IDT驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：ISL97671AIRZ-T 编号：C2678833

封装：QFN-20-EP(3x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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￥14.2956 ￥18.81
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￥9.996 ￥17.85

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型号：XLH53V010.000000I 编号：C6036448

封装：SMD5234-6P

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是超精密晶体振荡器，在12kHz至20MHz带宽内典型相位抖动为750至890fs。频率范围为0.750MHz至1350MHz，采用专有ASIC系列，重点关注降噪技术。三阶Delta Sigma调制器可将噪声降低到与传统体石英和SAW振荡器相当的水平。交货时间短、成本低、噪声低、频率范围宽、环境性能出色，优于传统技术。(XO选项)稳定性高达±20ppm，(VCXO选项)为±50ppm APR。标准和定制频率均可快速交付。

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型号：UPC812G2-E2-A 编号：C16231

封装：SOIC-8-4.4mm

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

双j fet输入低偏置OPRERATIONAL放大器

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￥14.46
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型号：AT25XE011-SSHN-T 编号：C2061567

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款高度优化的超低能耗串行接口闪存设备，适用于各种大批量低能耗消费和工业应用。该设备在设计上进行了优化，以满足当今物联网市场中互联应用的需求。其精细的页面擦除和块擦除架构可更有效地利用内存空间，支持数据存储和空中更新。关键程序代码子程序和数据存储段可单独存于各自的擦除区域，与大扇区和大块擦除闪存设备相比，可大大减少浪费和未使用的内存空间

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￥14.56
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型号：ISL83077EIBZA 编号：C1544617

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL8307xE（ISL83070E、ISL83071E、ISL83072E、ISL83073E、ISL83075E、ISL83076E、ISL83077E、ISL83078E）是采用 BiCMOS 工艺、由 3.3V 供电的单收发器，符合 RS - 485 和 RS - 422 平衡通信标准。这些器件的总线电流极低（+125μA / -100μA），因此它们在 RS - 485 总线上呈现真正的“1/8 单位负载”。这使得网络中最多可连接 256 个收发器，而不会违反 RS - 485 规范中 32 单位负载的上限，且无需使用中继器

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型号：QS3VH251QG 编号：C1547142

封装：QSOP-16-150mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是高带宽总线开关，具有非常低的导通电阻，通过开关的传播延迟低于250ps。选择（Sx）输入控制数据流。当使能（E）输入为低电平时，多路复用器/解复用器启用。在导通状态下，开关可以通过高达5V的信号。在关断状态下，开关在端子处提供非常高的阻抗。接近零的传播延迟、高关断阻抗和过压容限的结合，使其适用于高性能通信应用。工作温度范围为 -40℃ 至 +85℃。

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￥7.1638 ￥14.62

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型号：ICL3232IVZ 编号：C1543929

封装：TSSOP-16

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

该系列器件是低功耗、符合EIA/TIA-232和V.28/V.24规范的RS-232收发器，支持3.0V到5.5V供电电压。

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￥16.005 ￥16.5
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￥12.2322 ￥14.06
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型号：ICL7612DCBAZ-T 编号：C2060014

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

该系列是CMOS运算放大器，可在低电源电压和可选静态电流下提供高性能运行，适用于需要超低输入电流和低功耗的设计。基本放大器可在±1V至±8V的电源电压下工作，也可由单节锂电池供电。独特的静态电流编程引脚允许在无需外部组件的情况下将待机电流设置为1mA、100μA或10μA，功耗低至20μW。输出摆幅接近电源电压几毫伏。输入电流极低（1pA），输入噪声电流为0.01pA/Hz，输入阻抗为10¹²Ω，可优化高源阻抗应用的性能。输入有内部保护，输出对短路到地或任一电源有完全保护。交流性能出色，压摆率为1.6V/μs，在I = 1mA时单位增益带宽为1MHz。由于功耗低，结温上升和漂移非常低。

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￥16.5034 ￥19.19
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￥14.2576 ￥18.76
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￥12.0054 ￥18.19

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型号：ISL95857AHRTZ-T 编号：C2659260

封装：TQFN-40(5x5)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

提供了适用于英特尔微处理器的完整电源解决方案，支持核心、图形和系统代理轨，符合英特尔IMVP8标准。该控制器为三个电压调节器（VR）输出提供控制和保护。VR A和VR C输出仅支持单相操作，而VR B可配置为两相或单相操作。这三个输出的可编程地址选项为支持IMVP8 CPU提供了最大的灵活性。所有三个VR共享一个通用的串行控制总线与CPU通信，与双芯片方法相比，可降低成本并减小电路板面积。基于Intersil的强大纹波调节器（R3）技术，与传统调制器相比，R3调制器具有许多优势

