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首页 > 热门关键词 > TIMOS驱动
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可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET;在 DRC 封装中启用/禁用功能;禁用时消耗的电流很低 (7μA);16ns 典型传播延迟;1800pF 负载时的上升时间为 12ns,下降时间典型值为 10ns;1ns 典型延迟匹配;集成式 100V 自举二极管;8V 典型欠压锁定;输入引脚上接受的绝对最大负电压 (–5V);HS 引脚上接受的绝对最大负电压 (-14V);±3A 峰值输出电流;绝对最大启动电压为 120V;输入相互独立且 VDD;两个通道的欠压锁定;额定结温范围为 –40°C 至 140°C。
数据手册
  • 1+

    ¥5.5
  • 10+

    ¥5.36
  • 30+

    ¥5.26
  • 有货
  • UCC2752x系列器件是双通道、高速、低侧栅极驱动器,能够有效地驱动MOSFET和绝缘栅极型功率管(IGBT)电源开关。使用能够从内部大大降低击穿电流的设计,UCC2752x能够将高达5A拉电流和5A灌电流的高峰值电流脉传送到电容负载,此器件还具有轨到轨驱动能力和典型值为13ns的极小传播延迟。除此之外,此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟,这一特性使得此驱动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极驱动有严格计时要求的应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.87
    • 10+

      ¥5.72
    • 30+

      ¥5.62
  • 有货
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      ¥7.62
    • 10+

      ¥7.44
    • 30+

      ¥7.32
  • 有货
  • DRV8300U 具有自举二极管和增强型 UVLO 保护的 100V(最大值)简单三相栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥8.03
    • 10+

      ¥7.83
    • 30+

      ¥7.69
  • 有货
  • DRV8106-Q1 具有离线诊断功能和直列式电流检测放大器的汽车类 40V 半桥智能栅极驱动器。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.09
    • 10+

      ¥7.89
    • 30+

      ¥7.75
  • 有货
  • 低成本栅极驱动器(提供用于驱动FET 和IGBT 的最佳解决方案) 分立式晶体管对驱动器的出色替代产品(提供与控制器的简便对接) UCC2753x 单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET 和IGBT 电源开关。UCC2753x 器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A 和5A灌电流的设计,同时结合了支持负关断偏置电压、轨至轨驱动功能、极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET 和IGBT 电源开关的理想解决方案。UCC2753x 系列器件也可支持使能、双输入以及反相和同相输入功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.61
    • 10+

      ¥7.59
    • 30+

      ¥6.88
  • 有货
  • LM5112 用于双电源操作、具有 4V UVLO 和输入接地的 3A/7A 单通道栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥9.15
    • 10+

      ¥8.94
    • 30+

      ¥8.8
  • 有货
  • 具有 5V UVLO、使能功能和负输入电压处理能力的 5A/5A 双通道栅极驱动器 8-HVSSOP -40 to 140
    数据手册
    • 1+

      ¥9.23
    • 10+

      ¥9
    • 30+

      ¥8.84
  • 有货
    • 1+

      ¥10.34
    • 10+

      ¥10.1
    • 30+

      ¥9.93
  • 有货
  • TPS28226 具有 8V UVLO、用于同步整流的 4A、27V 半桥栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥11.35
    • 10+

      ¥11.06
    • 30+

      ¥10.87
  • 有货
    • 1+

      ¥11.54
    • 10+

      ¥11.26
    • 30+

      ¥11.07
  • 有货
    • 1+

      ¥12.11
    • 10+

      ¥11.81
    • 30+

      ¥11.62
  • 有货
    • 1+

      ¥12.39
    • 10+

      ¥12.1
    • 30+

      ¥11.9
  • 有货
  • TPS59603-Q1 适用于汽车应用中高频 CPU 内核电源的同步降压 FET 驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥12.51
    • 10+

      ¥12.22
    • 30+

      ¥12.03
  • 有货
  • 是一款耐用的N沟道MOSFET驱动器,最大开关节点(HS)额定电压为100 V。它允许在半桥或同步降压配置的拓扑中控制两个N沟道MOSFET。其3 A的峰值源电流和灌电流以及低上拉和下拉电阻,使得在MOSFET米勒平台过渡期间,能够以最小的开关损耗驱动大功率MOSFET。由于输入独立于电源电压,可与模拟和数字控制器配合使用
    • 1+

