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首页 > 热门关键词 > 博通光耦
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高速、低功耗数字光耦合器
型号：ACPL-M72T-500E 编号：C6795955
封装：SO-5-175mil
品牌：Broadcom(博通)
是高温数字CMOS光耦合器，采用SOIC-5封装。适用于混合动力和电动汽车应用，使用最新的CMOS IC技术实现出色性能和极低功耗。所有器件均符合AEC-Q100标准，工作温度范围为-40°C至125°C。使用高速LED，使用低电流LED以降低功耗。高速型最大传播延迟为35 ns（IF = 10mA），低功耗型典型传播延迟为60 ns（LED驱动电流为4 mA）。每个数字光耦合器都有一个CMOS探测器IC、一个集成光电二极管、一个高速跨阻放大器和一个带输出驱动器的电压比较器。提供汽车和高温工业关键应用所需的加强绝缘和可靠性。

  • 1+

    ￥43.24

  • 10+

    ￥37.45

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    ￥33.92
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    ASSR-4128-302E
    型号：ASSR-4128-302E 编号：C5590265
    封装：DIP-8
    品牌：Broadcom(博通)

    • 1+

      ￥43.53

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      ￥42.57

    • 50+

      ￥41.93
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    2.5A输出电流IGBT栅极驱动光耦
    型号：ACNV3130-000E 编号：C17510217
    封装：DIP-10
    品牌：Broadcom(博通)

    • 1+

      ￥45.28

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      ￥43.61
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    2.5-Amp输出电流SiC/GaN MOSFET和IGBT栅极驱动光耦合器
    型号：ACPL-W349-000E 编号：C17500630
    封装：SOIC-6-6.8mm
    品牌：Broadcom(博通)

    • 1+

      ￥45.35

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      ￥44.35

    • 30+

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    ASSR 1228 002E
    型号：ASSR-1228-002E 编号：C1559232
    封装：SMD-8P
    品牌：Broadcom(博通)

    • 1+

      ￥47.57

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      ￥41.21

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    高速LVTTL兼容3.3V/5V光耦合器
    型号：ACPL-K63L-500E 编号：C5576467
    封装：SOIC-8-6.8mm
    品牌：Broadcom(博通)
    是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在 3.3V 时提供 15kV/μs 的保证共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现 LVTTL/LVCMOS 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +100°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

    • 1+

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    双通道低输入电流、高增益光耦合器
    型号：HCPL-0731-000E 编号：C6795969
    封装：SOIC-8
    品牌：Broadcom(博通)
    这些双通道光耦合器包含一对分离的GaAsP发光二极管，它们与一对集成高增益光电探测器进行光耦合。它们提供极高的电流传输比和出色的输入-输出共模瞬态抗扰度。光电二极管和第一增益级的独立引脚（VCC）允许比传统光电达林顿型光耦合器更低的输出饱和电压和更高的速度操作。此外，VCC低至1.6V时也不会对参数性能产生不利影响。这些双通道光耦合器有8引脚DIP和行业标准SO-8封装。SO-8封装不需要在PCB上有“通孔”，该封装占用的面积约为标准双列直插式封装的三分之一，引脚轮廓设计为与标准表面贴装工艺兼容。

    • 1+

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      ￥39.69
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    0.5 安培输出电流 IGBT 栅极驱动光耦
    型号：HCPL-315J-000E 编号：C19673765
    封装：SOIC-16
    品牌：Broadcom(博通)
    由一个LED与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/50A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，可用于驱动一个分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。

    • 1+

      ￥50.79

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      ￥40
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    2.5A输出电流、高速栅极驱动光耦合器
    型号：HCPL-3180-300 编号：C17475296
    封装：DIP-8
    品牌：Broadcom(博通)

    • 1+

      ￥51.28

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    • 50+

      ￥49.39
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    ACPL-355JC-000E
    型号：ACPL-355JC-000E 编号：C5366328
    封装：SO-16
    品牌：Broadcom(博通)

