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HIP4080A 是一款高频、中压全桥 N 沟道 FET 驱动集成电路,有 20 引脚塑料 SOIC 和 DIP 封装可选。HIP4080A 包含一个输入比较器,用于实现“迟滞”和 PWM 工作模式。其 HEN(高使能)引脚可使电流在底部两个外部功率 MOSFET 中续流,同时保持上部功率 MOSFET 关断
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  • 1+

    ¥40.2
  • 10+

    ¥39.26
  • 30+

    ¥38.63
  • 有货
  • HIP4086 和 HIP4086A(统称 HIP4086/A)是三相 N 沟道 MOSFET 驱动器。这两款器件均专门用于 PWM 电机控制。这些驱动器具有灵活的输入协议,可驱动各种可能的开关组合
    数据手册
    • 1+

      ¥40.94
    • 10+

      ¥39.99
    • 30+

      ¥39.35
  • 有货
  • SLG55021 N沟道FET栅极驱动器用于从CMOS逻辑电平输入控制N沟道FET开关源电压的延迟导通和斜坡压摆率。作为节能型先进电源管理系统中开关电压轨的辅助控制元件,SLG55021还集成了对已断开的开关电压轨进行放电的电路。该栅极驱动器有多种配置可供选择,支持0.80 V/ms至4 V/ms的导通压摆率范围,根据1.0 V至20 V范围内的负载供电源电压,斜坡时间为200 μs至20 ms以上。斜坡开始前的延迟与源电压无关,范围为250 μs至5 ms。输出电源正常信号,以指示源电压的上升斜坡结束。此外,内部放电电路提供了一条受控路径,用于消除断开的电源轨上的电荷。SLG55021栅极驱动器采用8引脚DFN封装。当与外部N沟道FET配合使用时,SLG55021支持在1.0 V至20 V的源电压下对大电流负载进行低瞬态、节能型开关操作。
    • 1+

      ¥2.66
    • 10+

      ¥2.59
    • 30+

      ¥2.55
  • 有货
  • HIP2210和HIP2211是100V、源电流3A、灌电流4A的高频半桥NMOS FET驱动器。HIP2211具有标准的HI/LI输入,且引脚与瑞萨(Renesas)的热门桥接驱动器(如HIP2101和ISL2111)兼容。HIP2210具有带可编程死区时间的三电平PWM输入
    • 1+

      ¥7.4
    • 10+

      ¥7.22
    • 30+

      ¥7.1
  • 有货
  • ISL6208和ISL6208B是高频双MOSFET驱动器,针对同步整流降压转换器拓扑中驱动两个N沟道功率MOSFET进行了优化。它们特别适用于要求高效率和出色热性能的移动计算应用。这些驱动器与英特矽尔(Intersil)多相降压PWM控制器相结合,可为先进的移动微处理器提供完整的单级核心电压调节器解决方案
    • 1+

      ¥23.18
    • 10+

      ¥19.96
    • 30+

      ¥18.05
  • 有货
  • HIP4082是一款中频、中压H桥N沟道MOSFET驱动IC,提供16引脚塑料SOIC (N)和DIP封装。HIP4082 H桥驱动器专门针对PWM电机控制和UPS应用,使基于桥接的设计变得简单灵活。该器件工作电压高达80V,最适合中等功率水平的应用
    数据手册
    • 1+

      ¥24.93
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      ¥24.35
    • 30+

      ¥23.96
  • 有货
  • 是一款高速、同相四通道CMOS驱动器,能够以高达40MHz的时钟速率运行,具有2A的峰值驱动能力和仅3Ω的标称导通电阻。适用于驱动高容性负载,如CCD应用中的存储和垂直时钟。也适用于ATE引脚驱动、电平转换和时钟驱动应用。能够使用单电源或双电源供电,同时使用接地参考输入。每个输出可以根据相关输入引脚切换到高(VH)或低(VL)电源引脚。输入与3V和5V的CMOS和TTL逻辑兼容。输出使能(OE)引脚可用于将输出置于高阻抗状态。还具有非常快速的上升和下降时间,匹配在1ns以内。上升沿和下降沿之间的传播延迟也匹配在2ns以内。
    • 1+

      ¥53.77
    • 10+

      ¥52.58
    • 30+

      ¥51.79
  • 有货
  • 是一款高速、同相、四路CMOS驱动器,能够以高达40MHz的时钟速率运行,具有2A的峰值驱动能力和仅3Ω的标称导通电阻。适用于驱动高容性负载,如CCD应用中的存储和垂直时钟。也适用于ATE引脚驱动、电平转换和时钟驱动应用。能够使用单电源或双电源供电,同时使用接地参考输入
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    • 1+

      ¥81.09
    • 10+

      ¥69.84
    • 30+

      ¥62.99
  • 有货
  • 是100V、3A源极、4A漏极的高频半桥NMOS FET驱动器。具有标准HI/LI输入,与流行的瑞萨桥驱动器引脚兼容。具有三电平PWM输入和可编程死区时间。其6V至18V的宽工作电源范围和集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。具有强大的3A源极、4A漏极驱动器,典型传播延迟非常快,为15ns,典型延迟匹配为2ns,非常适合高频开关应用。VDD和自举欠压锁定可防止欠压操作。
    • 1+

