EG驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：IR2110STRPBF-JSM 编号：C5804621

封装：SOIC-16-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

单相驱动，带SD功能半桥式功率MOSFET/IGBT驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥5.9755 ￥7.03
10+
￥4.794 ￥5.64
30+
￥4.199 ￥4.94
100+
￥3.6125 ￥4.25
500+
￥3.1535 ￥3.71
1000+
￥2.975 ￥3.5

有货

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型号：JSM2101STR 编号：C19077368

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高压、高速功率高低侧驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

5+
￥1.431 ￥1.59
50+
￥1.242 ￥1.38
150+
￥1.161 ￥1.29
500+
￥1.08 ￥1.2
2500+
￥1.035 ￥1.15
4000+
￥1.008 ￥1.12

有货

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型号：CC6403SS 编号：C2832986

封装：SOT-335

品牌：CrossChip(成都芯进)

单线圈，24V,FG信号输出,堵转保护

数据手册

5+
￥1.6507
50+
￥1.4512
150+
￥1.3657
500+
￥1.2591
2500+
￥1.0735
5000+
￥1.045

有货

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型号：GBI7254SMBR 编号：C5451740

封装：SOIC-8L

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

是双通道高速低端栅极驱动器，为MOSFET、IGBT和GaN功率器件提供5A峰值源电流和灌电流以及轨到轨驱动能力。该器件的输入到输出传播延迟最小为14ns，24V电源轨使其适用于高频功率转换器应用。可接受低至-5V的负输入，以增强输入抗噪性。宽输入滞后与TTL和CMOS低压逻辑兼容。该器件的每个通道采用非重叠驱动器设计，以避免输出级直通。它可在-40℃至125℃的宽温度范围内工作。

5+
￥1.7
50+
￥1.52
150+
￥1.38
500+
￥1.32
2500+
￥1.29
5000+
￥1.26

有货

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型号：6288T-MNS 编号：C49424412

封装：TSSOP-20

品牌：minos(迈诺斯)

驱动配置:半桥负载类型:MOSFET；IGBT 工作电压:4V~18V 上升时间:35ns 描述：三相高低侧功率驱动芯片

5+
￥2.1656
50+
￥1.712
150+
￥1.5176
500+
￥1.275
2500+
￥1.167
4000+
￥1.1022

有货

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型号：UCC27517DBVT-JSM 编号：C7432822

封装：SOT-23-5

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

具有UVLO 和 13ns 传播延迟 -40 to 125

1+
￥2.312 ￥2.89
10+
￥1.832 ￥2.29
30+
￥1.624 ￥2.03
100+
￥1.36 ￥1.7
500+
￥1.2 ￥1.5
1000+
￥1.128 ￥1.41

有货

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型号：FD2606S 编号：C2909830

封装：SOP-8

品牌：Fortior Tech(峰岹)

FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。FD2606S内置VCC和VB欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。FD2606S逻辑输入兼容TTL和CMOS（低至3.3V），方便与控制设备接口。该驱动器输出具有最小驱动器跨导的高脉冲电流缓冲设计。

数据手册

5+
￥2.34
50+
￥1.86
150+
￥1.65
500+
￥1.39

有货

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型号：TPS51604DSGR 编号：C337501

封装：WSON-8-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

TPS51604 适用于同步降压高频 CPU 内核电源应用的 4A、28V 半桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥2.38
10+
￥2.09
30+
￥1.95
100+
￥1.8
500+
￥1.72
1000+
￥1.68

有货

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型号：TF2101M-TR 编号：C5804628

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高压、高速功率高低侧驱动芯片，带上下电保护、欠压保护。

1+
￥2.576 ￥3.22
10+
￥2.064 ￥2.58
30+
￥1.8 ￥2.25
100+
￥1.544 ￥1.93
500+
￥1.392 ￥1.74
1000+
￥1.312 ￥1.64

有货

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型号：JSM6287T 编号：C49450285

封装：TSSOP-20

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

250V三相高低侧功率驱动芯片高侧同相低侧反相步进/伺服电机、电动工具等

1+
￥3.26
10+
￥2.55
30+
￥2.25
100+
￥1.87
500+
￥1.7
1000+
￥1.6

有货

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型号：IRS2304STRPBF-JSM 编号：C17701708