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      ￥53.49

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      ￥51.54
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    高共模抑制比、高速TTL兼容光耦合器
    型号：HCPL-0661-000E 编号：C6795966
    封装：SOT-ALL-8
    品牌：Broadcom(博通)
    是光耦合门，结合了GaAsP发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器IC的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在VCR = 1000V时，共模瞬态抗扰度规范高达15,000V/μs。这种独特的设计在实现TTL兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40℃至 +85℃范围内得到保证，确保系统无故障运行。

    • 1+

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    ASSR-4120-302E
    型号：ASSR-4120-302E 编号：C5570491
    封装：DIP-8
    品牌：Broadcom(博通)

    • 1+

      ￥55.07

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    5.0A 高输出电流 IGBT 栅极驱动光耦
    型号：ACNW3190-000E 编号：C691916
    封装：DIP-8
    品牌：Broadcom(博通)
    包含一个AlGaAs LED，该LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/200 A、600 V/300 A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，可用于驱动分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5中具有最高1414 Vpeak的绝缘电压。

    • 1+

      ￥55.13

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      ￥46.92

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    ASSR-601J-000E
    型号：ASSR-601J-000E 编号：C6466494
    封装：SOIC-12-300mil
    品牌：Broadcom(博通)

    • 1+

      ￥56.35

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      ￥55.03

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    双向高速、低功耗数字光耦合器
    型号：ACFL-6212U-500E 编号：C6795977
    封装：SO-12
    品牌：Broadcom(博通)
    ACFL - 6211U和ACFL - 6212U是双通道、双向、高速数字CMOS光耦合器。拉伸型SO - 12封装外形设计为与标准表面贴装工艺兼容，且与单通道拉伸型SO8封装占用相同的焊盘面积。这种数字光耦合器在发光二极管和集成光电探测器之间采用绝缘层，以实现输入和输出之间的电气绝缘

    • 1+

      ￥59.74

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    高共模抑制比、高速TTL兼容光耦
    型号：HCPL-4661-020E 编号：C6795978
    封装：DIP-8
    品牌：Broadcom(博通)
    是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内得到保证，确保系统无故障运行。

    • 1+

      ￥60.28

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      ￥52.21

    • 30+

      ￥47.29
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    高速LVTTL兼容3.3V/5V光耦合器
    型号：ACPL-K63L-000E 编号：C6795982
    封装：SSO-8
    品牌：Broadcom(博通)
    是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在 3.3V 时提供 15kV/μs 的保证共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现 LVTTL/LVCMOS 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +100°C 范围内得到保证，确保系统无故障运行。

    • 1+

      ￥61.26

    • 10+

      ￥53.06

    • 30+

      ￥48.06
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    5A门驱动光耦合器，100kV/us抗噪能力
    型号：ACNU-3430-000E 编号：C6795983
    封装：SO-8
    品牌：Broadcom(博通)
    ACNU - 3430是一款采用11毫米SSO8封装的5A栅极驱动光耦合器器件，专为高压、空间受限的工业应用而设计，包括电机驱动器和太阳能逆变器。该封装平台具有11毫米的宽爬电距离和10.5毫米的电气间隙、1414 VPEAK的高绝缘电压（VIORM），且封装尺寸紧凑，比400密耳DIP - 8封装小40%。

    • 1+

      ￥61.35

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      ￥53.14

    • 40+

      ￥48.13
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    ASSR 601JT 500E
    型号：ASSR-601JT-500E 编号：C2152365
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：Broadcom(博通)

    • 1+

      ￥61.96

    • 10+

      ￥60.52

    • 30+

      ￥59.56
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    双通道高速光耦合器
    型号：HCPL-0534-000E 编号：C6795984
    封装：SOIC-8
    品牌：Broadcom(博通)
    这些双通道光耦合器包含一对发光二极管和集成光电探测器，输入和输出之间具有电气绝缘。通过降低基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。

    • 1+

      ￥62.06

    • 10+

      ￥53.83

    • 30+

      ￥48.81
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    HCPL-0721
    型号：HCPL-0721 编号：C6569971
    封装：SOT-ALL-8
    品牌：Broadcom(博通)

