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封装：DFN-10(3x3)

超低压差LDO在尺寸受限的设计中，为数据通信、计算、存储和医疗应用提供了性能、尺寸和功耗之间的最佳平衡。这些LDO的输出电流为1A、2A和3A，针对低电压转换进行了优化。输入电压范围为0.7V至3.6V，偏置电压为2.9V至5.5V，输出电压可在0.5V至3.3V之间调节。在100kHz时，输入电压纹波抑制比大于40dB，使这些LDO成为对噪声敏感的应用的理想选择

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型号：R5F51403AGFJ#30 编号：C3224939

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

特性：32位RXv2 CPU核心: -最大工作频率：48 MHz，在48 MHz运行时可达204 Coremark。增强的DSP指令：支持32位乘累加指令和16位乘减指令。片上FPU：符合IEEE-754的32位单精度浮点运算。片上除法器，最快两个时钟周期完成操作。快速中断。具有5级流水线的CISC哈佛架构。可变长度指令，超紧凑代码。片上调试电路

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型号：XLH535100.000000I 编号：C1670633

封装：SMD5032-6P

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：XLH536033.330000I 编号：C1671311

封装：SMD5032-6P

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：R7FA0E1053CNH#HA0 编号：C22721998

封装：HWQFN-32(5x5)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

MCU集成了多个系列软件和引脚兼容的基于Arm的32位内核，共享一组瑞萨外设，以促进设计的可扩展性。该系列MCU采用了节能的Arm Cortex-M23 32位内核，特别适合对成本敏感和低功耗的应用。

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型号：R7F100GBF2DFP#BA0 编号：C20353002

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

旨在提供一个真正的低功耗平台，工作电流为41 μA/μHz，4 KB RAM的数据保留电流为210 nA，拥有高达768 KB的代码闪存和48 KB的RAM，具备电容感应单元，引脚数量从30到128，工作电压范围为1.6-5.5 V。

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型号：R5F100AGASP#10 编号：C3231336

封装：LSSOP-30-6.1mm

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：R7F100GLG2DFB#AA0 编号：C3230595

封装：LFQFP-64(10x10)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

旨在提供一个真正的低功耗平台，工作电流为41 μA/μHz，4 KB RAM的数据保留电流为210 nA，拥有高达768 KB的代码闪存和48 KB的RAM，具备电容感应单元，引脚数量从30到128，工作电压范围为1.6-5.5 V。

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型号：R5F51403ADFL#10 编号：C3231625

封装：LFQFP-48(7x7)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

特性：32位RX CPU内核: -最高32 MHz工作频率，32 MHz运行时可达50 DMIPS。 -累加器可处理32位×32位操作的64位结果（单指令），乘除单元处理32位×32位操作（乘法指令需一个CPU时钟周期）。 -快速中断。 -具有五级流水线的CISC哈佛架构。 -可变长度指令格式，超紧凑代码。 -片上调试电路。低功耗功能: -单1.8至3.6 V电源供电。 -三种低功耗模式

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型号：PS2501L-4-A 编号：C22403658

封装：SMD-16P

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是光耦合隔离器，包含砷化镓发光二极管和 NPN 硅光电晶体管。采用塑料双列直插封装，还有用于表面贴装的引脚弯曲类型。

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型号：CA3140MZ96 编号：C2058138

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款集成电路运算放大器，将高压 PMOS 晶体管与高压双极晶体管的优势结合在单个单片芯片上。输入电路采用栅极保护的 MOSFET（PMOS）晶体管，提供非常高的输入阻抗、非常低的输入电流和高速性能。工作电源电压范围为 4V 至 36V（单电源或双电源）。内部进行了相位补偿，可在单位增益跟随器操作中实现稳定运行，还设有一个接入端子，可用于连接额外的外部电容器以实现额外的频率滚降

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型号：R5F10A6ELSP#U5 编号：C3231255

封装：LSSOP-20-6.1mm

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：XLH736020.000000I 编号：C17334521

