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    ¥45.35
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    ¥44.35
  • 30+

    ¥43.68
  • 有货
  • 光耦合门,结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在 3.3V 时提供 15kV/μs 的保证共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现 LVTTL/LVCMOS 兼容性的同时,提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +100°C 范围内得到保证,确保系统无故障运行。
    • 1+

      ¥49.83
    • 10+

      ¥48.73
    • 30+

      ¥47.99
  • 有货
  • 这些双通道光耦合器包含一对分离的GaAsP发光二极管,它们与一对集成高增益光电探测器进行光耦合。它们提供极高的电流传输比和出色的输入-输出共模瞬态抗扰度。光电二极管和第一增益级的独立引脚(VCC)允许比传统光电达林顿型光耦合器更低的输出饱和电压和更高的速度操作。此外,VCC低至1.6V时也不会对参数性能产生不利影响。这些双通道光耦合器有8引脚DIP和行业标准SO-8封装。SO-8封装不需要在PCB上有“通孔”,该封装占用的面积约为标准双列直插式封装的三分之一,引脚轮廓设计为与标准表面贴装工艺兼容。
    • 1+

      ¥50.58
    • 10+

      ¥43.81
    • 30+

      ¥39.69
  • 有货
  • 由一个LED与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/50A的IGBT。对于额定值更高的IGBT,可用于驱动一个分立功率级,该功率级驱动IGBT栅极。
    • 1+

      ¥50.79
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      ¥44.08
    • 45+

      ¥40
  • 有货
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    • 10+

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    • 30+

      ¥51.54
  • 有货
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    • 10+

      ¥53.85
    • 50+

      ¥53.04
  • 有货
  • 包含一个AlGaAs LED,该LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/200 A、600 V/300 A的IGBT。对于额定值更高的IGBT,可用于驱动分立功率级,该功率级驱动IGBT栅极。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5中具有最高1414 Vpeak的绝缘电压。
    • 1+

      ¥55.13
    • 10+

      ¥46.92
    • 30+

      ¥41.92
  • 有货
    • 1+

      ¥59.54
    • 10+

      ¥58.22
    • 45+

      ¥57.34
  • 有货
  • 光耦合门,结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时,共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时,提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内得到保证,确保系统无故障运行。
    • 1+

      ¥60.28
    • 10+

      ¥52.21
    • 30+

      ¥47.29
  • 有货
  • ACNU - 3430是一款采用11毫米SSO8封装的5A栅极驱动光耦合器器件,专为高压、空间受限的工业应用而设计,包括电机驱动器和太阳能逆变器。该封装平台具有11毫米的宽爬电距离和10.5毫米的电气间隙、1414 VPEAK的高绝缘电压(VIORM),且封装尺寸紧凑,比400密耳DIP - 8封装小40%。
    • 1+

      ¥61.35
    • 10+

      ¥53.14
    • 40+

      ¥48.13
  • 有货
  • 这些双通道光耦合器包含一对发光二极管和集成光电探测器,输入和输出之间具有电气绝缘。通过降低基极-集电极电容,光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。
    • 1+

      ¥62.06
    • 10+

      ¥53.83
    • 30+

      ¥48.81
  • 有货
    • 1+

      ¥63.98
    • 10+

      ¥62.57
    • 30+

      ¥61.62
  • 有货
  • 这些是非常低功耗、高增益的单通道和双通道光耦合器。单通道8引脚DIP配置与行业标准6N139引脚兼容,双通道8引脚DIP配置与流行标准HCPL-2731引脚兼容。SO-8封装的单通道和双通道产品与之等效。每个通道可以用低至40μA的输入电流驱动,典型电流传输比为3500%
    • 1+

      ¥66.02
    • 10+

      ¥57.74
    • 30+

      ¥52.69
  • 有货
  • 包含一个 AlGaAs LED,该 LED 通过光耦合器连接到带有功率输出级的集成电路。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供门控器件所需的驱动电压。
    • 1+

      ¥68.24
    • 10+

      ¥59.11
    • 42+

      ¥53.54
  • 有货
  • 专为高电流应用而设计,常见于工业设备中。该继电器是单极、常开、1 Form A机电继电器的固态替代品。由一个AlGaAs红外发光二极管(LED)输入级组成,该输入级通过光耦合到一个高压输出检测电路。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路组成,用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为5 mA时,继电器开启(触点闭合)。当输入电压为0.8V或更低时,继电器关闭(触点断开)。电气和开关特性在-40℃至+85℃的温度范围内有规定。连接A允许继电器切换交流或直流负载。连接B具有降低导通电阻和更高输出电流的优点,仅允许继电器切换直流负载。
    • 1+

      ¥70.53
    • 10+

      ¥61.22
    • 50+

      ¥55.55
  • 有货
  • CMOS数字隔离器具有高速性能和出色的瞬态抗扰度规格。对称磁耦合屏障使这些器件的典型脉冲宽度失真为2 ns,典型传播延迟偏差为4 ns,数据速率为100 Mbaud,使其成为行业中最快的数字隔离器。单通道数字隔离器具有低电平有效逻辑输出使能。双通道数字隔离器配置为单向和双向,以全双工模式运行,非常适合数字现场总线应用
    • 1+

