TIMOS驱动_厂家_价格_品牌_库存

型号：UC1705J 编号：C5218827

封装：CDIP-8

品牌：TI(德州仪器)

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1+
￥281.52
40+
￥267.84

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型号：UC1707L883B 编号：C5218815

封装：LCC-20(8.9x8.9)

品牌：TI(德州仪器)

功率驱动器采用高速肖特基工艺，用于在低电平控制功能和高功率开关设备（特别是功率MOSFET）之间进行接口。这些设备包含两个独立通道，每个通道可以由高或低输入逻辑电平信号激活。只要不超过功耗限制，每个输出可以提供或吸收高达1.5A的电流。虽然每个输出可以通过其自身的输入独立激活，但可以通过关断端子处的数字高信号或差分低电平模拟信号的作用将其共同拉低

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￥328.26
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￥310.84

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型号：LM5109BSD/NOPB 编号：C544701

封装：WSON-8-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5109B 具有 8V UVLO 和高噪声抗扰度的 1A、100V 半桥栅极驱动器

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单价：
￥3.015773 / 个

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型号：UCC27201D 编号：C544969

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

高频N沟道MOSFET驱动器系列包括一个120V自举二极管以及高端和低端驱动器，具有独立输入，可实现最大控制灵活性。这允许在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中控制N沟道MOSFET。低端和高端栅极驱动器独立控制，导通和关断之间的匹配时间为1ns。片上自举二极管消除了外部分立二极管。为高端和低端驱动器提供欠压锁定功能，若驱动电压低于指定阈值，则强制输出为低电平。提供两种版本，UCC27200具有高抗噪CMOS输入阈值，UCC27201具有TTL兼容阈值。

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1+
￥8.51
10+
￥7.07
30+
￥6.28

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型号：UCC27201DRMT 编号：C2677129

封装：VSON-8(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 3A、120V 半桥栅极驱动器 8-VSON -40 to 140

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1+
￥14.62
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￥12.46
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￥11.11

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型号：DRV8353RSRGZT 编号：C2150650

封装：VQFN-48-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8353R 具有降压稳压器和电流分流放大器的 102V（最大值）三相智能栅极驱动器

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单价：
￥24.142579 / 个

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型号：CSD95495QVMT 编号：C1879900

封装：VSON-18-EP(4x5)

品牌：TI(德州仪器)

CSD95495QVM 采用 4x5 SON 小型封装的 50A 同步降压 NexFET 智能功率级

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单价：
￥22.31928 / 个

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型号：DRV8432DKD 编号：C2861841

封装：HSSOP-36-11.0mm

品牌：TI(德州仪器)

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1+
￥104.5
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￥99.83
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￥91.75
100+
￥84.7

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型号：DRV2605LTDGSRQ1 编号：C2150588

封装：VSSOP-10-0.5mm

品牌：TI(德州仪器)

DRV2605L-Q1 具有 2V 工作电压、波形库和自动谐振跟踪功能的汽车类 ERM/LRA 触觉驱动器

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50+
￥8.475
100+
￥8.325
150+
￥8.25

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型号：DRV8323RHRGZT 编号：C2150467

封装：VQFN-48-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8323R 具有降压稳压器和电流分流放大器的最大 65V 三相智能栅极驱动器

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单价：
￥12.1 / 个

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型号：LM5113QDPRRQ1 编号：C2677036

封装：WSON-10-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5113-Q1 适用于 GaNFET 的汽车类 1.2A/5A、100V 半桥栅极驱动器

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单价：
￥16.87284 / 个

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型号：LMG3422R050RQZR 编号：C5218881

封装：VQFN-54(12x12)

品牌：TI(德州仪器)

LMG3422R050 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 600V 50mΩ GaN FET

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单价：
￥63.9468 / 个

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型号：UCC37322P 编号：C206171

封装：PDIP-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC37322 启用型单 9A 高速低侧 MOSFET 驱动器

