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首页 > 热门关键词 > EG驱动芯片
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BE1511是专为IR-CUT控制设计的电路,主要用来开关红外线滤光片。芯片内部包括一个微控制电路和双向H桥驱动电路。驱动电路在300mA驱动能力下内部仅需要0.75V压降。
  • 5+

    ¥0.6717
  • 50+

    ¥0.5325
  • 150+

    ¥0.4629
  • 500+

    ¥0.4107
  • 3000+

    ¥0.3689
  • 6000+

    ¥0.348
  • 有货
  • 此款H桥电机驱动芯片,采用最新的CMOS工艺,他具备大电流,低内阻,广泛应用于机器人、玩具、小型电子设备和其他需要精确电机控制的应用中
    • 5+

      ¥0.6943
    • 50+

      ¥0.6103
    • 150+

      ¥0.5743
    • 500+

      ¥0.5294
    • 2500+

      ¥0.4894
    • 5000+

      ¥0.4774
  • 有货
  • AP1511B是一款专为IR-Cut Removable(ICR)设计的驱动IC,用来控制摄像头内的红外滤光片的开启或关闭。它包含一个低饱和电压双向的H-bridge驱动电路,内建保护二极管,可以吸收ICR线圈关断时产生的峰值电流,从而保护IC不被损坏,同时也可防止ESD的破坏。
    • 5+

      ¥0.7617
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      ¥0.5937
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      ¥0.5097
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      ¥0.4467
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      ¥0.3963
    • 6000+

      ¥0.371
  • 有货
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      ¥0.804688 ¥1.0588
    • 50+

      ¥0.63612 ¥0.837
    • 150+

      ¥0.56392 ¥0.742
    • 500+

      ¥0.473784 ¥0.6234
    • 3000+

      ¥0.433656 ¥0.5706
    • 6000+

      ¥0.409564 ¥0.5389
  • 有货
  • MCP1415/6 器件是一款用于功率 MOSFET 和 IGBT 的低电压同相栅极驱动器。专有的抗闩锁 CMOS 技术可实现具有高稳健性的单芯片集成架构。MCP1415/6 的逻辑输入电平与低至 3V 的 CMOS 或 TTL 逻辑输出电平兼容
    • 5+

      ¥0.9711
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      ¥0.847
    • 150+

      ¥0.7938
    • 500+

      ¥0.7274
    • 3000+

      ¥0.6978
    • 6000+

      ¥0.68
  • 有货
  • 250V N+N半桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流:1.2/1.5A
    • 5+

      ¥1.102475 ¥1.1605
    • 50+

      ¥0.865735 ¥0.9113
    • 150+

      ¥0.764275 ¥0.8045
    • 500+

      ¥0.63764 ¥0.6712
    • 2500+

      ¥0.58121 ¥0.6118
    • 5000+

      ¥0.54739 ¥0.5762
  • 有货
  • 电机驱动芯片 专用步进电机和IR-Cut Removable驱动集成电路
    • 5+

      ¥1.1609
    • 50+

      ¥1.0034
    • 150+

      ¥0.9359
    • 500+

      ¥0.8517
    • 2500+

      ¥0.8142
    • 4000+

      ¥0.7917
  • 有货
    • 5+

      ¥1.2123
    • 50+

      ¥0.9603
    • 150+

      ¥0.8523
    • 500+

      ¥0.7175
    • 2500+

      ¥0.6575
    • 4000+

      ¥0.6215
  • 有货
    • 5+

      ¥1.2123
    • 50+

      ¥0.9603
    • 150+

      ¥0.8523
    • 500+

      ¥0.7175
    • 2500+

      ¥0.6575
  • 有货
  • BU64291GWZ旨在驱动音圈电机(VCM),并通过PWM运行以提高系统电源效率,或切换至线性控制以降低系统噪声。该驱动器包含ISRC(智能压摆率控制),可减少机械振铃,优化相机的自动对焦能力。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3862
    • 50+

      ¥1.216
    • 150+

      ¥1.143
    • 500+

      ¥0.9324
    • 2500+

      ¥0.8919
  • 有货
  • IRS2005STR 是一款高压、高速功率 MOSFET 驱动器,具有相关的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁互补金属氧化物半导体(CMOS)技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基晶体管 - 晶体管逻辑(LSTTL)输出兼容,低至3.3V
    • 5+

      ¥1.3886
    • 50+

      ¥1.0818
    • 150+

      ¥0.9504
    • 500+

      ¥0.7864
    • 2500+

      ¥0.7133
    • 5000+

      ¥0.6695
  • 有货
  • GC3901 是一款低压 5V 全桥驱动芯片,可驱动两个独立的直流电机,或者一个步进电机。每个通道能提供高达 1.1A 的持续输出电流;可以工作在 2~6V 的电源电压,封装采用3mmx3mm的DFN10。具有 PWM(IN/IN)输入接口,与行业标准器件兼容,并具有过温保护功能。其H桥导通阻抗为480mΩ,拥有低功耗睡眠模式。提供STM32参考例程及原厂技术支持
    • 5+