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￥16.88
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型号：DG411DYZ-T 编号：C2651929

封装：SOIC-16

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

该系列单片CMOS模拟开关是DG211和DG212系列设备的替代品。包括四个独立的单刀单掷(SPST)模拟开关，并兼容TTL和CMOS数字输入。

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型号：ICL7611DCBAZ-T 编号：C382011

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

提供了在低电源电压和可选静态电流下的高性能运行，是超低输入电流和低功耗的理想设计工具。基本放大器可在±1V至±8V的电源电压下工作，也可由单节锂电池供电。独特的静态电流编程引脚允许在不使用外部组件的情况下将待机电流设置为1mA、100μA或10μA，功耗低至20μW。输出摆幅范围接近电源电压

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￥17.1
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￥16.67
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型号：XLH536012.288000I 编号：C1675741

封装：SMD5032-6P

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是超精密晶体振荡器，在12kHz至20MHz带宽内典型相位抖动为750至890fs。频率范围从0.750MHz至1350MHz，采用一系列专用ASIC，重点关注降噪技术。三阶Delta Sigma调制器可将噪声降低到与传统体石英和SAW振荡器相当的水平。交货时间短、成本低、噪声低、频率范围宽、环境性能优异，优于传统技术。XO选项的器件稳定性高达±20ppm，VCXO选项的器件APR为±50ppm。标准和定制频率都能快速交付。

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￥17.1402 ￥32.34
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￥11.9927 ￥27.89
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￥8.3325 ￥25.25
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￥7.4514 ￥22.58
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￥6.8607 ￥20.79

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型号：AT25XE321D-UUN-T 编号：C1852767

封装：WLCSP-12(1.8x2.4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款串行接口闪存存储设备，适用于各种大批量消费和互联应用。针对低能耗应用进行了优化，可在1.65V-3.6V的宽输入电压范围内使用现代锂电池技术运行。非常适合将程序代码从闪存复制到嵌入式或外部RAM中执行，并在闪存中本地存储和更新少量数据的系统。擦除块大小经过优化，以满足当今代码和数据存储应用的需求，支持256字节页擦除、4KB、32KB和64KB块擦除操作以及全芯片擦除

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￥17.37
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￥14.73
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￥13.08
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￥11.38

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型号：NP50N04YUK-E1-AY 编号：C3278129

封装：HSON-8(5x5.4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是 N 沟道 MOS 场效应晶体管，专为大电流开关应用而设计。

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￥17.88
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￥15.2
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￥13.53

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型号：NP36P04SDG-E1-AY 编号：C3281261

封装：TO-252(MP-3ZK)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

这是一款专为大电流开关应用设计的P沟道MOS场效应晶体管。

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￥19.42
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￥16.59
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￥14.83

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型号：RAA211250GSP#HA0 编号：C5333761

封装：HTSSOP-16

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

RAA211250 是一款 DC/DC 同步降压（Buck）稳压器，支持 4.5V 至 30V 的输入电压范围以及可调输出电压。它能够提供高达 5A 的连续输出电流，具备出色的负载和线性调节性能。RAA211250 采用峰值电流模式控制架构，其 PWM 开关频率可编程，可在瞬态响应和效率之间实现最佳平衡

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￥19.86
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￥16.96
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型号：DA14535-00000FX2 编号：C27669429

封装：FCGQFN-24(2.2x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

集成2.4 GHz收发器和Arm@ Cortex-M0+微控制器，具有64 kB的RAM和12 kB的一次性可编程（OTP）存储器。可作为独立应用处理器或托管系统中的数据泵。通过集成的低Io Buck/Boost DCDC，在降压模式睡眠期间实现超低功耗。无线电收发器、基带处理器和合格的蓝牙低功耗堆栈完全符合蓝牙低功耗5.3标准

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￥20.13
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￥17.19
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￥15.35
100+
￥13.46

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型号：ISL84053IAZ 编号：C1546698

封装：QSOP-16-150mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

超低导通电阻，+1.65V 至 +4.5V 单电源，四刀单掷（双刀双掷）模拟开关，旨在从单 +1.65V 至 +4.5V 电源供电运行。目标应用包括受益于低导通电阻 (0.39Ω) 和快速开关速度 (tON = 33ns, tOFF = 16ns) 的电池供电设备。数字逻辑输入在使用单 +3V 电源时与 1.8V 逻辑兼容。在电源电压为 4.2V 且两个逻辑输入的逻辑高电压为 2.85V 时，该器件的 ICC 电流最大仅为 12μA