      ¥16.15
    • 10+

      ¥15.8
    • 30+

      ¥15.56
  • 有货
  • EL7202、EL7212、EL7222 集成电路是匹配的双驱动器,可改善行业标准 DS0026 时钟驱动器的性能。安伦(Elantec)版本是高速驱动器,能够向高容性负载提供 2.0 安培的峰值电流。
    数据手册
    • 1+

      ¥18.33
    • 10+

      ¥17.89
    • 30+

      ¥17.61
  • 有货
  • ISL99380R5935和ISL99380BR5935是80A智能功率级(SPS),分别与瑞萨ISL68/69xxx数字多相(DMP)控制器和相位倍增器(ISL6617A)兼容。ISL99380R5935和ISL99380BR5935在电源、负载和温度变化时提供同类最佳的电流检测精度。与瑞萨数字PWM控制器配合使用时,这些器件可为基于负载线的稳压器实现精确的系统级电源管理和同类最佳的瞬态响应。这些器件通过省去典型的DCR检测网络和相关的热补偿组件简化了设计。热增强型5x6封装可实现高密度设计。ISL99380R5935和ISL99380BR5935采用瑞萨三态PWM输入,可与瑞萨多相PWM控制器和相位倍增器配合使用,在异常工作条件下提供可靠的解决方案。ISL99380R5935和ISL99380BR5935还通过集成故障保护功能提高了系统性能和可靠性,包括上桥FET过流、上桥FET短路、智能反向过流(SROCP)、过温(OTP)和VCC欠压锁定(UVLO)。
    • 1+

      ¥19.87
    • 10+

      ¥19.41
    • 30+

      ¥19.11
  • 有货
  • 是一款高频MOSFET驱动器,用于在同步整流降压转换器拓扑中驱动上下功率N沟道MOSFET。上下栅极均驱动至外部施加的电压,具备优化涉及栅极电荷和传导损耗之间权衡的应用的能力。集成了先进的自适应直通保护,以防止上下MOSFET同时导通并最小化死区时间。具有过压保护功能,当VCC低于POR阈值时仍可工作。
    数据手册
    • 1+

      ¥22.02
    • 10+

      ¥21.51
    • 30+

      ¥21.17
  • 有货
  • ISL55110和ISL55111是双路高速MOSFET驱动器,适用于需要精确脉冲生成和缓冲的应用。目标应用包括超声、CCD成像、压电距离传感和时钟生成电路。这些器件具有宽输出电压范围和低导通电阻,能够驱动各种阻性和容性负载,实现快速的上升和下降时间,满足大型CCD阵列成像应用对高速运行和低偏斜的要求
    数据手册
    • 1+

      ¥25.32
    • 10+

      ¥24.74
    • 30+

      ¥24.34
  • 有货
    • 1+

      ¥29.39
    • 10+

      ¥28.71
    • 30+

      ¥28.25
  • 有货
  • ISL2110、ISL2111是100V高频半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它们基于广受欢迎的HIP2100、HIP2101半桥驱动器,但在性能上有多处改进。峰值输出上拉/下拉电流已提升至3A/4A,这显著降低了开关功率损耗,并且在许多应用中无需使用外部图腾柱缓冲器
    • 1+

      ¥29.89
    • 10+

      ¥29.15
    • 30+

      ¥28.66
  • 有货
  • EL7104是一款匹配驱动集成电路(IC),可提升行业标准TC - 4420/29时钟驱动器的性能。安伦(Elantec)版本是一款超高速驱动器,能够向高容性负载提供1A的峰值电流。其高速性能通过专有的“Turbo - Driver”电路实现,该电路通过利用输出端更宽的电压摆幅来加快输入级的速度
    数据手册
    • 1+

      ¥39.25
    • 10+

      ¥38.37
    • 30+

      ¥37.79
  • 有货
    • 1+

      ¥78.98
    • 10+

      ¥75.31
    • 30+

      ¥68.95
  • 有货
  • RAA221320是一款智能功率级(SPS),与ISL68xxx/69xxx数字多相(DMP)控制器兼容。该智能功率级集成了高精度电流和温度监测器,可将反馈信息传输至控制器,以完善多相DC/DC系统。这些监测器省去了DCR感测网络及相关热补偿,简化了设计并提升了性能
    • 1+

      ¥138.93
    • 10+

      ¥134.9
  • 有货
  • 应用:标准级:计算机、办公设备、通信设备、测试和测量设备、音频和视觉设备、家用电子电器、机床、个人电子设备、工业机器人。 高质量级:运输设备(汽车、火车、轮船等)、交通控制系统、防灾系统、防盗系统、安全设备、非专门用于生命支持的医疗设备
    • 1+

      ¥287.41
    • 30+

      ¥273.17
  • 有货
  • ISL6208和ISL6208B是高频双MOSFET驱动器,针对同步整流降压转换器拓扑结构驱动两个N沟道功率MOSFET进行了优化。它们特别适用于要求高效率和出色热性能的移动计算应用。这些驱动器与英特矽尔(Intersil)多相降压PWM控制器相结合,可为先进的移动微处理器形成完整的单级核心电压调节器解决方案
    数据手册
    • 1+

