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封装：TSSOP-28-EP

A5976是一款内置转换器的完整微步进电机驱动器。它旨在以全步、半步、四分之一步和十六分之一步模式驱动双极步进电机，输出驱动能力为40 V和±2.8 A。A5976包含一个固定关断时间的电流调节器，能够在慢速、快速或混合衰减模式下工作。这种电流衰减控制方案可降低电机可听噪声、提高步进精度并减少功耗。转换器是A5976易于实施的关键。只需在STEP输入上输入一个脉冲，即可驱动电机步进一步（两个逻辑输入确定是全步、半步、四分之一步还是十六分之一步）。无需编程相位序列表、高频控制线或复杂接口。A5976接口非常适合没有复杂微处理器或微处理器负担过重的应用。提供内部同步整流控制电路，以改善PWM操作期间的功耗。内部电路保护包括带迟滞功能的热关断、欠压锁定（UVLO）和交叉电流保护。无需特殊的上电时序。 A5976采用带有外露散热焊盘的薄型（< 1.2 mm）28引脚TSSOP封装（后缀LP）。该封装无铅（Pb）（后缀 -T），引脚框架采用100%雾锡电镀。

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型号：DRV8860PWPR 编号：C133079

封装：HTSSOP-16-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8860 具有串行控制的 38V、0.3A、8 路低侧电机驱动器

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型号：IR2109STRPBF 编号：C2966

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2109(4)(S) 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。专利 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V

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型号：ATD5833QNN 编号：C5155089

封装：QFN-28(5x5)

品牌：杭州中科微

ATD5833是一款内置有译码器的低噪声步进电机驱动器。其输出驱动能力达到30V±2.5A，最高支持256细分，同时可实现低噪声工作。译码器是ATD5833易于使用的关键。

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型号：HIP4082IBZT 编号：C50123

封装：SOIC-16

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

80V/1.25A H全桥MOS管驱动器芯片

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型号：NCP5109BDR2G 编号：C190727

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

NCP5109 是一款高电压门极驱动器集成电路，提供两种输出，用于半桥配置版本 B 或任何其他高压侧 + 低压侧配置版本 A 的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 的独立的输入。NCP5109 = 200V，NCP5106 = 600V

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型号：MS35776 编号：C5371384

封装：QFN-28-EP(5x5)

品牌：杭州瑞盟

MS35776/MS35776A 是一款高精度、低噪声的两相步进电机驱动芯片。芯片集成了快速模式与静音模式来满足高速与低速下的不同应用。芯片内置功率MOSFET，长时间工作平均电流可以达到1.4A，峰值电流2A。芯片集成了欠压保护、过流保护、短地保护、短电源保护、过温保护的保护功能。

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型号：DRV8873SPWPRQ1 编号：C2150678

封装：HTSSOP-24-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8873-Q1 具有集成电流感应和反馈功能的汽车类 40V、10A H 桥电机驱动器

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型号：DRV8425PWPR 编号：C3681319

封装：HTSSOP-28-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV8425 具有集成电流检测功能和 1/256 微步进的 35V、2A 双极步进电机驱动器

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型号：LTC4412ES6#TRMPBF 编号：C459883

封装：TSOT-23-6L

品牌：ADI(亚德诺)

采用 ThinSOT 封装的低损耗 PowerPath 控制器

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型号：MCF8329A1IREER 编号：C22399784

封装：WQFN-36-EP(4x5)

品牌：TI(德州仪器)

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型号：DRV8305NQPHPRQ1 编号：C701780

封装：HTQFP-48(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8305-Q1 汽车类 12V 电池三相智能栅极驱动器（0 级和 1 级）

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型号：MC33035DWR2G 编号：C424244

封装：SOIC-24-300mil

品牌：onsemi(安森美)

MC33035 是一款高性能的第二代单片无刷直流电机控制器，包含了实施全功能开环、三相或四相电机控制系统所需的所有有效功能。该器件包括用于正确换向顺序的转子位置解码器、能够为传感器供电的温度补偿参考、频率可编程的锯齿波振荡器、三个开路收集器顶部驱动器，以及三个高电流图腾柱底部驱动器，适用于驱动功率 MOSFET。还包含了保护功能，有欠压锁定、按周期电流限制且带有可选择时间延迟的关断模式、内部高温关断以及可以接口到微处理器控制系统中的独特故障输出。典型的电机控制功能包括开环速度、前向或反向、运行启用和动态制动。MC33035 用于运行电子传感器相位为 60°/300° 或 120°/240° 的无刷电机，还可高效控制电刷直流电机。