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电机驱动，逆变器驱动

1+
￥3.2725 ￥3.85
10+
￥2.635 ￥3.1
30+
￥2.3205 ￥2.73
100+
￥1.9975 ￥2.35
500+
￥1.8105 ￥2.13
1000+
￥1.717 ￥2.02

有货

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型号：SLM21867CA-DG 编号：C496627

封装：SOIC-8

品牌：Sillumin(数明半导体)

600V半桥，不带互锁，Vo：7-20V，HI/LI负逻辑，高低边欠压保护，兼容3.3V、5V逻辑，ton/off:170/170ns，DT:NA,MT:35ns

数据手册

1+
￥3.63
10+
￥2.86
30+
￥2.48

有货

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型号：DRV8212DRLR 编号：C3681309

封装：SOT-563

品牌：TI(德州仪器)

DRV8212 具有自动睡眠模式的 12V、4A H 桥电机驱动器

数据手册

1+
￥4.73
10+
￥4
30+
￥3.48
100+
￥3.06
500+
￥2.93
1000+
￥2.85

有货

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型号：IR2127STRPBF 编号：C371089

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR2127/IR2128/IR21271(S) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器。专有的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或低功耗肖特基 TTL（LSTTL）输出兼容，最低可至 3.3V

数据手册

1+
￥4.9
10+
￥3.96
30+
￥3.49
100+
￥2.65
500+
￥2.37
1000+
￥2.23

有货

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型号：DRV8220DRLR 编号：C3681351

封装：SOT-563

品牌：TI(德州仪器)

DRV8220 具有自动睡眠模式的 20V、1.76A H 桥电机驱动器

数据手册

1+
￥4.96
10+
￥3.95
30+
￥3.45
100+
￥2.96
500+
￥2.66
1000+
￥2.5

有货

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型号：6EDL04I06PT-JSM 编号：C17701726

封装：SOP-28-300mil

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

高低侧同相带使能和故障报告，三相, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱电机驱动，逆变器驱动

1+
￥5.176 ￥6.47
10+
￥4.192 ￥5.24
30+
￥3.704 ￥4.63
100+
￥3.112 ￥3.89
500+
￥2.824 ￥3.53
1000+
￥2.672 ￥3.34

有货

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型号：LM5101AMX/NOPB 编号：C575559

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

LM5101A 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、100V 半桥栅极驱动器

数据手册

1+
￥5.24
10+
￥4.23
30+
￥3.72
100+
￥3.21
500+
￥2.91
1000+
￥2.76

有货

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型号：IR2184STRPBF 编号：C2995

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

600V，半桥式驱动器，门驱动供应电压范围：10V to 20V

数据手册

1+
￥5.47
10+
￥4.44
30+
￥3.93
100+
￥3.08
500+
￥2.77
1000+
￥2.62

有货

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型号：UCC27282DR 编号：C2867844

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET。借助此器件，可在基于半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个 N 沟道 MOSFET。由于具有 3A 的峰值灌电流和拉电流以及较低的上拉和下拉电阻，能够在 MOSFET 米勒平台转换期间以极低开关损耗驱动大功率 MOSFET。

数据手册

1+
￥5.77
10+
￥4.6
30+
￥4.01
100+
￥3.43
500+
￥3.11
1000+
￥2.93

有货

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型号：UCC27525DR 编号：C2676989

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2752x系列器件是双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET和绝缘栅极型功率管(IGBT)电源开关。使用能够从内部大大降低击穿电流的设计，UCC2752x能够将高达5A拉电流和5A灌电流的高峰值电流脉传送到电容负载，此器件还具有轨到轨驱动能力和典型值为13ns的极小传播延迟。除此之外，此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟，这一特性使得此驱动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极驱动有严格计时要求的应用。

数据手册

1+
￥6.29
10+
￥5.58
30+
￥4.91
100+
￥4.41
500+
￥4.2
1000+
￥4.1

有货

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型号：FAN7842MX 编号：C512885

封装：SOP-8

品牌：onsemi(安森美)