      ¥1.56
    • 50+

      ¥1.35
    • 150+

      ¥1.26
    • 500+

      ¥1.14
    • 2500+

      ¥1.09
  • 有货
  • HP3000 是慧能泰 HySwitch 产品系列下一款双通道、高速、低侧栅极驱动器,能够有效地驱动 MOSFET、IGBT、SiC 和 GaN 电源开关。 HP3000的典型峰值驱动强度为5 A,这有助于缩短电源开关的上升和下降时间、降低开关损耗并提高效率。此器件具有快速传播延迟(典型值为 22 ns),可改善系统的死区时间,优化控制环路响应,提高脉宽利用率和瞬态性能,从而提高功率级效率。 通道数:2 输出电流:5 A 输入电压(最小):4.5 V 输入电压(最大):30 V 工作温度范围:-40 到 150 ℃ 输入负向耐压:-12 V
    • 5+

      ¥1.5864
    • 50+

      ¥1.2336
    • 150+

      ¥1.0824
    • 500+

      ¥0.8937
    • 2500+

      ¥0.8097
  • 有货
  • UMW UCC27324DR 是一款功率开关驱动器。在对功率开关的栅极进行充电和放电时,它具有匹配的上升和下降时间。UMW UCC27324DR 在其额定功率和电压范围内的所有条件下都具有高抗闩锁能力
    • 5+

      ¥1.6491
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      ¥1.2506
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      ¥1.0799
    • 500+

      ¥0.8668
    • 2500+

      ¥0.772
    • 5000+

      ¥0.715
  • 有货
  • 适用于玩具、打印机和机电一体化设备。采用H桥配置中的N沟道功率MOSFET为两个直流有刷电机、一个双极步进电机、螺线管或感性负载供电,内置电流调节功能。具备过流、短路和过热保护等安全功能,可通过内部关断和故障输出引脚实现。具有低功耗睡眠模式,可提高能源效率。采用带散热焊盘技术的16引脚TSSOP封装。
    • 5+

      ¥1.77579 ¥1.9731
    • 50+

      ¥1.40382 ¥1.5598
    • 150+

      ¥1.24443 ¥1.3827
    • 500+

      ¥1.04553 ¥1.1617
    • 3000+

      ¥0.95697 ¥1.0633
    • 6000+

      ¥0.90378 ¥1.0042
  • 有货
  • 650V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:0.6/1.0A
    • 5+

      ¥1.791605 ¥1.8859
    • 50+

      ¥1.488745 ¥1.5671
    • 150+

      ¥1.358975 ¥1.4305
    • 500+

      ¥1.197 ¥1.26
    • 2500+

      ¥1.124895 ¥1.1841
    • 4000+

      ¥1.081575 ¥1.1385
  • 有货
  • 双通道、低边高速MOSFET、GaN HEMT、IGBT驱动器,供电电压4.5~20V、拉/灌峰值电流5A
    • 1+

      ¥1.7983
    • 10+

      ¥1.3741
    • 30+

      ¥1.1922
    • 100+

      ¥0.9654
    • 500+

      ¥0.8644
    • 1000+

      ¥0.8037
  • 有货
  • SL2003是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具备相互独立的高端和低端参考输出通道。专利HVIC和抗闩锁CMOS技术使其实现了坚固耐用的单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V
    • 1+

      ¥1.86
    • 10+

      ¥1.63
    • 30+

      ¥1.53
    • 100+

      ¥1.4
    • 500+

      ¥1.34
    • 1000+

      ¥1.31
  • 有货
  • SL2103是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相互独立的高端和低端参考输出通道。专有的高压集成电路(HVIC)和抗闩锁CMOS技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或低功耗肖特基TTL(LSTTL)输出兼容,低至3.3V
    • 1+

      ¥1.86
    • 10+

      ¥1.63
    • 30+

      ¥1.53
    • 100+

      ¥1.4
    • 500+

      ¥1.34
    • 1000+

      ¥1.31
  • 有货
  • IR4427STRPBF-HX系列为双路低端MOSFET驱动器,效率高、可靠性强,将TTL/CMOS输入转换为接近电源或地的输出电平。提供反相、同相及混合三种配置,适用于驱动功率MOSFET、重载时钟线、同轴电缆及压电换能器等高峰值电流和快速切换场合
    • 5+

