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封装：SOIC-8

CMOS MOSFET 驱动器坚固、高效且易于使用。能够提供 12A（峰值）输出，可驱动大型 MOSFET，具有改进的安全工作裕度。可接受 2.4V 至 Vs 的任何逻辑输入，无需外部加速电容或电阻网络。专有电路允许输入负向摆动达 5V 而不损坏器件。额外的电路可防止静电放电损坏。可替代三个或更多分立元件，减少 PCB 面积需求，简化产品设计，降低组装成本。采用现代双极/CMOS/DMOS 结构，保证无闭锁现象。CMOS/DMOS 的轨到轨摆动能力确保在电源上下电排序期间为 MOSFET 提供足够的栅极电压。由于这些器件采用自对准工艺制造，它们具有极低的交叉电流，运行凉爽，功耗低，易于驱动。

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型号：TF2117-3AS 编号：C6387924

封装：PDIP-8

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V,高边单通道栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

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型号：FAN7385MX-JSM 编号：C19673773

封装：SOP-14

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

750V，双通道高侧驱动器电机驱动

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型号：COS4422SR 编号：C5175411

封装：SOP-8

品牌：COSINE(科山芯创)

9A，4.5V-25V，单同相，高速低功耗MOSFET低边驱动器，带UVLO过温保护功能

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型号：L298N 编号：C434589

封装：Multiwatt-15

品牌：HGSEMI(华冠)

L298是一款采用15引脚Multiwatt和PowerSO20封装的单片集成电路。它是一款高压、大电流双路全桥驱动器，设计用于接收标准TTL逻辑电平，并驱动继电器、螺线管、直流电机和步进电机等感性负载。该器件提供两个使能输入，可独立于输入信号对器件进行使能或禁用操作

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型号：IXDF602SIATR 编号：C3655725

封装：SOIC-8

品牌：Littelfuse/IXYS

这款双路高速栅极驱动器特别适合驱动最新的MOSFET和IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收2A的峰值电流，同时电压上升和下降时间小于10ns。每个驱动器的输入与CMOS兼容，并且几乎不会发生闩锁效应

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型号：BD63800MUF-CE2 编号：C3681308

封装：VFQFN-32-EP

品牌：ROHM(罗姆)

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型号：1EDC20H12AH 编号：C530940

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

1EDCxxI12AH 和 1EDCxxH12AH 是采用 PG-DSO-8-59 封装的单通道IGBT 隔离驱动器，其独立输出引脚的输出电流最高可达 10 A。输入逻辑引脚的输入电压范围宽，为 3 V 至 15 V，采用按比例缩放的 CMOS 阈值电平，甚至可支持 3.3 V 的微控制器。

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型号：A4954ELPTR-T 编号：C2688265

封装：TSSOP-16-EP-175mil

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A4954专为两个直流电机的脉宽调制（PWM）控制而设计，能够提供高达±2 A的峰值输出电流，工作电压可达40 V。该器件设有输入端子，可利用外部施加的PWM控制信号来控制直流电机的速度和方向。内部集成同步整流控制电路，可降低PWM运行期间的功耗。内部电路保护功能包括过流保护、电机引线对地或电源短路保护、带迟滞功能的热关断、VBB欠压监测以及交越电流保护。A4954采用带外露散热焊盘的低外形16引脚TSSOP封装（后缀LP），符合无铅（Pb）标准，引脚框采用100%雾锡电镀。

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型号：DRV8834RGER 编号：C400392

封装：VQFN-24-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8834 具有 1/32 微步进分度器的 11V、1.5A、双路 H 桥或步进电机驱动器

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型号：SI8233AD-D-ISR 编号：C22457486

封装：SOIC-16

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

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型号：BD62321HFP-TR 编号：C509720

封装：TO-263-8

品牌：ROHM(罗姆)

BD62321HFP是一款用于有刷电机应用的全桥驱动器。该IC可在较宽的电源电压范围（6V至32V）内工作，输出电流最高可达3A。输出级的MOS晶体管支持PWM调速

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型号：AMT49406GESSR 编号：C2066114

封装：QFN-24-EP(4x4)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

AMT49406是一款三相无传感器无刷直流（BLDC）电机驱动器（栅极驱动器），工作电压范围为5.5至50 V。该器件完全集成了磁场定向控制（FOC）算法，以实现最佳效率和声学噪声性能。它能优化电机在静止状态、风车状态甚至逆风风车状态下的启动性能

