥0.6438
2500+
￥0.5871 ￥0.618
4000+
￥0.572375 ￥0.6025

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型号：NSG2005 编号：C7421054

封装：SOIC-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流：0.29/0.6A、集成自举二极管（60ohm）

5+
￥0.81453 ￥0.8574
50+
￥0.71136 ￥0.7488
150+
￥0.66709 ￥0.7022
500+
￥0.611895 ￥0.6441
2500+
￥0.587385 ￥0.6183
4000+
￥0.572565 ￥0.6027

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型号：DOS27517 编号：C52140037

封装：SOT-23-5

品牌：DOINGTER(杜因特)

单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为13ns）。

5+
￥0.8257
50+
￥0.6577
150+
￥0.5737
500+
￥0.5107

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型号：SLM2009CA-DG 编号：C3001941

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

160V半桥，Vo：10-20V，HI正LI负逻辑,DT:120ns,高低边欠压保护

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5+
￥0.9133
50+
￥0.7117
150+
￥0.6253
500+
￥0.5175

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型号：FD2103S 编号：C5187182

封装：SOP-8

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FD2103C&S是一款半桥栅极驱动电路芯片，设计用于高压、高速驱动N型功率MOSFET。

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5+
￥1.0125
50+
￥0.7678
150+
￥0.6454

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型号：NSG2003 编号：C41414480

封装：SOP-8

品牌：WXNSIC(国硅集成)

250V N+N半桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流：0.29/0.6A、集成自举二极管（60ohm）

5+
￥1.15368 ￥1.2144
50+
￥0.905825 ￥0.9535
150+
￥0.79971 ￥0.8418
500+
￥0.667185 ￥0.7023
2500+
￥0.60819 ￥0.6402
4000+
￥0.572755 ￥0.6029

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型号：EG2302 编号：C5346626

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

待SD半桥驱动芯片 EG2302是一款高性价比的带SD功能的MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源DC-DC中的驱动电路。 EG2302高端的工作电压可达600V，低端VCC的电源电压范围宽5V~25V。该芯片输入通道IN内建了一个200K下拉电阻，SD内建了一个500K上拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态，输出电流能力IO + /-0.3/0.6A，采用SOP8封装。

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5+
￥1.1825
50+
￥1.0313
150+
￥0.9665
500+
￥0.8856

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型号：EG3014S 编号：C7501754

封装：SOP-8

品牌：EG(屹晶微)

EG3014S 是一款高性价比的大功率MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG3014S 高端的工作电压可达80V，Vcc 的电源电压范围宽4.5V~30V，静态功耗低仅4.5mA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN 和LIN 内建了一个10K 下拉电阻，在输入悬空时使上、下功率MOS 管处于关闭状态，输出结构采用半桥式达林顿管结构，采用SOP8 封装。

5+
￥1.2429
50+
￥0.9707
150+
￥0.8541
500+
￥0.7085

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型号：GC8837 编号：C16197213

封装：DFN-8

品牌：SX(芯麦)

GC8837 是一款 12V 直流电机驱动芯片，可工作在 0~12V 的电源电压上，提供1.5A的持续输出电流，兼容3.3V，5V逻辑输入，封装采用2*2mm的DFN8。具有 PWM（IN/IN）输入接口,与行业标准器件兼容，并具有过温保护与输出短路保护，欠压保护，过流保护。其H桥导通阻抗为350mΩ，拥有低电流睡眠模式。提供STM32参考例程及原厂技术支持