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型号：LMG1210RVRR 编号：C2677136

封装：WQFN-19-EP(3x4)

品牌：TI(德州仪器)

LMG1210 适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可编程死区时间的 1.5A、3A 200V 半桥栅极驱动器

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型号：1ED3321MC12NXUMA1 编号：C17453854

封装：SOIC-16

品牌：Infineon(英飞凌)

1ED332xMC12N（1ED - F3）是 EiceDRIVER™ 增强型单通道电气隔离式栅极驱动器系列产品，采用 DSO - 16 宽体封装，具备短路保护、有源密勒钳位和有源关断等集成保护功能，适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET。该产品的典型输出电流最高可达 +6 A / -8.5 A。所有逻辑引脚均与 3.3 V 和 5 V CMOS 兼容，可直接连接到微控制器

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型号：DRV8316CTRGFR 编号：C6602057

封装：VQFN-40(5x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8316C 具有集成电流检测功能、FET、增强型 CSA 规格、40V 最大电压、8A 峰值电流的三相电机驱动器

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型号：A3959SLBTR-T 编号：C459261

封装：SOIC-24-300mil

品牌：ALLEGRO(美国埃戈罗)

A3959专为直流电机的脉宽调制（PWM）电流控制而设计，能够输出±3 A的电流，工作电压可达50 V。内部固定关断时间的PWM电流控制定时电路可通过控制输入进行调整，以在慢速、快速和混合电流衰减模式下工作。提供PHASE和ENABLE输入端子，用于利用外部施加的PWM控制信号控制直流电机的速度和方向

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型号：DRV8353FSRTAR 编号：C1518717

封装：WQFN-40-EP(6x6)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8353F 具有 3 个 CSA 的 102V（最大值）三相功能安全质量管理型智能栅极驱动器

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型号：VNH5019ATR-E 编号：C2653552

封装：MultiPowerSO-30

品牌：ST(意法半导体)

汽车级全集成H桥电机驱动

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型号：TMC5240ATJ+T 编号：C7494373

封装：TQFN-32

品牌：TRINAMIC

TMC5240是一款智能高性能步进电机控制器和驱动IC，具备串行通信接口（SPI、UART）和强大的诊断功能。它将用于自动目标定位的灵活、加加速度优化的斜坡发生器，与基于256细分、内置分度器和完全集成的36V、3.0A MAX H桥以及非耗散集成电流感应（ICS）的行业最先进步进电机驱动器相结合。 ADI-Trinamic先进的StealthChop2斩波器可确保在实现最高效率和最佳电机转矩的同时，实现绝对无噪音运行。高度集成、高能效和小尺寸设计，使系统能够实现小型化和可扩展性，从而提供经济高效的解决方案。该完整解决方案将学习成本降至最低，同时提供一流的性能。 H桥场效应晶体管（FET）的阻抗极低，从而实现高驱动效率并将产生的热量降至最低。典型的总R o N（高端 + 低端）为0.23Ω。假设使用四层PCB，每个H桥在室温下的最大RMS电流为I RMS = 2.1A RMS。每个H桥的最大输出电流为I MAX = 5.0A MAX，受过流保护（OCP）限制。由于该电流受散热因素限制，实际的最大RMS电流将取决于应用的散热特性（PCB接地层、散热器、通风等）。每个H桥的最大满量程电流为1 FS = 3.0A，可通过连接到IREF的外部电阻进行设置。此电流定义为嵌入式电流驱动调节电路的最大电流设置。非耗散ICS消除了笨重的外部功率电阻，与基于外部检测电阻的主流应用相比，可显著节省空间和功率，同时保持相同的整体精度。 TMC5240具备丰富的诊断和保护功能，如短路保护/OCP、热关断和欠压锁定（UVLO）。在热关断和UVLO事件期间，驱动器将被禁用。此外，TMC5240还提供测量驱动器温度、估算电机温度和测量一个外部模拟输入的功能。 TMC5240采用小型TQFN32 5mm x 5mm封装和具有散热优化的带裸露焊盘的TSSOP38 9.7mm x 4.4mm封装。