      ¥1.90575 ¥2.1175
    • 50+

      ¥1.50651 ¥1.6739
    • 150+

      ¥1.33551 ¥1.4839
    • 500+

      ¥1.12203 ¥1.2467
    • 2500+

      ¥1.02699 ¥1.1411
    • 5000+

      ¥0.96993 ¥1.0777
  • 有货
  • DRV8210 具有自动睡眠模式的 12V、1.76A H 桥电机驱动器
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0341
    • 50+

      ¥1.5899
    • 150+

      ¥1.3995
    • 500+

      ¥1.1619
  • 有货
  • 600V半桥,不带互锁,Vo:10-20V,HI/LI正逻辑,高低边欠压保护,兼容3.3V、5V和15V逻辑,ton/off:220/200ns,DT:NA, MT:30ns
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0442
    • 50+

      ¥1.6057
    • 150+

      ¥1.4178
    • 500+

      ¥1.1849
  • 有货
  • AT8549为玩具、打印机和其它机电一体化应用提供一种双通道电机驱动方案。AT8549内置两路H桥驱动,可以驱动两个直流有刷电机,或者通过输出并接驱动一个直流有刷电机,或者一个双极步进电机,或者螺线管及其它感性负载。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.0814
    • 50+

      ¥1.6162
    • 150+

      ¥1.4168
    • 500+

      ¥1.1557
    • 2500+

      ¥1.0449
    • 4000+

      ¥0.9784
  • 有货
  • 三相高速功率MOSFET驱动器
    • 1+

      ¥2.184 ¥2.73
    • 10+

      ¥1.936 ¥2.42
    • 30+

      ¥1.816 ¥2.27
    • 100+

      ¥1.688 ¥2.11
    • 500+

      ¥1.616 ¥2.02
    • 1000+

      ¥1.584 ¥1.98
  • 有货
  • CC6420是一款用于单线圈无刷直流电机/风扇的单芯片解决方案,具备PWM速度控制功能。该芯片采用创新的先进高压BiCMOS工艺设计和制造,此工艺针对霍尔传感器和电机驱动器进行了优化。它集成了驱动功率管、电压调节模块、高精度霍尔传感器、斩波失调消除模块、霍尔信号线性放大与调制模块以及数字逻辑控制模块
    • 1+

      ¥2.32
    • 10+

      ¥2.05
    • 30+

      ¥1.91
    • 100+

      ¥1.78
    • 500+

      ¥1.7
    • 1000+

      ¥1.65
  • 有货
  • 600V半桥,不带互锁,Vo:10-20V,HI/LI正逻辑,高低边欠压保护,兼容3.3V、5V逻辑,ton/off:170/170ns,DT:NA,MT:35ns
    数据手册
    • 1+

      ¥2.8
    • 10+

      ¥2.17
  • 有货
  • 是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片,采用高低压兼容工艺使得高、低侧栅驱动电路可以单芯片集成。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平,输出具有大电流脉冲能力,和防直通的死区逻辑。浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET,浮地通道最高工作电压可达250V。为QFN4X4-24封装,可以在-40℃至125℃温度范围内工作。
    • 1+

      ¥2.91
    • 10+

      ¥2.3
    • 30+

      ¥2.04
    • 100+

      ¥1.72
    • 500+

      ¥1.57
    • 1000+

      ¥1.48
  • 有货
  • ZXGD3006E6是一款40V栅极驱动器,用于驱动IGBT和碳化硅(SiC)MOSFET进行开关操作。它能够向栅极提供高达10A的峰值源极/漏极电流,以对大容性负载进行有效充放电。ZXGD3006E6通常可向IGBT的低栅极阻抗提供4A电流,而控制器只需提供1mA的输入电流
    数据手册
    • 1+

      ¥3.07
    • 10+

      ¥2.42
    • 30+

      ¥2.14
    • 100+

      ¥1.79
    • 500+

      ¥1.57
    • 1000+

      ¥1.47
  • 有货
  • DGD2106M是一款高压/高速栅极驱动器,能够以高端/低端配置驱动N沟道MOSFET和IGBT。高压处理技术使DGD2106M的高端在自举操作中能够切换至600V。DGD2106M的逻辑输入与标准TTL和CMOS电平(低至3.3V)兼容,便于与控制设备连接
    • 1+

      ¥3.16
    • 10+

      ¥2.85
    • 30+

      ¥2.69
    • 100+

      ¥2.4
    • 500+

      ¥2.31
    • 1000+

      ¥2.26
  • 有货
  • HX34151-S是列双路低压MOSFET驱动器采用BiCMOS/DMOS工艺制造,提供高效的电力使用和高可靠性。
    • 1+

      ¥3.294 ¥3.66
    • 10+

      ¥2.655 ¥2.95
    • 30+

      ¥2.331 ¥2.59
    • 100+

      ¥2.016 ¥2.24
    • 500+

      ¥1.827 ¥2.03
    • 1000+

      ¥1.728 ¥1.92
  • 有货
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