IDT驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：UPC4744G2-E1-A 编号：C22412155

封装：SOP-14

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

应用：标准级：计算机、办公设备、通信设备、测试和测量设备、视听设备、家用电子电器、机床、个人电子设备、工业机器人。高质量级：运输设备（汽车、火车、轮船等）、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备、非专门用于生命支持的医疗设备

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型号：PS2806-1-F3-A 编号：C22400060

封装：SSOP-4

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是光耦合隔离器，包含砷化镓发光二极管和 NPN 硅达林顿连接光电晶体管，采用塑料 SSOP 封装，适用于高密度应用。该封装具有屏蔽效果，可切断环境光。

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型号：ICL3221ECVZ-T 编号：C118246

封装：TSSOP-16

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

Intersil公司的ICL32xxE系列器件是由3.0V至5.5V供电的RS - 232收发器，即便在VCC = 3.0V的情况下，也能满足EIA/TIA - 232和V.28/V.24标准。此外，它们在发射器输出端和接收器输入端（RS - 232引脚）提供±15kV的ESD保护（IEC61000 - 4 - 2气隙和人体模型）。目标应用包括个人数字助理（PDA）、掌上电脑、笔记本电脑等，在这些设备中，低工作功耗以及更低的待机功耗至关重要

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型号：ISL21080CIH330Z-TK 编号：C2156501

封装：SOT-23-3

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

模拟电压基准源具有低电源电压运行特性，工作电流极低，典型值 310nA，最大 1.5µA。此外，ISL21080 系列还具有低至 ±0.2% 的初始精度和 50ppm/°C 的温度系数。

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型号：ISL3177EIUZ 编号：C152685

封装：MSOP-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

具有±15kV IEC61000 ESD保护，低功耗，支持高达20Mbps数据速率的RS-485/RS-422收发器。

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型号：R7FA2E1A53CFJ#AA0 编号：C3222419

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

MCU集成了多个基于Arm的32位内核系列，这些内核在软件和引脚上兼容，并共享一组瑞萨外设，以促进设计的可扩展性。该系列MCU采用了节能的Arm Cortex-M23 32位内核，特别适合对成本敏感和低功耗的应用。

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型号：ISL85413FRTZ-T 编号：C2073069

封装：TDFN-8-EP(3x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL85413是一款300mA同步降压稳压器，输入范围为3.5V至40V。它为各种应用提供了一种易于使用、高效且物料清单（BOM）数量少的解决方案。ISL85413集成了高端和低端NMOS FET，并具备脉冲频率调制（PFM）模式，可提高轻载时的效率

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型号：DG412DYZ 编号：C19626857

封装：SOIC-16

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

DG411系列单片CMOS模拟开关可直接替代广受欢迎的DG211和DG212系列器件。它们包含四个独立的单刀单掷（SPST）模拟开关，以及与TTL和CMOS兼容的数字输入。与DG211或DG212相比，这些开关的模拟导通电阻更低（<350Ω），开关时间更快（tON < 175ns）

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型号：501MLFT 编号：C2651221

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：ICL7611DCBAZ-T 编号：C382011

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

提供了在低电源电压和可选静态电流下的高性能运行，是超低输入电流和低功耗的理想设计工具。基本放大器可在±1V至±8V的电源电压下工作，也可由单节锂电池供电。独特的静态电流编程引脚允许在不使用外部组件的情况下将待机电流设置为1mA、100μA或10μA，功耗低至20μW。输出摆幅范围接近电源电压

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型号：9DB803DFLFT 编号：C2651389

封装：SSOP-48-300mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

该缓冲器提供 8 个 PCI-Express Gen2 时钟，由来自 CK410B +、CK505 或 CK509B 主时钟发生器的差分输出对驱动。

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型号：DA14531-00000OG2 编号：C509078

封装：WLCSP-17

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

集成2.4 GHz收发器和Arm Cortex-M0+微控制器，具有48 kB的RAM和32 kB的一次性可编程（OTP）存储器。它可以用作独立的应用处理器或主机系统中的数据泵。无线电收发器、基带处理器和合格的蓝牙低功耗协议栈完全符合蓝牙低功耗5.1标准。具有用于BLE链路层实现的专用硬件和用于增强连接能力的接口控制器

