博通光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：HCPL-354-000E 编号：C17699471

封装：Mini-4-FlAt

品牌：Broadcom(博通)

博通（Broadcom）HCPL - 354 包含一个光电晶体管，与两个反向并联连接的发光二极管（LED）进行光耦合。它可以由交流输入电流直接驱动。该器件采用 4 引脚迷你扁平表面贴装器件（SMD）封装，具有……（原文此处未完整）

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￥3.06
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型号：ACPL-M62L-500E 编号：C6733637

封装：SOIC-5-175mil

品牌：Broadcom(博通)

是一种光耦合器，结合了AlGaAs发光二极管和集成高增益光电探测器，满足低功耗需求。该光耦合器在整个温度范围内最大Ipo功耗为1.5mA，正向电流低至2mA，因此允许大多数微处理器进行直流驱动。支持3.3V和5V电源电压，在-40°C至+105°C范围内保证交流和直流工作参数。探测器IC的输出为开漏类型，内部法拉第屏蔽提供了20kV/μs的共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现最大交流和直流电路隔离的同时，实现了TTL/CMOS兼容性。这些光耦合器适用于高速逻辑接口，同时功耗极低。

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型号：ACPL-W343-060E 编号：C49269464

封装：SO-6

品牌：Broadcom(博通)

包含一个AlGaAs LED，该LED与具有功率输出级的集成电路进行光耦合。此光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/200A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，该光耦合器可用于驱动一个分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。

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型号：HCPL-0701-000E 编号：C2686015

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

这些高增益系列耦合器使用发光二极管和集成高增益光电探测器，在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与 TTL 兼容的饱和电压和高速运行。如有需要，可将 VCC 和 VO 端子连接在一起，以实现传统的光电达林顿操作。基极接入端子允许进行增益带宽调整

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型号：ASSR-1218-003E 编号：C1525239

封装：SO-4

品牌：Broadcom(博通)

由红外发光二极管（LED）输入级组成，该输入级与高压输出检测电路光耦合。检测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。继电器通过输入LED的最小输入电流为3 mA时开启（触点闭合）。输入电压为0.8V或更低时，继电器关闭（触点断开）。单通道配置相当于1 Form A机电继电器（EMR），双通道配置相当于2 Form A EMR。它们有4引脚SO、6引脚DIP、8引脚DIP和鸥翼表面贴装DIP封装。ASSR-1219支持AC/DC和仅DC输出连接。对于仅DC连接，输出电流IO增加到0.4A，导通电阻R(ON)降至2.5Ω。

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型号：HCPL-0611-000E 编号：C6795888

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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￥14.65
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￥14.08

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型号：HCPL-4506-300E 编号：C5649844

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

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型号：HCPL-316J 编号：C17521240

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Broadcom(博通)

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￥16.3

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型号：HCPL-2611-300E 编号：C6873706

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

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￥17.22

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型号：ACPL-P341-500E 编号：C19673762

封装：SOP-6

品牌：Broadcom(博通)

包含一个AlGaAs LED，它与具有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/50A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，该光耦合器可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5中，其绝缘电压分别最高可达VIOM = 891Vpeak和VIOM = 1140Vpeak。

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￥18.09
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￥17.38

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型号：ACPL-W21L-560E 编号：C5937750

封装：SOIC-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

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￥17.8

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型号：HCPL-2201-000E 编号：C6052292

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合逻辑门。HCPL22XX和HCPL-02XX包含GaAsP LED，而HCNW22XX包含AlGaAs LED。探测器具有图腾柱输出级和内置施密特触发器的光接收器输入级，可提供逻辑兼容波形，无需额外的波形整形。

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￥19.28
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型号：HCPL-0500-000E 编号：C6795948

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在 LED 和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有 8 引脚 DIP、SO-8 和宽体封装配置。部分产品适用于 TTL/CMOS、TTL/LSTTL 或宽带模拟应用，在 IF = 16mA 时，电流传输比 (CTR) 最小为 7%

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型号：HCPL-J312-300E 编号：C6795926

封装：SMD-8P

品牌：Broadcom(博通)

包含GaAsP LED，或包含AlGaAs LED。LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压

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￥20.29
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￥19.52

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型号：ACPL-M43T-000E 编号：C6795924

封装：SOIC-5

品牌：Broadcom(博通)

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￥19.98

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型号：ACPL-P314-000E 编号：C18198822

封装：SOP-6

品牌：Broadcom(博通)

由GaAsP LED与带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率IGBT。

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￥21.92
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￥21.14

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型号：ACPL-P345-500E 编号：C691960

封装：SO-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

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￥22.06
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型号：ACPL-K49T-560E 编号：C6795945

封装：SMD

品牌：Broadcom(博通)

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型号：HCPL-T250-000E 编号：C17663508

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

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型号：ACPL-W61L-000E 编号：C6118324

封装：SOIC-6-4.6mm

品牌：Broadcom(博通)

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￥22.48
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￥21.99
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￥21.65

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型号：HCPL-261A-000E 编号：C5729233

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

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￥22.78
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型号：HCPL-050L-000E 编号：C6795873

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器使用 LED 和集成光电探测器之间的绝缘层，在输入和输出之间提供电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些光耦合器有 8 引脚 DIP 和行业标准 SO-8 封装。SO-8 封装不需要在 PCB 上打“通孔”，该封装占用的面积约为标准双列直插式封装的三分之一，引脚轮廓设计为与标准表面贴装工艺兼容。这些光耦合器可用于 LVTTL/LVCMOS 或宽带模拟应用。这些光耦合器保证在 VCM = 10V 时，共模瞬态抗扰度最小为 1000 V/μs 至典型值。

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￥23.67
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￥20.38
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￥18.43

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型号：HCPL-2630-300E 编号：C6795930

封装：SMD-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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￥23.77
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￥22.85

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型号：HCPL-2631-300E 编号：C6795947

封装：SMD-8,P=2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内得到保证，确保系统无故障运行。

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￥23.91
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￥23.35
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￥22.98

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型号：ACPL-H312-560E 编号：C6795934

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

包含一个GaAsP LED，该LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。这些光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/100A的IGBT。对于额定值较高的IGBT，可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。

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￥24.39
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￥23.9
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￥23.57

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型号：ACNU-4804-000E 编号：C17338976

封装：SOIC-8-9.6mm

品牌：Broadcom(博通)

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￥24.54
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￥24
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￥23.64

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型号：ACPL-M483-000E 编号：C19673760

封装：SOIC-5

品牌：Broadcom(博通)

高速光耦合器包含一个AlGaAs LED和带有内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件间的传播延迟差异最小化，使这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的优秀解决方案。

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￥24.59
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￥21.21
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￥19.2

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型号：ACPL-M61M-000E 编号：C6114668

封装：SOIC-5-175mil

品牌：Broadcom(博通)

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￥25.34
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￥24.78
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￥24.4

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型号：ACPL-K34T-000E 编号：C7466718

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

2.5安培汽车级R2Coupler栅极驱动光耦合器包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED），它与一个带有功率输出级的集成电路进行光耦合。ACPL - K34T具有快速传播延迟和严格的时序偏差，专为驱动AC - DC和DC - DC转换器中使用的功率MOSFET而设计。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压

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￥25.56
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￥24.96
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￥24.56

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型号：ACPL-K30T-560E 编号：C17395588

封装：SOIC-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

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