BPS驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：L298N(MS) 编号：C19632282

封装：ZIP-15

品牌：MSKSEMI(美森科)

电机驱动芯片，L298N(MS)，；逻辑电源电压最高7V，马达驱动，双全桥驱动，静态电流Iq(Typ)10mA，总直流电流最高：4A：应用领域：继电器、直流和步进电机和开关电源等领域

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￥9.67
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￥8.05
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￥5.5

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型号：DRV8876RGTR 编号：C1852100

封装：VFQFN-16-EP(3x3)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8876 具有集成电流检测和电流检测反馈功能的 40V、3.5A H 桥电机驱动器

数据手册

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￥6.17
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￥5.04
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￥4.47
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型号：LTC7001IMSE-JSM 编号：C44606290

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

LTC7001是一款快速、高压侧N沟道MOSFET栅极驱动器，采用高达250V的输入电压工作。该器件可以实现一个负责全面增强外部N沟道MOSFET开关的充电结构，因而使其能够无限期地保持导通。其强大的驱动器能够容易地以非常短的转换时间驱动大的栅极电容，从而使之非常适合高频开关应用或者要求快速接通和/或关断时间的静态开关应用。LTC7001采用SOP-8封装，可以在-40°C至125°C温度范围内工作。

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￥6.2
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￥5.12
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￥4.53
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型号：FAN7392MX-MNS 编号：C47967295

封装：SOP-16-300mil

品牌：minos(迈诺斯)

FAN7392MX 700V 4A 半桥式功率 MOSFET/IGBT 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片，采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。

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￥6.2605 ￥6.59
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￥3.344 ￥3.52

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型号：MC33035MW/TR-HG 编号：C53155527

封装：SOP-24W

品牌：HGSEMI(华冠)

Brushless DC Motor Controller

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￥6.41
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￥4.73
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￥4.06
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￥3.76

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型号：TF0579U-NHP 编号：C22375958

封装：TDFN-10(3x3)

品牌：TFSS(德律风根)

100V, 单相, 内置自举二极管高低边栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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￥6.426 ￥7.14
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￥5.823 ￥6.47
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￥4.869 ￥5.41

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型号：FAN7385MX-JSM 编号：C19673773

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

750V，双通道高侧驱动器电机驱动

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￥6.632 ￥8.29
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￥6.128 ￥7.66
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￥4.696 ￥5.87
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￥4.544 ￥5.68
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￥4.48 ￥5.6

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型号：MC33152VDR2G 编号：C233740

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MC34152/MC33152 是双路非逆向高速驱动器，专门设计用于需要低电流数字信号以高压摆率驱动大电容负载的应用。这些器件具有低输入电流因此可兼容 CMOS/LSTTL 逻辑，输入迟滞实现快速输出开关而不受输入转换时间影响，还有两路高电流图腾柱输出，极其适用于驱动功率 MOSFET。另外还包括带有迟滞的欠压锁定，以防系统在低电源电压下错误运行。典型应用包括开关电源、DC-DC 转换器、电容电荷泵倍压器/逆变器和电机控制器。此器件采用双列直插和表面贴装封装。

数据手册

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￥6.64
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￥5.95
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￥5.14
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型号：LM5109AMAX/NOPB 编号：C129332

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5109A 具有 8V UVLO 的 1A、100V 半桥栅极驱动器

数据手册

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￥7.19
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￥6.08
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￥5.46
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￥4.77
500+
￥4.18

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型号：NSD1624-DSPR 编号：C5290345

封装：SOP-8_150mil

品牌：NOVOSENSE(纳芯微)

NSD1624是一款高压高低侧栅极驱动器，能够提供4A的灌电流和拉电流，以驱动功率MOSFET或IGBT。高端部分采用创新且成熟的隔离技术，设计可承受超过1200V的直流电压。NSD1624具备同类产品中最佳的传播延迟、低静态电流，以及SW引脚具有高负向和dv/dt抗扰度

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￥7.49
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￥5.91
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￥5.13
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￥4.35
500+
￥3.88
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￥3.64

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型号：DRV8833CPWPR 编号：C191171

封装：TSSOP-16-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8833C 具有电流调节功能的 10.8V、1A、双路 H 桥电机驱动器

数据手册

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￥7.54
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￥6.25
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￥5.6
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￥4.96
500+
￥3.88

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型号：UCC27282DRMR 编号：C6902719

封装：VSON-8(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27282是一款坚固耐用的N沟道MOSFET驱动器，其开关节点（HS）的最大额定电压为100 V。它允许以半桥或同步降压配置为基础的拓扑结构来控制两个N沟道MOSFET。其3 A的峰值源电流和灌电流，以及低上拉和下拉电阻，使得UCC27282能够在MOSFET米勒平台转换期间以最小的开关损耗驱动大功率MOSFET

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￥8.63
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￥7.71
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￥6.84

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型号：UCC27614DSGR 编号：C4154867

封装：WSON-8-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

单通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET、IGBT、SiC和GaN电源开关。典型峰值驱动强度为10A，有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。短传播延迟可改善系统的死区优化、控制环路响应，提高脉宽利用率和瞬态性能，从而提高功率级效率。可以在输入端处理－10V的电压，通过平缓的接地弹跳提高系统稳健性

数据手册

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￥8.78
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￥7.33
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￥6.53
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￥5.62
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￥5.22

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型号：IRS21844STRPBF-JSM 编号：C7498968

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相。大电流,死区可调,半桥式栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

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￥9.1675 ￥9.65
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￥7.6285 ￥8.03
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￥6.783 ￥7.14
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￥5.8235 ￥6.13
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￥5.4055 ￥5.69
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￥5.206 ￥5.48

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型号：DRV8702QRHBRQ1 编号：C181608

封装：HVQFN-32-EP(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8702-Q1 汽车类 47V H 桥智能栅极驱动器

数据手册

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￥10.1
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￥8.46
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￥7.56

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型号：1EDI60N12AF 编号：C454268

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：单通道隔离式MOSFET驱动器。输入到输出隔离电压高达1200 V。适用于高压功率MOSFET。轨到轨输出的典型峰值电流高达10 A。独立的源极和漏极输出。电流隔离核心

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￥11.31
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￥9.64
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￥8.59

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型号：NCV7703CD2R2G 编号：C556471

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

NCV7703C 是一款完全受保护的三路半桥驱动器，专为汽车和工业运动控制应用而设计。这三路半桥驱动器具备独立控制功能，可实现高端、低端和 H 桥控制。

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￥12.0714 ￥12.98
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￥9.9185 ￥11.95
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￥8.2563 ￥11.31
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￥7.7745 ￥10.65
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￥7.5555 ￥10.35
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￥7.4606 ￥10.22

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型号：IXDI609SIA 编号：C1549670

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出可提供和吸收9A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于25ns。输入与CMOS兼容，且几乎不会发生闩锁效应

数据手册

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￥12.52
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￥8.07
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型号：1EDB8275FXUMA1 编号：C17236640

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是单通道隔离栅极驱动器IC，用于驱动Si、SiC和GaN功率开关。采用8引脚DSO封装，输入到输出爬电距离为4mm，通过片上无芯变压器（CT）技术实现隔离。具有严格的时序规格，适用于快速开关的中高功率系统。出色的共模抑制、低器件间偏差、快速信号传播和小封装尺寸，使其成为使用光耦合器或脉冲变压器的高端驱动解决方案的优质替代方案。