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首页 > 热门关键词 > 博通光耦
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  • 有货
  • 该Broadcom HCPL-315X由一个LED与带有功率输出级的集成电路光耦合而成。此光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/50A的IGBT。对于额定值更高的IGBT,HCPL-3150/315J可用于驱动一个分立功率级,该功率级驱动IGBT栅极。
    • 1+

      ¥30.68
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      ¥26.42
    • 30+

      ¥23.89
  • 有货
  • 这些小尺寸、高共模抑制比(CMR)、高速逻辑门光耦合器是单通道设备,采用五引脚微型封装。它们在电气上等同于以下安华高(Avago)光耦合器(除了没有输出使能功能)。 SO-5 JEDEC注册(MO-155)封装外形不需要在PCB上打“通孔”。
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      ¥31.36
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      ¥27.01
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      ¥24.42
  • 有货
  • 采用8引脚DIP或SO-8封装,利用最新CMOS IC技术,实现最低25MBd数据速率的出色速度性能和最大6ns的脉冲宽度失真。产品的基本组成部分包括CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。CMOS逻辑输入信号控制LED驱动IC,为LED提供电流。探测器IC集成了光电二极管、高速跨阻放大器和带输出驱动器的电压比较器。
    • 1+

      ¥31.85
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      ¥31.15
    • 30+

      ¥30.68
  • 有货
  • 这些小外形、低输入电流、高增益光耦合器是单通道设备,采用五引脚微型封装。SO-5 JEDEC注册(MO-155)封装外形无需在PCB上打“通孔”,该封装占用的面积约为标准双列直插式封装的四分之一,引脚轮廓设计与标准表面贴装工艺兼容。这些高增益系列光耦合器使用发光二极管和集成高增益光电探测器,在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与TTL兼容的饱和电压和高速运行
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      ¥32.85
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      ¥28.34
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      ¥25.66
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      ¥32.2
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      ¥31.71
  • 有货
  • 与其他高速晶体管输出光耦合器类似,但具有更短的传播延迟和更高的电流传输比 (CTR),还保证了传播延迟差 (tPLH-tPHL)。这些特性使其成为IPM逆变器死区时间和其他开关问题的理想解决方案。CTR、传播延迟和共模抑制比 (CMR) 针对TTL负载和驱动条件以及IPM(智能功率模块)负载和驱动条件进行了规定。提供了TTL和IPM条件下的规格和典型性能图,便于应用。这种二极管-晶体管光耦合器在发光二极管和集成光电探测器之间使用绝缘层,以在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过降低基极-集电极电容,使速度比传统光电晶体管耦合器提高了百倍。
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      ¥33.27
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      ¥28.65
    • 30+

      ¥25.91
  • 有货
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      ¥33.72
    • 10+

      ¥32.98
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      ¥32.48
  • 有货
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    • 10+

      ¥33.15
    • 45+

      ¥32.66
  • 有货
  • 光耦合门,结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在 3.3V 时提供 15kV/μs 的保证共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现 LVTTL/LVCMOS 兼容性的同时,提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +100°C 范围内得到保证,确保系统无故障运行。
    • 1+

      ¥35.73
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      ¥30.95
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      ¥28.04
  • 有货
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      ¥36.05
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      ¥35.25
    • 30+

      ¥34.72
  • 有货
  • 专为驱动高功率MOSFET而设计。它由一个AlGaAs红外发光二极管(LED)输入级和一个输出检测电路光耦合而成。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路组成,用于外部开关两个独立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为3mA时,继电器驱动器开启(触点闭合)。当输入电压为0.8V或更低时,继电器驱动器关闭(触点断开)。双通道配置允许驱动2个独立的MOSFET。它具有多功能性,可以通过串联连接2个通道来使光伏电压加倍,或者通过并联连接2个通道来使短路电流加倍。它们有8引脚DIP和鸥翼表面贴装封装。
    • 1+

      ¥36.17
    • 10+

      ¥35.32
    • 50+

      ¥34.76
  • 有货
  • 包含一个AlGaAs LED,该LED与具有功率输出级的集成电路进行光耦合。此光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/200A的IGBT。对于额定值更高的IGBT,该光耦合器可用于驱动一个分立功率级,该功率级驱动IGBT栅极。
    • 1+

      ¥36.59
    • 10+

      ¥31.51
    • 30+

      ¥28.49
  • 有货
  • 这些双通道光耦合器包含一对发光二极管和集成光电探测器,输入和输出之间具有电气绝缘。通过降低基极-集电极电容,光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些双通道光耦合器有 8 引脚 DIP 和行业标准 SO-8 封装可供选择。
    • 1+

      ¥37.55
    • 10+

      ¥32.34
    • 30+

      ¥29.24
  • 有货
  • 光耦合门,结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时,共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时,提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证,确保系统无故障运行。
    • 1+

      ¥37.78
    • 10+

      ¥32.81
    • 42+

      ¥29.86
  • 有货
  • 光耦合门提供了行业标准6N'37系列的所有优点,并具有与HCMOS兼容的输入电流的额外优势。这允许直接连接到所有常见的电路拓扑,而无需额外的LED缓冲器或驱动组件。使用的AlGaAs LED允许更低的驱动电流,并通过使用最新的LED技术减少退化。在单通道部件上,使能输出允许对检测器进行选通。检测器IC的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽为HCPL-261A系列提供了最小1000V/μs的共模瞬态抗扰度,为HCPL-261N系列提供了15000V/μs的共模瞬态抗扰度。
    • 1+

      ¥38.24
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      ¥32.93
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      ¥29.78
  • 有货
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      ¥38.63
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      ¥39.27
  • 有货
  • 光耦合逻辑门。HCPL22XX和HCPL-02XX包含GaAsP LED,而HCNW22XX包含AlGaAs LED。探测器具有图腾柱输出级和内置施密特触发器的光接收器输入级,可提供逻辑兼容波形,无需额外的波形整形。
    • 1+

      ¥41.18
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      ¥40.83
  • 有货
  • 低功耗数字光耦合器将AlGaAs发光二极管(LED)和集成高增益光电探测器相结合。光耦合器功耗低,在整个温度范围内,每通道的最大IDD电流为1.3 mA。正向LED电流低至1.6 mA,大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20 kV/μs的共模瞬态抗扰度规范。在保持TTL/CMOS兼容性的同时,实现最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能,可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作,在-40℃至+105℃的温度范围内保证交流和直流性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。
    • 1+

      ¥42.85
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  • 有货
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      ¥41.52
  • 有货
  • 是高温数字CMOS光耦合器,采用SOIC-5封装。适用于混合动力和电动汽车应用,使用最新的CMOS IC技术实现出色性能和极低功耗。所有器件均符合AEC-Q100标准,工作温度范围为-40°C至125°C。使用高速LED,使用低电流LED以降低功耗。高速型最大传播延迟为35 ns(IF = 10mA),低功耗型典型传播延迟为60 ns(LED驱动电流为4 mA)。每个数字光耦合器都有一个CMOS探测器IC、一个集成光电二极管、一个高速跨阻放大器和一个带输出驱动器的电压比较器。提供汽车和高温工业关键应用所需的加强绝缘和可靠性。
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      ¥43.24
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      ¥37.45
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  • 有货
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      ¥41.93
  • 有货
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    • 10+

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    • 30+

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