    • 1+

      ￥63.98

    • 10+

      ￥62.57

    • 30+

      ￥61.62
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    低功耗高增益光耦合器
    型号：HCPL-073A-000E 编号：C6795985
    封装：SOIC-8
    品牌：Broadcom(博通)
    这些是非常低功耗、高增益的单通道和双通道光耦合器。单通道8引脚DIP配置与行业标准6N139引脚兼容，双通道8引脚DIP配置与流行标准HCPL-2731引脚兼容。SO-8封装的单通道和双通道产品与之等效。每个通道可以用低至40μA的输入电流驱动，典型电流传输比为3500%

    • 1+

      ￥66.02

    • 10+

      ￥57.74

    • 30+

      ￥52.69
  • 有货
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    5.0A高输出电流IGBT栅极驱动光耦合器
    型号：ACNW3190-300E 编号：C19673745
    封装：SMD-8
    品牌：Broadcom(博通)
    包含一个 AlGaAs LED，该 LED 通过光耦合器连接到带有功率输出级的集成电路。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供门控器件所需的驱动电压。

    • 1+

      ￥68.24

    • 10+

      ￥59.11

    • 42+

      ￥53.54
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    HCMOS兼容、高共模抑制比、10 MBd光耦合器
    型号：HCPL-063A-000E 编号：C6795989
    封装：SOIC-8
    品牌：Broadcom(博通)
    光耦合门提供了行业标准6N'37系列的所有优点，并具有与HCMOS兼容的输入电流的额外优势。这允许直接连接到所有常见的电路拓扑，而无需额外的LED缓冲器或驱动组件。使用的AlGaAs LED允许更低的驱动电流，并通过使用最新的LED技术减少退化。在单通道部件上，使能输出允许对检测器进行选通。检测器IC的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽为HCPL-261A系列提供了最小1000V/μs的共模瞬态抗扰度，为HCPL-261N系列提供了15000V/μs的共模瞬态抗扰度。

    • 1+

      ￥70.48

    • 10+

      ￥61.65

    • 30+

      ￥56.26
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    8 MBd低输入电流光耦合器
    型号：HCPL-0300-000E 编号：C6795998
    封装：SOT-ALL-8
    品牌：Broadcom(博通)
    光耦合器将820nm的AlGaAs光子发射二极管与集成高增益光子探测器相结合。这种由设计和制造的半导体器件组合，为隔离逻辑和数据通信电路的设计者带来了新的高性能能力。 新的低电流、高速AlGaAs发射器采用独特的扩散结制造，在低驱动电流下具有快速上升和下降时间的优点。这些独特的特性使该器件可用于具有接地环路隔离和改进共模抑制的RS-232-C接口。作为线路接收器，由于较低的IF和VF规格，在给定数据速率下，该器件可在更长的线路长度上工作。

    • 1+

      ￥75.07

    • 10+

      ￥65.03

    • 30+

      ￥58.9
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    ACNT-H313-000E
    型号：ACNT-H313-000E 编号：C17467875
    封装：SOIC-8-13.6mm
    品牌：Broadcom(博通)

    • 1+

      ￥75.33

    • 10+

      ￥74.1

    • 30+

      ￥73.29
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    HCPL-4200-300E
    型号：HCPL-4200-300E 编号：C22443341
    封装：SMD-8P
    品牌：Broadcom(博通)

    • 1+

      ￥77.26

    • 10+

      ￥73.86

    • 50+

      ￥67.95
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    光耦合20mA电流环发射器
    型号：HCPL-4100 编号：C39284429
    封装：DIP-16
    品牌：Broadcom(博通)

    • 1+

      ￥80.98

    • 10+

      ￥78.57
  • 有货
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    光耦合20 mA电流环接收器
    型号：HCPL-4200 编号：C38042464
    封装：DIP-8
    品牌：Broadcom(博通)

    • 1+

      ￥81.39

    • 10+

      ￥78.97
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    ACSL-6400-06TE
    型号：ACSL-6400-06TE 编号：C6492623
    封装：SOIC-16
    品牌：Broadcom(博通)

    • 1+

      ￥83.1

    • 10+

      ￥71.98

    • 50+

      ￥65.2
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