IDT驱动芯片_厂家_价格_品牌_库存

型号：DA7280-00V42 编号：C2155361

封装：WLCSP-12(1.4x1.8)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

数据手册

1+
￥14.9
10+
￥14.55
30+
￥14.32

有货

立即购买

型号：HIP2103FRTAAZ 编号：C1549569

封装：TDFN-8-EP(3x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是高频率MOSFET驱动器，优化用于在同步降压转换器拓扑中驱动两个N沟道功率MOSFET，有HI/LI输入或单PWM输入。由单个低压电源（5V）偏置，可减少在高MOSFET栅极电容和高开关频率应用中的驱动器开关损耗，能够以小于15ns的上升/下降时间驱动3nF负载。上栅极驱动器采用内部低正向压降二极管实现自举，降低实施成本和复杂性，允许使用更高性能、更具成本效益的N沟道MOSFET。HIP2106A集成了自适应直通保护，防止两个MOSFET同时导通

数据手册

1+
￥15.84
10+
￥15.47
30+
￥15.23

有货

立即购买

型号：ISL6208CRZ-T 编号：C3655341

封装：QFN-8(3x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL6208和ISL6208B是高频双MOSFET驱动器，针对同步整流降压转换器拓扑中驱动两个N沟道功率MOSFET进行了优化。它们特别适用于要求高效率和出色热性能的移动计算应用。这些驱动器与英特矽尔（Intersil）多相降压PWM控制器相结合，可为先进的移动微处理器提供完整的单级核心电压调节器解决方案

1+
￥23.18
10+
￥19.96
30+
￥18.05

有货

立即购买

型号：ISL78444AVEZ-T7A 编号：C2677024

封装：HTSSOP-14-EP

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL78424、ISL78434和ISL78444是汽车级（AEC - Q100 1级）高压、高频半桥NMOS FET驱动器，用于驱动最高70V的半桥拓扑的栅极。该系列半桥驱动器具有3A源极、4A灌极的峰值栅极驱动电流。ISL78424和ISL78444具有单个三电平PWM输入，用于控制两个栅极驱动器

数据手册

1+
￥24.45
10+
￥23.85
30+
￥23.45

有货

立即购买

型号：EL7202CSZ 编号：C1549300

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

EL7202、EL7212、EL7222 集成电路是匹配的双驱动器，可改善行业标准 DS0026 时钟驱动器的性能。安伦（Elantec）版本是高速驱动器，能够向高容性负载提供 2.0 安培的峰值电流。

数据手册

1+
￥27.77
10+
￥23.75
30+
￥21.36

有货

立即购买

型号：HIP4086ABZT 编号：C44467

封装：SOIC-24-300mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

80V，500mA，3相，MOS驱动IC

数据手册

1+
￥28.84
10+
￥24.82
30+
￥22.43

有货

立即购买

型号：EL7457CUZ-T13 编号：C2677256

封装：QSOP-16-150mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款高速、同相、四路CMOS驱动器，能够以高达40MHz的时钟速率运行，具有2A的峰值驱动能力和仅3Ω的标称导通电阻。适用于驱动高容性负载，如CCD应用中的存储和垂直时钟。也适用于ATE引脚驱动、电平转换和时钟驱动应用。能够使用单电源或双电源供电，同时使用接地参考输入

数据手册

1+
￥81.09
10+
￥69.84
30+
￥62.99

有货

立即购买

型号：ISL6208BCRZ-T 编号：C2677084

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL6208和ISL6208B是高频双MOSFET驱动器，针对同步整流降压转换器拓扑结构驱动两个N沟道功率MOSFET进行了优化。它们特别适用于要求高效率和出色热性能的移动计算应用。这些驱动器与英特矽尔（Intersil）多相降压PWM控制器相结合，可为先进的移动微处理器形成完整的单级核心电压调节器解决方案

数据手册

1+
￥5.24
10+
￥5.13
30+
￥5.05

有货

立即购买

型号：ISL83202IBZT 编号：C2677313

封装：SOIC-16

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL83202是一款中频H桥FET驱动器，其峰值驱动电流可达1A（典型值），旨在驱动中压应用中的高端和低端N沟道MOSFET。该器件针对PWM电机控制和不间断电源系统进行了优化，可实现基于电桥的简单灵活设计。ISL83202的典型输入至输出传播延迟低至25ns，用户可编程死区时间范围为0.1μs至4.5μs，非常适合高达200kHz的开关频率

数据手册

1+
￥12.02
10+
￥11.74
30+
￥11.56

有货

立即购买

型号：ISL6625ACRZ-T 编号：C2677223

封装：DFN-8-EP(2x2)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款高频MOSFET驱动器，用于在同步整流降压转换器拓扑中驱动上下功率N沟道MOSFET。上下栅极均驱动至外部施加的电压，具备优化涉及栅极电荷和传导损耗之间权衡的应用的能力。集成了先进的自适应直通保护，以防止上下MOSFET同时导通并最小化死区时间。具有过压保护功能，当VCC低于POR阈值时仍可工作。