      ¥12.86
    • 10+

      ¥12.54
    • 30+

      ¥12.32
  • 有货
  • LM5110 具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥14.39
    • 10+

      ¥14.04
    • 30+

      ¥13.81
  • 有货
  • 是一款坚固的栅极驱动器,设计用于在半桥或同步降压配置中驱动两个N沟道MOSFET,绝对最大自举电压为120V。其3.7A峰值源电流和4.5A峰值灌电流能力,使该驱动器能够驱动大功率MOSFET,并在通过米勒平台的过渡期间将开关损耗降至最低。开关节点(HS引脚)可以处理负瞬态电压,从而保护高端通道免受寄生电感和杂散电容引起的固有负电压的影响。 输入与电源电压无关,能够承受-10V至+20V的绝对最大额定值
    数据手册
    • 1+

      ¥14.66
    • 10+

      ¥14.29
    • 30+

      ¥14.05
  • 有货
  • 低成本栅极驱动器(提供用于驱动FET 和IGBT 的最佳解决方案) 分立式晶体管对驱动器的出色替代产品(提供与控制器的简便对接) UCC2753x 单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET 和IGBT 电源开关。UCC2753x 器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A 和5A灌电流的设计,同时结合了支持负关断偏置电压、轨至轨驱动功能、极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET 和IGBT 电源开关的理想解决方案。UCC2753x 系列器件也可支持使能、双输入以及反相和同相输入功能。
    数据手册
    • 1+

      ¥15.58
    • 10+

      ¥13.15
    • 30+

      ¥11.62
  • 有货
  • LM5105 具有 8V UVLO 和可编程死区时间的 1.8、1.6A、100V 半桥栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥15.75
    • 10+

      ¥13.37
    • 30+

      ¥11.88
  • 有货
  • 同相 4A/4A 双通道低侧栅极驱动器 8-PDIP -40 to 125
    数据手册
    • 1+

      ¥16.03
    • 10+

      ¥15.63
    • 30+

      ¥15.36
  • 有货
  • LM5134 具有 4V UVLO 和互补分离输出的 7.6A/4.5A 单通道栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥16.07
    • 10+

      ¥15.67
    • 30+

      ¥15.41
  • 有货
  • TPS2815 具有 2 个与非门输入(每个输出各一个)的 2A/2A 双路栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥17.25
    • 10+

      ¥16.85
    • 30+

      ¥16.58
  • 有货
  • 专为驱动采用半桥或同步降压配置的两个N沟道MOSFET而设计,绝对最大自举电压为120V。凭借3.7A的峰值拉电流和4.5A的峰值灌电流能力,可在驱动大功率MOSFET的同时,使切换过程经过米勒平坦区时实现极低的开关损耗。开关节点(HS引脚)可处理负瞬态电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和杂散电容所固有的负电压影响。输入与电源电压无关,并且能够承受 -10V和 +20V的绝对最大额定值
    数据手册
    • 1+

      ¥17.37
    • 10+

      ¥16.94
    • 30+

      ¥16.66
  • 有货
  • 驱动器相比其他产品具有显著的性能提升。峰值输出上拉和下拉电流已提高至3.7A拉电流和4.5A灌电流,因此可在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构可直接处理 -10VDC电压,这提高了器件的稳健性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器直接连接。此外,输入还独立于电源电压,且具有20V的最大额定值
    数据手册
    • 1+

      ¥17.42
    • 10+

      ¥16.99
    • 30+

      ¥16.7
  • 有货
  • UCC2720x系列高频N沟道MOSFET驱动器内置一个120V自举二极管,以及具有独立输入的高端和低端驱动器,可实现最大的控制灵活性。这使得它能够在半桥、全桥、双开关正激和有源钳位正激转换器中对N沟道MOSFET进行控制。低端和高端栅极驱动器可独立控制,且导通和关断时间匹配精度达1ns
    数据手册
    • 1+

      ¥18.25
    • 10+

      ¥15.55
    • 30+

      ¥13.95
  • 有货
  • LM5101B 具有 8V UVLO 和 TTL 输入的 2A、100V 半桥栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥18.32
    • 10+

      ¥17.86
    • 30+

      ¥17.56
  • 有货
  • LM5110 具有 4V UVLO、专用输入接地和关断输入的 5A/3A 双通道栅极驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥18.52
    • 10+

      ¥18.09
    • 30+

      ¥17.8
  • 有货
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