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型号：ISL32472EIBZ-T 编号：C2672543

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL32470E、ISL32472E、ISL32475E 和 ISL32478E 是具备故障保护功能、扩展共模范围的差分收发器，其性能超越了平衡通信的 RS - 485 和 RS - 422 标准。RS - 485 总线引脚（驱动器输出和接收器输入）具备故障保护功能，可承受高达 ±60V 的过电压，且能抵御 ±16.5kV 的静电放电冲击而不会发生闩锁。此外，这些收发器可在共模电压高达 ±15V 的环境中工作（超过了 RS - 485 的要求），这使得该具备故障保护功能的 RS - 485 系列成为市场上最可靠的产品之一

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型号：CA3140MZ96 编号：C2058138

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款集成电路运算放大器，将高压 PMOS 晶体管与高压双极晶体管的优势结合在单个单片芯片上。输入电路采用栅极保护的 MOSFET（PMOS）晶体管，提供非常高的输入阻抗、非常低的输入电流和高速性能。工作电源电压范围为 4V 至 36V（单电源或双电源）。内部进行了相位补偿，可在单位增益跟随器操作中实现稳定运行，还设有一个接入端子，可用于连接额外的外部电容器以实现额外的频率滚降

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型号：R7F100GBG2DFP#BA0 编号：C20353013

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

旨在提供一个真正的低功耗平台，工作电流为41 μA/μHz，4 KB RAM的数据保留电流为210 nA，拥有高达768 KB的代码闪存和48 KB的RAM，具备电容感应单元，引脚数量从30到128，工作电压范围为1.6-5.5 V。

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型号：ISL95857AHRTZ-T 编号：C2659260

封装：TQFN-40(5x5)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

提供了适用于英特尔微处理器的完整电源解决方案，支持核心、图形和系统代理轨，符合英特尔IMVP8标准。该控制器为三个电压调节器（VR）输出提供控制和保护。VR A和VR C输出仅支持单相操作，而VR B可配置为两相或单相操作。这三个输出的可编程地址选项为支持IMVP8 CPU提供了最大的灵活性。所有三个VR共享一个通用的串行控制总线与CPU通信，与双芯片方法相比，可降低成本并减小电路板面积。基于Intersil的强大纹波调节器（R3）技术，与传统调制器相比，R3调制器具有许多优势

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型号：NP50N04YUK-E1-AY 编号：C3278129

封装：HSON-8(5x5.4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是 N 沟道 MOS 场效应晶体管，专为大电流开关应用而设计。

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型号：ICL7621DCPAZ 编号：C1346494

封装：PDIP-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ICL761X/762X 系列是一系列单片 CMOS 运算放大器。这些器件使设计人员能够在低电源电压和可选静态电流的条件下实现高性能运行。当需要超低输入电流和低功耗时，它们是理想的设计工具

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型号：XLH536033.333333I 编号：C1670555

封装：SMD5032-6P

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：XLH735002.048000X 编号：C1995566

封装：SMD7050-6P

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是超精密晶体振荡器，在12kHz至20MHz带宽内典型相位抖动为750至890fs。频率范围从0.750MHz至1350MHz，采用一系列专用ASIC，重点关注降噪技术。三阶Delta Sigma调制器可将噪声降低到与传统体石英和SAW振荡器相当的水平。交货时间短、成本低、噪声低、频率范围宽、环境性能优异，优于传统技术。XO选项的器件稳定性高达±20ppm，VCXO选项的器件APR为±50ppm。标准和定制频率都能快速交付。

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型号：RAA211630GNP#HA0 编号：C20353793

封装：-

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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型号：ISL8840AABZ-T 编号：C2658439