单片半桥门极驱动器集成电路 FAN7842 可以驱动最高在 +200V 下运行的 MOSFET 和 IGBT。安森美半导体的高电压工艺和共模干扰抑制技术提供了高压侧驱动器在高 dv/dt 干扰情况下的稳定运行。先进的电平转换电路可针对 VBS = 15V 允许最高 VS = -9.8 V（典型值）的高压侧门极驱动器运行。输入逻辑电平兼容标准的 TTL 系列逻辑门极。当 VCC 和 VBS 低于指定阈值电压时，用于两种沟道的 UVLO 电路将防止故障运行。输出驱动器电路（源/汲）典型值分别为 350mA/650mA。

数据手册

1+
￥6.4
10+
￥5.13
30+
￥4.49
100+
￥3.86
500+
￥3.48
1000+
￥3.29

有货

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型号：GBI7A54SMAR 编号：C28324637

封装：ESOP-8L

品牌：GOSEMICON(顾邦半导体)

120V BOOT, 4A Peak, Half-Bridge Driver with Low Switching Loss

1+
￥6.46
10+
￥5.29
30+
￥4.65
100+
￥3.92
500+
￥3.6
1000+
￥3.45

有货

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型号：LM5060MMX/NOPB 编号：C2676940

封装：VSSOP-10-0.5mm

品牌：TI(德州仪器)

LM5060 5.5V 至 65V 高侧保护控制器

数据手册

1+
￥6.5
10+
￥5.25
30+
￥4.62
100+
￥3.87
500+
￥3.5
1000+
￥3.31

有货

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型号：DRV11873PWPR 编号：C88044

封装：HTSSOP-16-EP

品牌：TI(德州仪器)

DRV11873 12V 标称电压、2A 峰值无传感器梯形控制三相 BLDC 电机驱动器

数据手册

1+
￥6.53
10+
￥5.36
30+
￥4.72
100+
￥4.03
500+
￥3.71
1000+
￥3.56

有货

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型号：TF21844M-TUH 编号：C2981475

封装：SOIC-14

品牌：TFSS(德律风根)

高压600V, 单相, 大电流, 死区可调, 半桥式栅极驱动器, MOSFETs或IGBTs预驱

数据手册

1+
￥6.706 ￥9.58
10+
￥6.139 ￥8.77
30+
￥5.782 ￥8.26
100+
￥5.411 ￥7.73
500+
￥5.25 ￥7.5
1000+
￥5.173 ￥7.39

有货

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型号：UCC27714DR 编号：C473332

封装：SOIC-14

品牌：TI(德州仪器)

UCC27714 高速、4A、600V 高侧/低侧栅极驱动器

数据手册

1+
￥6.81
10+
￥5.59
30+
￥4.93
100+
￥4.18
500+
￥3.84
1000+
￥3.69

有货

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型号：UCC27201ADR 编号：C913823

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2720xA系列高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了1ns的延迟匹配。

数据手册

1+
￥7.06
10+
￥5.83
30+
￥5.15
100+
￥4.39
500+
￥3.95
1000+
￥3.79

有货

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型号：DRV8231DSGR 编号：C3681197

封装：WSON-8(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8231 具有集成电流调节功能的 35V、3.7A H 桥电机驱动器

数据手册

1+
￥8.33
10+
￥6.82
30+
￥5.99
100+
￥5.06
500+
￥4.64
1000+
￥4.45

有货

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型号：UCC27537DBVR 编号：C130224

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

UCC27537 2.5A、5A、35VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

数据手册

1+
￥8.35
10+
￥6.95
30+
￥6.18
100+
￥5.31
500+
￥4.68
1000+
￥4.51

有货

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型号：L293DN 编号：C434590

封装：DIP-16

品牌：HGSEMI(华冠)

是一款单片集成的高压、大电流四通道驱动器，旨在接受标准DTL或TTL逻辑电平，并驱动感性负载（如继电器、螺线管、直流和步进电机）和开关功率晶体管。为简化作为两个电桥的使用，每对通道都配备了一个使能输入。为逻辑电路提供了单独的电源输入，允许在较低电压下工作，并内置了钳位二极管。适用于高达5kHz频率的开关应用。采用16引脚塑料封装，有4个中心引脚连接在一起用于散热。采用20引脚表面贴装封装，有8个中心引脚连接在一起用于散热。

数据手册

1+
￥8.99
10+
￥7.55
25+
￥6.75
100+
￥5.86
500+
￥5.46
1000+
￥5.28

有货

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