封装：SMD7050-6P

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是超精密晶体振荡器，在12kHz至20MHz带宽内典型相位抖动为750至890fs。频率范围从0.750MHz至1350MHz，采用一系列专用ASIC，重点关注降噪技术。三阶Delta Sigma调制器可将噪声降低到与传统体石英和SAW振荡器相当的水平。交货时间短、成本低、噪声低、频率范围宽、环境性能优异，优于传统技术。XO选项的器件稳定性高达±20ppm，VCXO选项的器件APR为±50ppm。标准和定制频率都能快速交付。

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型号：XLH735125.000000X 编号：C1988110

封装：SMD7050-6P

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是超精密晶体振荡器，在12kHz至20MHz带宽内典型相位抖动为750至890fs。频率范围从0.750MHz至1350MHz，采用一系列专用ASIC，重点关注降噪技术。三阶Delta Sigma调制器可将噪声降低到与传统体石英和SAW振荡器相当的水平。交货时间短、成本低、噪声低、频率范围宽、环境性能优异，优于传统技术。XO选项的器件稳定性高达±20ppm，VCXO选项的器件APR为±50ppm。标准和定制频率都能快速交付。

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型号：R7F100GBG2DFP#BA0 编号：C20353013

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

旨在提供一个真正的低功耗平台，工作电流为41 μA/μHz，4 KB RAM的数据保留电流为210 nA，拥有高达768 KB的代码闪存和48 KB的RAM，具备电容感应单元，引脚数量从30到128，工作电压范围为1.6-5.5 V。

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型号：74FCT16245ATPVG 编号：C1548115

封装：SSOP-48-300mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

16位收发器采用先进的双金属CMOS技术构建。这些高速、低功耗的收发器非常适合两条总线（A和B）之间的同步通信。方向和输出使能控制将这些设备作为两个独立的8位收发器或一个16位收发器运行。方向控制引脚（xDIR）控制数据流的方向。输出使能引脚（xOE）覆盖方向控制并禁用两个端口。所有输入均设计有迟滞功能，以提高噪声容限。该收发器非常适合驱动高电容负载和低阻抗背板。输出缓冲器设计有电源禁用功能，以便在用作背板驱动器时实现电路板的“带电插入”。

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型号：SLG46824G 编号：C3272900

封装：TSSOP-20

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

提供了一个小型、低功耗的组件，用于常用的混合信号功能。用户可通过对多次可编程的非易失性存储器 (NVM) 进行编程，来配置互连逻辑、IO和宏单元。双电源允许灵活连接两个独立的电压域。这个高度通用的设备允许在一个非常小的、低功耗的单集成电路中设计各种混合信号功能。

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型号：UPC4570G2-E1-A 编号：C5143831

封装：SOP-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：R5F51403ADNH#30 编号：C20351754

封装：HWQFN-32(5x5)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

特性：32位RXv2 CPU核心: -最大工作频率：48 MHz，在48 MHz运行时可达204 Coremark。增强的DSP指令：支持32位乘累加指令和16位乘减指令。片上FPU：符合IEEE-754的32位单精度浮点运算。片上除法器，最快两个时钟周期完成操作。快速中断。具有5级流水线的CISC哈佛架构。可变长度指令，超紧凑代码。片上调试电路

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型号：R5F104LGGFB#10 编号：C3230614

封装：LFQFP-64(10x10)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：R7FA2E1A93CNE#AA0 编号：C3226778

封装：HWQFN-48(7x7)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

该MCU集成了多个软件和引脚兼容的基于Arm的32位内核系列，共享一组瑞萨外设，以促进设计的可扩展性。该系列中的MCU采用了节能的Arm Cortex-M23 32位内核，特别适合对成本敏感和低功耗的应用，具有以下特点：高达128 KB的代码闪存、16 KB SRAM、12位A/D转换器（ADC12）和安全特性。

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型号：R7FA2L1A93CFP#AA0 编号：C3208630

封装：LFQFP-100(14x14)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

MCU集成了多个基于 Arm 的 32 位内核系列，软件和引脚兼容，共享一组瑞萨外设，以促进设计的可扩展性。该系列的 MCU 采用了节能的 Arm Cortex-M23 32 位内核，特别适合对成本敏感和低功耗的应用。