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￥21.61
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￥18.5
30+
￥16.64
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型号：ISL6292-2CR4Z 编号：C5334567

封装：QFN-16(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL6292 是一款集成式单节锂离子或锂聚合物电池充电器，能够在低至 2.4V 的输入电压下工作。该充电器设计用于与各种类型的交流适配器或 USB 端口配合使用。当交流适配器为电压源时，ISL6292 作为线性充电器工作。电池以 CC/CV（恒流/恒压）模式充电。充电电流可通过外部电阻进行编程，最大可达 2A。ISL6292 还可与限流适配器配合使用，以最大限度地减少热耗散，在这种情况下，ISL6292 结合了线性充电器和脉冲充电器的优点。ISL6292 具有充电电流热折返功能，可在印刷电路板散热空间有限时确保安全运行。其他特性包括对过放电电池进行预充电、用于在安全温度范围内对电池充电的 NTC 热敏电阻接口、自动再充电以及热增强型 QFN 或 DFN 封装。

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1+
￥21.61
10+
￥18.58
30+
￥16.79

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型号：71024S15TYGI8 编号：C2060996

封装：SOJ-32

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

IDT71024是一款1,048,576-Bit高速静态RAM，组织为128K x 8-Bit。采用高性能高可靠性的CMOS技术，提供成本有效的高速存储解决方案。支持商业（0°C到+70°C）和工业（-40°C到+85°C）温度范围。

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1+
￥24.04
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￥21.3668 ￥23.48
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￥18.711 ￥23.1
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￥18.4113 ￥22.73

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型号：ISL3179EIRZ-T 编号：C1849396

封装：DFN-10-EP(3x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

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1+
￥24.11
10+
￥20.64
30+
￥18.57
100+
￥16.48

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型号：ICL3225EIAZ 编号：C152377

封装：SSOP-20-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是3.0V至5.5V供电的RS-232发送器/接收器，即使在VCC = 3.0V时也能满足EIA/TIA-232和V.28/V.24规范。此外，它们在发送器输出和接收器输入（RS-232引脚）上提供±15kV ESD保护（IEC61000-4-2气隙和人体模型）。目标应用是对低工作功耗和更低待机功耗要求严格的PDA、掌上电脑以及笔记本电脑。高效的片上电荷泵，结合手动和增强型自动掉电功能，可将待机电源电流降至1μA。小尺寸封装和使用小容量、低阻值电容也可节省电路板空间。在最坏负载条件下，保证数据速率大于1Mbps。该系列与仅3.3V系统、3.3V和5.0V混合系统以及仅5.0V系统完全兼容。

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1+
￥25.34
10+
￥21.67
30+
￥19.48
100+
￥17.27

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型号：ISL81802FRTZ-T 编号：C22645503

封装：TQFN-32(5x5)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款双路同步降压控制器，可产生两个独立输出或具有两个交错相位的一个输出，适用于工业和通用领域的各种应用。输入和输出电压范围宽，适用于电信、数据中心和计算应用。采用峰值电流模式控制，每个输出都有电压调节器、电流监视器和平均电流调节器，可提供独立的平均电压和电流控制。内部锁相环（PLL）振荡器可确保100kHz至1MHz的精确频率设置，并且振荡器可同步到外部时钟信号

1+
￥25.41
10+
￥21.87
30+
￥19.77

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型号：ISL21010DFH310Z-T7A 编号：C3680624

封装：SOT-23-3

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL21010是一款精密、低压差微功耗带隙电压基准源，采用节省空间的SOT - 23封装。它可在2.2V至5.5V单电源下工作（最低电压取决于所选电压选项），并提供精度为±0.2%的基准电压。ISL21010可提供高达25mA的输出电流，压差低至±50mV

1+
￥26
10+
￥22.07
30+
￥19.74

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型号：RJH60F7DPQ-A0#T0 编号：C118764

封装：TO-247A

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

特性：低集电极-发射极饱和电压：VCE(sat) = 1.35V 典型值（IC = 50A，VGE = 15V，Ta = 25℃）。单封装内置快速恢复二极管。沟槽栅和薄晶圆技术。高速开关：tf = 74ns 典型值（IC = 30A，VCE = 400V，VGE = 15V，Rg = 5Ω，Ta = 25℃，感性负载）