数据手册

1+
￥22.02
10+
￥21.51
30+
￥21.17

有货

立即购买

型号：ISL55110IRZ-T7A 编号：C2653439

封装：VQFN-16-EP(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL55110和ISL55111是双路高速MOSFET驱动器，适用于需要精确脉冲生成和缓冲的应用。目标应用包括超声、CCD成像、压电距离传感和时钟生成电路。这些器件具有宽输出电压范围和低导通电阻，能够驱动各种阻性和容性负载，实现快速的上升和下降时间，满足大型CCD阵列成像应用对高速运行和低偏斜的要求

数据手册

1+
￥25.32
10+
￥24.74
30+
￥24.34

有货

立即购买

型号：EL7252CSZ 编号：C1549362

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

数据手册

1+
￥29.39
10+
￥28.71
30+
￥28.25

有货

立即购买

型号：ISL2111BR4Z 编号：C1549615

封装：DFN-8-EP(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL2110、ISL2111是100V高频半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它们基于广受欢迎的HIP2100、HIP2101半桥驱动器，但在性能上有多处改进。峰值输出上拉/下拉电流已提升至3A/4A，这显著降低了开关功率损耗，并且在许多应用中无需使用外部图腾柱缓冲器

1+
￥31.38
10+
￥30.64
30+
￥30.15

有货

立即购买

型号：EL7104CNZ 编号：C1549554

封装：PDIP-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

EL7104是一款匹配驱动集成电路（IC），可提升行业标准TC - 4420/29时钟驱动器的性能。安伦（Elantec）版本是一款超高速驱动器，能够向高容性负载提供1A的峰值电流。其高速性能通过专有的“Turbo - Driver”电路实现，该电路通过利用输出端更宽的电压摆幅来加快输入级的速度

数据手册

1+
￥39.25
10+
￥38.37
30+
￥37.79

有货

立即购买

型号：RAA2260544GNP#HA0 编号：C20353803

封装：-

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1+
￥70.02
10+
￥67.91

有货

立即购买

型号：EL7155CSZ 编号：C1549341

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

1+
￥78.98
10+
￥75.31
30+
￥68.95

有货

立即购买

型号：RAA2213204GNP#HB0 编号：C21895234

封装：-

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

RAA221320是一款智能功率级（SPS），与ISL68xxx/69xxx数字多相（DMP）控制器兼容。该智能功率级集成了高精度电流和温度监测器，可将反馈信息传输至控制器，以完善多相DC/DC系统。这些监测器省去了DCR感测网络及相关热补偿，简化了设计并提升了性能

1+
￥138.93
10+
￥134.9

有货

立即购买

型号：HIP2211FR8Z 编号：C20350731

封装：DFN-8(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP2210和HIP2211是100V、源电流3A、灌电流4A的高频半桥NMOS FET驱动器。HIP2211具有标准的HI/LI输入，且引脚与瑞萨（Renesas）的热门桥接驱动器（如HIP2101和ISL2111）兼容。HIP2210具有带可编程死区时间的三电平PWM输入

1+
￥7.41
10+
￥7.23
30+
￥7.1

有货

立即购买

型号：HIP2211FBZ-T 编号：C22637560

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是100V、3A源极、4A漏极的高频半桥NMOS FET驱动器。具有标准HI/LI输入，与流行的瑞萨桥驱动器引脚兼容。具有三电平PWM输入和可编程死区时间。其6V至18V的宽工作电源范围和集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。具有强大的3A源极、4A漏极驱动器，典型传播延迟非常快，为15ns，典型延迟匹配为2ns，非常适合高频开关应用。VDD和自举欠压锁定可防止欠压操作。

1+
￥16.15
10+
￥15.8
30+
￥15.56

有货

立即购买

型号：HIP4081AIBZT 编号：C309795

封装：SOIC-20-300mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP4081A是一款高频、中压全桥N沟道FET驱动IC，提供20引脚塑料SOIC和DIP封装。除了会导致直通情况的开关组合外，HIP4081A可以驱动任何可能的开关组合。HIP4081A的开关频率可达1MHz，非常适合驱动音圈电机、高频开关功率放大器和电源。例如，HIP4081A可以驱动中压有刷电机，两个HIP4081A可用于驱动高性能步进电机，因为极短的最小“导通时间”可提供精细的微步进能力。约55ns的短传播延迟可最大化控制环路的交叉频率，死区时间可调节至接近零以最小化失真，从而实现对驱动负载的快速、精确控制。

数据手册

20+
￥15.470885
100+
￥13.347429
1000+
￥12.285702

我要订货

型号：ISL83202IBZ 编号：C3655228

封装：SOIC-16

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是一款中频H桥FET驱动器，能够提供1A（典型值）的峰值驱动电流，用于在中压应用中驱动高端和低端N沟道MOSFET。针对PWM电机控制和不间断电源系统进行了优化，可实现基于桥接的简单灵活设计。典型输入到输出传播延迟低至25ns，用户可编程死区时间范围为0.1μs至4.5μs，适用于高达200kHz的开关频率。死区时间可通过单个电阻进行编程，四个独立的驱动器控制输入允许驱动各种开关组合，全局禁用输入可覆盖输入控制并在拉低时刷新自举电容。集成了欠压保护和直通保护，确保系统可靠运行。采用紧凑的16引脚SOIC和16引脚PDIP封装，工作温度范围为-55°C至+125°C。