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型号：MTS62C19A-LS105 编号：C632135

封装：SO-24-300mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：DRV3201AQPAPRQ1 编号：C22396839

封装：HTQFP-64(10x10)

品牌：TI(德州仪器)

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型号：A4915METTR-T 编号：C136637

封装：QFN-28-EP(5x5)

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

设计用于三相无刷直流电机的脉宽调制 (PWM) 电流控制。能够为 6 个全 N 沟道功率 MOSFET 提供高电流栅极驱动。内部电荷泵确保在低至 7V 的电源下提供栅极驱动，并在低至 5V 时提供有限的栅极驱动。使用自举电容为 N 沟道 MOSFET 产生高于高端 MOSFET 源极电压的电源电压

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型号：TC4422AVOA713 编号：C157601

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

TC4421A/TC4422A 是早期单输出 MOSFET 驱动器 TC4421/TC4422 系列的改进版本。这些器件是大电流缓冲器/驱动器，能够驱动大型 MOSFET 和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。TC4421A/TC4422A 的输出上升和下降时间相匹配，前沿和后沿传播延迟时间也相匹配

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型号：TC4429CPA 编号：C640801

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

这些驱动器采用CMOS制造，与双极型驱动器相比，功耗更低，运行效率更高。两个器件都有TTL/CMOS兼容输入，可驱动高达VDD + 0.3V或低至-5V，而不会对器件造成干扰或损坏。这消除了对外部电平转换电路及其相关成本和尺寸的需求。输出摆幅为轨到轨，确保更好的驱动电压裕量，特别是在电源开启/关闭排序期间。与其他驱动器不同，这些驱动器几乎不会出现闩锁现象。它们取代了三个或更多分立元件，节省了PCB面积和元件数量，并提高了整个系统的可靠性。

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型号：ISG3204LA 编号：C46528000

封装：LGA-30(5x6.5)

品牌：Innoscience(英诺赛科)

该产品是一款采用紧凑的5mm x 6.5mm LGA封装的半桥固态氮化镓器件。封装内包含两个高性能氮化镓场效应晶体管、驱动器和驱动器电源电容，提供了紧凑高效的氮化镓电源解决方案。该产品提供两个逻辑输入，用于控制高端和低端氮化镓场效应晶体管，具有最大的灵活性。分离的驱动器输出允许独立调整导通和关断强度，优化电磁干扰和效率

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型号：LM5113QDPRRQ1 编号：C2677036

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5113-Q1 适用于 GaNFET 的汽车类 1.2A/5A、100V 半桥栅极驱动器

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型号：MIC4224YM 编号：C637528

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

MIC4223/MIC4224/MIC4225 是一系列具备逻辑电平驱动使能功能的双路 4A 高速低端 MOSFET 驱动器。这些器件采用美信（Micrel）的双极/CMOS/DMOS（BCD）工艺制造，工作电源电压范围为 4.5V 至 18V。该器件的双极和 CMOS 输出级架构相互并联，可在 MOSFET 的米勒区提供大电流，使驱动器在 12V 电源下能够吸入和输出 4A 的峰值电流，并在 15ns 内快速对 2000pF 的负载电容进行充放电，同时输出电压可在 VDD 的 0.3V 范围内和地电位的 0.16V 范围内摆动

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型号：DRV3245AEPHPRQ1 编号：C5218867

封装：HTQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV3245E-Q1 具有精确电流检测和增强保护功能的汽车 0 级 12V 电池三相栅极驱动器单元

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型号：IXDN630CI 编号：C1524123

封装：TO-220-5

品牌：Littelfuse/IXYS

高速栅极驱动器特别适合驱动最新的功率MOSFET和IGBT。输出可提供和吸收30A的峰值电流，同时产生小于20ns的电压上升和下降时间。内部电路消除了交叉传导和电流“直通”，驱动器几乎不受闭锁影响。欠压锁定 (UVLO) 电路使输出保持低电平，直到施加足够的电源电压（IXD_630版本为12.5V，IXD_630M版本为9V）。低传播延迟和快速匹配的上升和下降时间使该系列非常适合非常高频率和高功率应用。IXDD630配置为带使能的同相驱动器。IXDN630配置为同相驱动器，IXDI630配置为反相驱动器。该系列采用5引脚TO-220 (CI) 和5引脚TO-263 (YI) 封装。