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单价：
￥7.531238 / 个

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型号：LM5113SDX/NOPB 编号：C3655383

封装：WSON-10(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5113 适用于 GaN FET 的 1.2A/5A、90V 半桥栅极驱动器

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单价：
￥23.58936 / 个

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型号：CSD88599Q5DCT 编号：C701755

封装：SON-22(5x6)

品牌：TI(德州仪器)

CSD88599Q5DC 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、60V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块

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单价：
￥16.963727 / 个

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型号：DRV8962DDWR 编号：C21218303

封装：-

品牌：TI(德州仪器)

单价：
￥32.493321 / 个

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型号：LM5107SD/NOPB 编号：C2653795

封装：WSON-8-EP(4x4)

品牌：TI(德州仪器)

LM5107 具有 8V UVLO 的 1.4A、100V 半桥栅极驱动器

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1+
￥8.19702
50+
￥7.56648
100+
￥7.440372
500+
￥7.188156
1000+
￥7.062048

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型号：UCD7201PWPR 编号：C2677349

封装：HTSSOP-14-EP

品牌：TI(德州仪器)

具有单个公共电流感应的数字控制兼容双低侧 +/- 4A MOSFET 驱动器 14-HTSSOP -40 to 105

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单价：
￥12.022119 / 个

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型号：LMG3100R017VBER 编号：C44990765

封装：VQFN-FCRLF-15(4x6.2)

品牌：TI(德州仪器)

该产品是一款连续电压100V、脉冲电压120V的氮化镓（GaN）场效应管（FET），集成了驱动器。有两种导通电阻（Rds(on)）和最大电流的变体。GaN FET在功率转换方面具有显著优势，因为它们具有零反向恢复特性，并且输入电容Ciss和输出电容Coss非常小。驱动器和GaN FET安装在一个完全无键合线的封装平台上，可最大限度地减少封装寄生元件

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单价：
￥46.465859 / 个

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型号：UCC27524D 编号：C544760

封装：SOIC-8

品牌：TI(德州仪器)

UCC2752x系列器件是双通道、高速、低侧栅极驱动器，能够有效地驱动MOSFET和绝缘栅极型功率管(IGBT)电源开关。使用能够从内部大大降低击穿电流的设计，UCC2752x能够将高达5A拉电流和5A灌电流的高峰值电流脉传送到电容负载，此器件还具有轨到轨驱动能力和典型值为13ns的极小传播延迟。除此之外，此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟，这一特性使得此驱动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极驱动有严格计时要求的应用。

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单价：
￥6.739832 / 个

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型号：DRV8320RHRHAR 编号：C2150631

封装：WQFN-40-EP(6x6)

品牌：TI(德州仪器)

DRV8320R 具有降压稳压器的最大 65V 三相智能栅极驱动器

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50+
￥9.492
100+
￥9.324
150+
￥9.24

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型号：LM5113TME/NOPB 编号：C181340

封装：DSBGA-12

品牌：TI(德州仪器)

LM5113 适用于 GaN FET 的 1.2A/5A、90V 半桥栅极驱动器

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单价：
￥20.405642 / 个

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型号：DRV3946QPWPRQ1 编号：C29976057

封装：HTSSOP-28-EP

品牌：TI(德州仪器)

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单价：
￥46.515029 / 个

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型号：UCC27533DBVT 编号：C2677061

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

低成本栅极驱动器（提供用于驱动FET 和IGBT 的最佳解决方案）分立式晶体管对驱动器的出色替代产品（提供与控制器的简便对接） UCC2753x 单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET 和IGBT 电源开关。UCC2753x 器件采用一种通过不对称驱动（分离输出）提供高达2.5A 和5A灌电流的设计，同时结合了支持负关断偏置电压、轨至轨驱动功能、极小传播延迟（通常为17ns）的功能，是MOSFET 和IGBT 电源开关的理想解决方案。UCC2753x 系列器件也可支持使能、双输入以及反相和同相输入功能。

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