      ¥3.51
    • 10+

      ¥3.42
    • 30+

      ¥3.36
  • 有货
  • ISL6208和ISL6208B是高频双MOSFET驱动器,针对同步整流降压转换器拓扑结构驱动两个N沟道功率MOSFET进行了优化。它们特别适用于要求高效率和出色热性能的移动计算应用。这些驱动器与英特矽尔(Intersil)多相降压PWM控制器相结合,可为先进的移动微处理器形成完整的单级核心电压调节器解决方案
    数据手册
    • 1+

      ¥5.24
    • 10+

      ¥5.13
    • 30+

      ¥5.05
  • 有货
  • 是一款中频H桥FET驱动器,能够提供1A(典型值)的峰值驱动电流,用于在中压应用中驱动高端和低端N沟道MOSFET。针对PWM电机控制和不间断电源系统进行了优化,可实现基于桥接的简单灵活设计。典型输入到输出传播延迟低至25ns,用户可编程死区时间范围为0.1μs至4.5μs,适用于高达200kHz的开关频率。死区时间可通过单个电阻进行编程,四个独立的驱动器控制输入允许驱动各种开关组合,全局禁用输入可覆盖输入控制并在拉低时刷新自举电容。集成了欠压保护和直通保护,确保系统可靠运行。采用紧凑的16引脚SOIC和16引脚PDIP封装,工作温度范围为-55°C至+125°C。
    • 1+

      ¥20.54
    • 10+

      ¥20.06
    • 30+

      ¥19.74
  • 有货
  • 是匹配的双驱动器,可改善行业标准DS0026时钟驱动器的运行。是高速驱动器,能够向高容性负载提供2.0安培的峰值电流。高速性能通过专有的“Turbo-Driver”电路实现,该电路通过利用输出端更宽的电压摆幅来加速输入级。匹配的上升和下降延迟时间增强了速度和驱动能力。这些匹配的延迟保持了输入到输出脉冲宽度的完整性,以减少定时误差和时钟偏移问题。与双极驱动器相比,电源电流降低了10倍,且没有与CMOS器件常见的延迟时间问题。使用非重叠驱动技术可使动态开关损耗最小化。
    • 1+

      ¥38.72
    • 10+

      ¥37.76
    • 50+

      ¥37.11
  • 有货
  • 是高频率、中压N沟道FET全桥驱动IC,包含输入比较器,用于简化“滞后”和PWM操作模式。其HEN(高使能)引脚可强制电流在底部两个外部功率MOSFET中续流,保持上部功率MOSFET关闭。由于可在高达1MHz的频率下切换,适用于驱动音圈电机、开关功率放大器和电源。还可驱动中压有刷电机,两个该IC可用于驱动高性能步进电机,短的最小“导通时间”可提供精细微步进能力。短传播延迟约55ns可最大化控制回路交叉频率,死区时间可调整至接近零以最小化失真,从而精确控制驱动负载。
    • 1+

      ¥44.29
    • 10+

      ¥43.27
    • 30+

      ¥42.59
  • 有货
  • ISL2110、ISL2111是100V高频半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它们基于广受欢迎的HIP2100、HIP2101半桥驱动器,但在性能上有多处改进。峰值输出上拉/下拉电流已提升至3A/4A,这显著降低了开关功率损耗,并且在许多应用中无需使用外部图腾柱缓冲器
    • 1+

      ¥49.56
    • 10+

      ¥42.93
    • 30+

      ¥38.89
  • 有货
  • ISL6208和ISL6208B是高频双MOSFET驱动器,针对同步整流降压转换器拓扑结构驱动两个N沟道功率MOSFET进行了优化。它们特别适用于要求高效率和出色热性能的移动计算应用。这些驱动器与英特矽尔(Intersil)多相降压PWM控制器相结合,可为先进的移动微处理器形成完整的单级核心电压调节器解决方案
    数据手册
    • 1+

      ¥10.11
    • 10+

      ¥9.87
    • 30+

      ¥9.72
  • 有货
  • ISL6612A和ISL6613A是高频MOSFET驱动器,专为在同步整流降压转换器拓扑中驱动上、下功率N沟道MOSFET而设计。这些驱动器与HIP63xx或ISL65xx多相降压PWM控制器以及N沟道MOSFET相结合,可为先进微处理器提供完整的核心电压调节器解决方案。ISL6612A将上栅极驱动至12V,而下栅极可在5V至12V范围内独立驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥13.45
    • 10+

      ¥13.12
    • 30+

      ¥12.9
  • 有货
  • EL7202、EL7212、EL7222 集成电路是匹配的双驱动器,可改善行业标准 DS0026 时钟驱动器的性能。安伦(Elantec)版本是高速驱动器,能够向高容性负载提供 2.0 安培的峰值电流。
    数据手册
    • 1+

      ¥18.2
    • 10+

      ¥15.34
    • 30+

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