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型号：DRV3205QPHPRQ1 编号：C2150636

封装：HTQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV3205-Q1 具有电流分流放大器和增强保护功能的汽车类 12V 和 24V 电池三相栅极驱动器

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型号：LMG2100R026VBNR 编号：C44231310

封装：VQFN-FCRLF-18(4.5x7)

品牌：TI(德州仪器)

集成式半桥 GaN FET 和驱动器，具有 93V 连续、100V 脉冲式电压额定值。封装经过优化，便于 PCB 布局。支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平，栅极驱动器支持高达 10MHz 的开关频率。具有出色的传播延迟（典型值 33ns）和匹配（典型值 2ns），内部自举电源电压钳位可防止 GaN FET 过驱动，具备电源轨欠压锁定保护，低功耗。外露式顶部 QFN 封装实现顶面散热，大型 GND 焊盘实现底面散热。该器件配有用户友好型接口，提升了分立式 GaN FET 的优势，是需要小尺寸、高频、高效运行应用的理想解决方案。

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￥97.05
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￥92.3
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型号：2SC0108T2G0-17 编号：C1549443

封装：-

品牌：Power Integrations(帕沃英蒂格盛)

低功耗SCALE-˙2+双驱动器内核2SC0108T2G0-17（连接器引脚长度为3.1mm，适用于2mm厚的PCB；增强了EMI能力；实现了SSD；无铅）/2SC0108T2G0C-17（采用Lackwerke Peters的ELPEGUARD SL 1307 FLZ/2涂层版本），将无与伦比的紧凑性与广泛的适用性相结合。该驱动器设计用于需要高可靠性的通用应用。2SC0108T2G0(C)-17可驱动所有常用的IGBT模块，最高可达600A/1200V或450A/1700V。

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￥163.85
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型号：LKS561 编号：C2798405

封装：SOP-8

品牌：LINKOSEMI(凌鸥创芯)

LKS561 是一款用于驱动MOS/IGBT 栅极的集成电路，芯片有高侧驱动输出和低侧驱动输出两组，可同时驱动两个MOS/IGBT 器件，其中高侧器件通过浮动管脚实现电压抬升，最高耐压达 +300V。输入信号可兼容CMOS 和LSTTL 电平。高侧驱动采用浮动电源设计，最高耐压 +300V，可承受瞬时负压，芯片电源供电范围 10~25V，有欠压保护功能，输入电平3.3/5/15V 兼容，双通道延时匹配。

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单价：
￥0.378 / 个

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型号：BDR6301 编号：C48579941

封装：SOP-8

品牌：巴丁微

是一款高压大功率 MOS 管/IGBT管栅极驱动专用芯片,应用领域：电动工具、移动电源高压快充开关电源、变频水泵控制器、电动车控制、无刷电机驱动器等。

5+
￥0.5267
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￥0.4187
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￥0.3647
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￥0.3242
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型号：AP1511 编号：C19631830

封装：SOT-23-6

品牌：GR(国睿)

AP1511系列是一款专为IR-Cut Removable (ICR)设计的驱动IC，用来开关红外线滤光片。 AP1511系列具有一个低饱和电压双向的H-bridge驱动电路，内建保护二极管疏通ICR，所产生的反馈电流，以及防止ESD的破坏。 AP1511系列内的双向H-bridge 驱动电路其内阻比较小，ICR模块所需的电流决定于其线圈的阻抗。

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￥0.5521
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￥0.4321
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￥0.3721
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￥0.3271
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￥0.2911
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￥0.2731

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型号：QK1301B 编号：C49108305

封装：SOT-23-6

品牌：HICHON(海川)

QK1301B 是一款针对低压 LED 灯的专用芯片，具有完整的充电功能和完善的电池保护功能，特性  低静态待机电流（＜10uA）  充电电流 0.5A，输出电流最大 1A  欠压保护功能  过温保护功能（芯片内部温度）  直接从 USB 端口给单节锂离子电池充电  4.2V 预设充电电压  完善的 LED 工作指示功能  支持 0V 充电  低于 2.7V 涓流充电  电池防反接保护  SOT23-6 封装应用范围  手提灯、手电筒、头灯、低压球泡灯

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