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型号：MP6540GU-Z 编号：C5676249

封装：QFN-26(5x5)

品牌：MPS(芯源)

MP6540 和 MP6540A 是三相无刷直流电机驱动器，集成了由六个 N 沟道功率 MOSFET 组成的三个半桥、预驱动器、栅极驱动电源和电流检测放大器。MP6540 每个半桥都有使能和 PWM 输入。MP6540A 有独立的高端和低端输入；除此之外，这两款器件完全相同。MP6540 可在一秒内提供高达 10A 的峰值电流，连续提供 3A 电流（具体取决于散热和 PCB 条件）。MP6540 使用内部电荷泵为高端 MOSFET 产生栅极驱动电源电压，并采用涓流充电电路，以维持足够的栅极驱动电压，实现 100% 占空比运行。内部安全特性包括热关断、欠压锁定 (UVLO) 和过流保护 (OCP)。MP6540 采用 QFN - 26（5.0mm×5.0mm）封装。

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型号：LKS523 编号：C6337451

封装：SOP-8

品牌：LINKOSEMI(凌鸥创芯)

LKS523是一款用于功率MOSFET和IGBT的高压、高速半桥预驱动器。它具有高端和低端输入，以及两个带有内部死区时间的输出通道，以避免交叉导通。

单价：
￥0.523 / 个

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型号：L9110S 编号：C2984833

封装：SOP-8

品牌：LANKE(兰科)

步进电机驱动玩具汽车电机驱动电源电压范围：2.5V 至 12V，广泛应用于玩具汽车电机驱动、脉冲电磁阀门驱动、步进电机驱动和开关功率管等电路上

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型号：L9110S(XBLW) 编号：C18723580

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

马达驱动直流马达驱动，静态电流Iq(Typ)0.1uA，驱动电流 Iout 800mA

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￥0.86247 ￥0.9583
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￥0.67194 ￥0.7466
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￥0.59031 ￥0.6559
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￥0.44307 ￥0.4923
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￥0.4158 ￥0.462

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型号：SDH21263TR 编号：C7466375

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相,高低边栅极驱动器,MOSFETs或IGBTs预驱

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￥1.02222 ￥1.1358
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￥0.79542 ￥0.8838
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￥0.69822 ￥0.7758
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￥0.57699 ￥0.6411
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￥0.55899 ￥0.6211
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￥0.52659 ￥0.5851

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型号：FAN3111ESX(UMW) 编号：C20623208

封装：SOT-23-5

品牌：UMW(友台半导体)

FAN3111 2A 栅极驱动器专为在低端开关应用中驱动 N 沟道增强型 MOSFET 而设计。FAN3111 具有双 CMOS 输入，其阈值参考 VDD，可与和驱动器使用相同电源电压的 PWM 控制器及其他输入信号源配合使用。

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￥1.2216
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￥0.9564
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￥0.8428
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￥0.6379
6000+
￥0.6

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型号：JSM27517 编号：C19077363

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单通道栅极驱动器驱动配置：低边负载类型：MOSFET；IGBT 峰值灌电流：4A 峰值拉电流：4A 采用 SOT-23-5 封装具有UVLO 和 13ns 传播延迟 -40 to 125

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￥1.54464 ￥1.9308
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￥1.20192 ￥1.5024
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￥1.05504 ￥1.3188
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￥0.87184 ￥1.0898
3000+
￥0.84464 ￥1.0558
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￥0.7956 ￥0.9945

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型号：UCC27324DR-JSM 编号：C5804614

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

双通道,超高速功率开关驱动器，带上下电保护、欠压保护。

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￥1.7622 ￥1.958
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￥1.38753 ￥1.5417
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￥1.22697 ￥1.3633
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型号：DRV8210DRLR 编号：C3681297

封装：SOT-563

品牌：TI(德州仪器)

DRV8210 具有自动睡眠模式的 12V、1.76A H 桥电机驱动器

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￥1.8429
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￥1.4324
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￥1.2565
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￥1.0369
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型号：IRS2007STRPBF 编号：C538240

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2007是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。专利的HVIC和抗闩锁CMOS技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可至3.3 V逻辑电平。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT，最高工作电压可达200 V。传播延迟经过匹配，便于HVIC在高频应用中使用。

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