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型号：R7FA4E2B93CFM#AA0 编号：C20353608

封装：LFQFP-64(10x10)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

RA4E2 系列提供高达 100 MHz 的 CPU 性能，采用 Arm Cortex-M33 核心，配备 128 KB 代码闪存、4 KB 数据闪存和 40 KB SRAM。RA4E2 系列提供广泛的外设，包括 USB 全速、CANFD、I3C 和 ADC。该 MCU 集成了多种软件和引脚兼容的基于 Arm 的 32 位核心，它们共享一组通用的瑞萨外设，以促进设计可扩展性和高效的基于平台的产开发。该系列 MCU 采用高性能 Arm Cortex-M33 核心，运行频率高达 100 MHz，具有以下特性：高达 128 KB 代码闪存、40 KB SRAM、USBFS、模拟外设、安全性和安全特性。

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型号：AT25QL128A-MHE-T 编号：C2061611

封装：UDFN-8-EP(5x6)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：R7FA2E1A92DNE#AA0 编号：C5345554

封装：HWQFN-32

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：ISL3156EIUZ 编号：C3231383

封装：MSOP-10

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL315xE（ISL3150E、ISL3152E、ISL3153E、ISL3155E、ISL3156E 和 ISL3158E）系列 5V 供电的 RS - 485/RS - 422 收发器具有高输出驱动和高静电放电（ESD）保护功能，可承受 ±16.5kV 的 IEC61000 - 4 - 2 ESD 冲击。在 54Ω 负载下，典型输出电压高达 3.1V，具备高抗噪能力，可驱动长达 8000 英尺的总线网段，或在星型拓扑结构中驱动八个 120Ω 终端电阻。这些器件的总线输入电流小于 125μA，属于真正的 1/8 单位负载

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型号：ISL32172EIVZ 编号：C1545251

封装：TSSOP-16-4.4mm

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是 2.7V 至 5.5V 供电的 RS-232 发送器/接收器，即使在 VCC = 3.0V 时也能满足 EIA/TIA-232 和 V.28/V.24 规范。在发送器输出和接收器输入（RS-232 引脚）上提供 ±15kV ESD 保护（IEC61000-4-2 气隙和人体模型）。目标应用是对低工作功耗和更低待机功耗要求严格的 PDA、掌上电脑和手持产品。高效的片上电荷泵，结合手动和自动掉电功能，可将待机电源电流降至 150nA 涓流。5mmx5mm 四方扁平无引脚（QFN）封装和使用小值电容可节省电路板空间。在最坏负载条件下可确保大于 250kbps 的数据速率

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型号：UPD78F0485GK-GAK-AX 编号：C1342345

封装：LQFP-80(14x14)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：R7FA2L1AB2DFP#AA0 编号：C2760250

封装：LFQFP-100(14x14)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

超低功耗 48 MHz Arm CorteX-M23 内核，最高 256 KB 代码闪存，32 KB SRAM，电容感应单元 (CTSU2)，12 位 A/D 转换器，12 位 D/A 转换器，安全和保护功能。该微控制器集成了多个系列的软件和引脚兼容的基于 Arm 的 32 位内核，共享一套瑞萨外设以方便设计扩展。本系列中的微控制器采用节能型 Arm CorteX-M23 32 位内核，特别适合对成本敏感和低功耗的应用，具有以下特点：最高 256 KB 代码闪存，32 KB SRAM，12 位 A/D 转换器 (ADC12)，12 位 D/A 转换器 (DAC12) 和安全功能。

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型号：XLH536010.000000I 编号：C1671409

封装：SMD5032-6P

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是超精密晶体振荡器，在12kHz至20MHz带宽内典型相位抖动为750至890fs。频率范围从0.750MHz至1350MHz，采用一系列专用ASIC，重点关注降噪技术。三阶Delta Sigma调制器可将噪声降低到与传统体石英和SAW振荡器相当的水平。交货时间短、成本低、噪声低、频率范围宽、环境性能优异，优于传统技术。XO选项的器件稳定性高达±20ppm，VCXO选项的器件APR为±50ppm。标准和定制频率都能快速交付。

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