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

集成了一个同步降压PWM控制器来生成VDDQ，一个源极和漏极LDO线性稳压器来生成VTT，以及一个10mA参考输出缓冲器来生成VTTR。降压控制器驱动两个外部N沟道MOSFET，从2V至25V输入产生低至0.7V的输出电压，输出电流高达15A。LDO可连续提供高达2.5A的源电流和吸收高达2.0A的漏电流。LDO输出和10mA参考缓冲器输出都可以通过内置电阻分压器跟踪REFIN电压。PWM控制器采用恒定导通时间PWM架构，可编程开关频率高达600kHz。这种控制方案能够轻松处理宽输入/输出电压比，并在保持高效率和相对恒定的开关频率的同时，对负载瞬变提供100ns的“即时导通”响应

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型号：ISL83078EIBZA 编号：C152659

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

这些设备是BiCMOS 3.3V供电的单收发器，符合RS-485和RS-422标准。它们具有非常低的总线电流（+125mA/-100mA），因此对RS-485总线呈现真正的“1/8单位负载”。

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型号：ISL80112IRAJZ 编号：C7290673

封装：DFN-10(3x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

超低压差LDO在尺寸受限的设计中，为数据通信、计算、存储和医疗应用提供了性能、尺寸和功耗之间的最佳平衡。这些LDO的输出电流为1A、2A和3A，针对低电压转换进行了优化。输入电压范围为0.7V至3.6V，偏置电压为2.9V至5.5V，输出电压可在0.5V至3.3V之间调节。在100kHz时，输入电压纹波抑制比大于40dB，使这些LDO成为对噪声敏感的应用的理想选择

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型号：R5F51136ADFM#3A 编号：C1340212

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

特性：32 位 RX CPU 核心，32 MHz 最大工作频率。工作在 12 MHz 时可达 50 DMIPS。累加器可处理 32 位×32 位操作的 64 位结果（单指令）。乘法和除法单元处理 32 位×32 位操作（乘法指令需一个 CPU 时钟周期）。快速中断。具有五级流水线的 CISC 哈佛架构。可变长度指令格式，超紧凑代码。片上调试电路

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型号：ISL6539IAZ 编号：C1519474

封装：SSOP-28-150mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL6539双PWM控制器通过两个电压调节同步降压DC/DC转换器提供高效率和紧密的电压调节。它特别为DDR DRAM、SDRAM、图形芯片组应用以及高性能应用中的系统调节器设计。电压前馈斜坡调制、电流模式控制和内部反馈补偿提供了对输入电压和输出负载瞬变的快速响应。通过0°、90°或180°（由输入电压和DDR引脚状态决定）的通道间PWM相移，最小化了输入电流纹波。ISL6539可以控制两个独立可调的输出电压，范围从0.9V到5.5V；或者，通过激活DDR引脚，转变为完整的DDR内存电源解决方案。在DDR模式下，CH2输出电压VTT跟踪CH1输出电压VDDQ。CH2输出既能提供也能吸收电流，这是DDR内存供电的一个关键特性。同时也会生成DDR内存所需的参考电压VREF。在双电源应用中，ISL6539监控CH1和CH2的输出电压。软启动序列完成后，如果输出电压在PGOOD窗口内，则每个通道都会发出独立的PGOOD（电源良好）信号。在DDR模式下，仅CH1生成PGOOD信号。内置的过电压保护功能通过保持低端MOSFET导通和高端MOSFET关闭来防止输出超过设定值的115%。当输出电压降至过电压阈值以下时，自动恢复正常操作。一旦软启动序列完成，如果输出低于其设定值的75%，则欠电压保护会锁定故障通道。可调的过电流保护（OCP）监测低端MOSFET的rDS(ON)上的电压降。如果需要更精确的电流检测，可以使用外部电流检测电阻。

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型号：ISL60002DIH310Z-T7A 编号：C1575564

封装：SOT-23-3

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

电压基准采用专有浮栅模拟 (FGA) 技术制造，具有超低 350nA 工作电流下的低电源电压操作特性。此外，该系列产品确保初始精度低至 ±1.0mV，温度系数为 20ppm/°C。ISL60002 系列的初始精度和温度稳定性，加上低电源电压和 350nA 功耗，无需为降低功耗而牺牲热稳定性，使其成为高分辨率、低功耗数据转换系统的理想选择。

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