1+
￥20.54
10+
￥20.06
30+
￥19.74

有货

立即购买

型号：DA7280-00FV2 编号：C2155365

封装：QFN-12(3x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

DA7280是一款线性谐振执行器（LRA）和偏心旋转质量块（ERM）触觉驱动器，具备自动闭环LRA谐振频率跟踪功能。该特性可确保在LRA生产公差、工作温度、老化和机械耦合等方面保持一致性。DA7280支持宽带操作，能充分发挥新型宽带和多向LRA的性能

数据手册

1+
￥21.49
10+
￥20.99
30+
￥20.66

有货

立即购买

型号：DA7282-00FVC 编号：C2155356

封装：QFN-12(3x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

数据手册

1+
￥22.33
10+
￥21.82
30+
￥21.47

有货

立即购买

型号：ISL78420AVEZ 编号：C1549366

封装：HTSSOP-14-EP

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL78420是一款具备三电平PWM输入的100V、2A高频半桥NMOS FET驱动器。其工作电源范围为8V至14V，并集成了高端自举偏置，支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。该驱动器设计用于与ISL78220和ISL78225“多相交错式升压PWM控制器”以及ISL78226“六相12V/48V双向同步PWM控制器”配合使用

数据手册

1+
￥25.69
10+
￥25.12
30+
￥24.74

有货

立即购买

型号：HIP4086ABZ 编号：C1549333

封装：SOIC-24-300mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

HIP4086 和 HIP4086A（统称 HIP4086/A）是三相 N 沟道 MOSFET 驱动器。这两款器件均专门用于 PWM 电机控制。这些驱动器具有灵活的输入协议，可驱动各种可能的开关组合

数据手册

1+
￥40.94
10+
￥39.99
30+
￥39.35

有货

立即购买

型号：ISL2111ARTZ-T 编号：C2677034

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL2110、ISL2111是100V高频半桥N沟道功率MOSFET驱动IC。它们基于广受欢迎的HIP2100、HIP2101半桥驱动器，但在性能上有多处改进。峰值输出上拉/下拉电流已提升至3A/4A，这显著降低了开关功率损耗，并且在许多应用中无需使用外部图腾柱缓冲器

1+
￥49.56
10+
￥42.93
30+
￥38.89

有货

立即购买

型号：ISL6208CBZ-T 编号：C2677051

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL6208和ISL6208B是高频双MOSFET驱动器，针对同步整流降压转换器拓扑结构驱动两个N沟道功率MOSFET进行了优化。它们特别适用于要求高效率和出色热性能的移动计算应用。这些驱动器与英特矽尔（Intersil）多相降压PWM控制器相结合，可为先进的移动微处理器形成完整的单级核心电压调节器解决方案

数据手册

1+
￥3.42
10+
￥3.33
30+
￥3.27

有货

立即购买

型号：ISL6612ACBZ-T 编号：C2677039

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

ISL6612A和ISL6613A是高频MOSFET驱动器，专为在同步整流降压转换器拓扑中驱动上、下功率N沟道MOSFET而设计。这些驱动器与HIP63xx或ISL65xx多相降压PWM控制器以及N沟道MOSFET相结合，可为先进微处理器提供完整的核心电压调节器解决方案。ISL6612A将上栅极驱动至12V，而下栅极可在5V至12V范围内独立驱动

数据手册

1+
￥12.99
10+
￥12.66
30+
￥12.44

有货

立即购买

型号：DA7281-00FVC 编号：C2155357

封装：QFN-12(3x3)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

DA7281是一款线性谐振致动器（LRA）和偏心旋转质量块（ERM）触觉驱动器，可自动进行闭环LRA谐振频率跟踪。该特性确保了LRA在生产公差、工作温度、老化和机械耦合方面的一致性。DA7281支持宽带操作，可充分发挥新型宽带和多向LRA的性能

数据手册

1+
￥24.34
10+
￥20.9
30+
￥18.86
250+
￥16.8
500+
￥15.84
1000+
￥15.41

订货

我要订货

型号：HIP2210FRTZ-T 编号：C3655656

封装：TDFN-10(4x4)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

是100V、3A源极、4A漏极高频半桥NMOS FET驱动器。具有标准HI/LI输入，与流行的瑞萨桥驱动器引脚兼容。具有三电平PWM输入，可编程死区时间。宽6V至18V工作电源范围和集成的高端自举二极管，支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。具有强大的3A源极、4A漏极驱动器，典型传播延迟为15ns，典型延迟匹配为2ns，适用于高频开关应用。VDD和自举欠压锁定可防止欠压操作。

1+
￥14.34
10+
￥14
30+
￥13.78
100+
￥13.56

订货

我要订货

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示