      ¥122.52
    • 10+

      ¥117.05
    • 30+

      ¥107.58
  • 有货
    • 1+

      ¥125.19
    • 10+

      ¥119.6
    • 30+

      ¥109.92
  • 有货
    • 1+

      ¥149.53
    • 10+

      ¥145.02
  • 有货
  • 超低功耗数字光耦合器结合了AlGaAs发光二极管 (LED) 和集成高增益光电探测器。光耦合器功耗极低,在整个温度范围内,每通道IDD2电流最大为1.3mA。LED正向电流低至1.6mA,大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20kV/μs的共模瞬态抗扰度规格。在保持TTL/CMOS兼容性的同时,实现了最大的AC和DC电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能,可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作,在-40℃至+105℃的宽温度范围内保证AC和DC性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.3151
    • 50+

      ¥6.7524
    • 100+

      ¥6.47105
    • 500+

      ¥6.30224
    • 1000+

      ¥6.1897
    光耦合逻辑门,包含GaAsP LED或AlGaAs LED。探测器具有图腾柱输出级和内置施密特触发器的光接收器输入级,可提供逻辑兼容波形,无需额外的波形整形。部分型号的内部屏蔽可保证在1000伏共模电压下具有10kV/μs的共模瞬态抗扰度。
    • 1+

      ¥52
    • 10+

      ¥45.1
    • 50+

      ¥40.9
  • 有货
    • 1+

      ¥7.21
    • 200+

      ¥2.88
    • 500+

      ¥2.79
    • 1000+

      ¥2.74
  • 订货
  • 快速速度光耦合器包含一个GaAsP LED和带有内置施密特触发器的光电探测器,可提供逻辑兼容波形,无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻,可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。
    • 1+

      ¥33.47
    • 10+

      ¥28.48
    • 50+

      ¥25.51
    • 100+

      ¥22.51
    • 500+

      ¥21.12
    • 1000+

      ¥20.5
  • 订货
  • 光耦合门,结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时,共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时,提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证,确保系统无故障运行。
    • 1+

      ¥72.52
    • 10+

      ¥68.86
    • 30+

      ¥62.53
    • 100+

      ¥57
  • 订货
  • HCPL - 181包含一个发光二极管和一个光晶体管,二者通过光耦合。它采用4引脚迷你扁平SMD封装,封装高度为2.0 mm。
    数据手册
    • 单价:

      ¥1.089709 / 个
    HCPL - 817包含一个发光二极管,该二极管与一个光电晶体管进行光耦合。它采用4引脚DIP封装,有宽引脚间距选项和引脚弯折SMD选项。输入 - 输出隔离电压为5000 Vrms
    数据手册
    • 单价:

      ¥2.776333 / 个
    是一种光耦合门,结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。探测器 IC 的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在 3.3V 工作时可保证 15kV/μs 的共模瞬态抗扰度。这种独特的设计在实现 LVTTL/LVCMOS 兼容性的同时,提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40℃ 至 +100℃ 范围内得到保证,可确保系统无故障运行。适用于高速逻辑接口、输入/输出缓冲,可作为传统线路接收器无法耐受环境中的线路接收器,推荐在极高接地或感应噪声环境中使用。
    • 1+

      ¥30.68
    • 10+

      ¥26.42
    • 30+

      ¥23.89
    • 150+

      ¥21.33
    • 450+

      ¥20.15
    • 1050+

      ¥19.62
  • 订货
  • 利用最新的CMOS IC技术,实现出色的速度和低功耗性能,最低数据速率为25 MBd,最大脉冲宽度失真为6 ns,相对于系统级IEC 61000-4-X测试(ESD/突发/浪涌)具有增强的可靠性。采用SO-8封装,基本构建模块包括CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS检测器IC。CMOS逻辑输入信号控制LED驱动IC,该驱动IC为LED提供电流。检测器IC包含集成光电二极管、高速跨阻放大器和带输出驱动器的电压比较器。
    数据手册
    • 1+

      ¥16.95
    • 20+

      ¥16.272
    • 100+

      ¥15.594
    • 200+

      ¥15.1872
    • 500+

      ¥14.916
    • 1+

      ¥19.7
    • 20+

      ¥18.912
    • 100+

      ¥18.124
    • 200+

      ¥17.6512
    • 500+

      ¥17.336
    光耦合器将820 nm AlGaAs光子发射二极管与集成高增益光子探测器相结合。这种由安华高设计和制造的半导体器件组合,为隔离逻辑和数据通信电路的设计者带来了新的高性能能力。 新型低电流、高速AlGaAs发射器采用独特的扩散结制造,在低驱动电流下具有快速上升和下降时间的优点。这些独特的特性使该器件可用于具有接地环路隔离和改进共模抑制的RS-232-C接口。作为线路接收器,由于较低的IF和VF规格,在给定的数据速率下,HCPL-2300/HCPL-0300将在更长的线路长度上工作。
    • 单价:

      ¥64.663631 / 个
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