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首页 > 热门关键词 > 博通光耦
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输出电流0.4A的IGBT栅极驱动光耦合器
型号：HCPL-314J-000E 编号：C19673750
封装：SOIC-16
品牌：Broadcom(博通)
该系列器件由一个AlGaAs LED组成，该LED与一个带有功率输出级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率IGBT。对于额定值较高的IGBT，可以使用HCPL-3150（0.5A）或HCPL-3120（2.0A）光耦合器。

  • 1+

    ￥37.16

  • 10+

    ￥32.06

  • 45+

    ￥29.02
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    AC,DC 3.75kV
    型号：HCPL-3700-300E 编号：C17363327
    封装：DIP-8
    品牌：Broadcom(博通)
    电压/电流阈值检测光耦合器。低电流版本采用高效AlGaAs LED，可在低驱动电流下提供更高光输出。器件采用阈值感应输入缓冲IC，允许通过单个外部电阻在宽范围的输入电压上控制阈值水平。输入缓冲器具有滞后功能，可增强抗噪声和抗开关干扰能力；配备二极管桥，便于与交流输入信号配合使用； 内置钳位二极管，可保护缓冲器和LED免受各种过电压和过电流瞬变的影响。由于在驱动LED之前进行阈值感应， 因此从LED到探测器的光耦合变化不会影响阈值水平。

    • 1+

      ￥37.17

    • 10+

      ￥36.28

    • 50+

      ￥35.69
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    ASSR-V621-002E
    型号：ASSR-V621-002E 编号：C6127266
    封装：DIP-8
    品牌：Broadcom(博通)

    • 1+

      ￥39.31

    • 10+

      ￥38.44

    • 50+

      ￥37.86
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    低功耗1MBd数字光耦
    型号：ACPL-054L-060E 编号：C17478291
    封装：SOIC-8
    品牌：Broadcom(博通)

    • 1+

      ￥39.78

    • 10+

      ￥38.9

    • 30+

      ￥38.31
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    ACPL-K376-500E
    型号：ACPL-K376-500E 编号：C17366541
    封装：SOIC-8-6.8mm
    品牌：Broadcom(博通)

    • 1+

      ￥41.36

    • 10+

      ￥40.44

    • 30+

      ￥39.83
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    HCNW2601
    型号：HCNW2601 编号：C5649780
    封装：DIP-8
    品牌：Broadcom(博通)

    • 1+

      ￥44.67

    • 10+

      ￥43.68

    • 42+

      ￥43.02
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    双输出栅极驱动光耦接口，集成(VcE)DESAT检测、故障和欠压锁定状态反馈
    型号：ACPL-339J-000E 编号：C6795996
    封装：SOIC-16
    品牌：Broadcom(博通)
    是一款先进的1.0 A双输出、易于使用的智能IGBT和功率MOSFET栅极驱动光耦接口。独特设计支持各种电流额定值的MOSFET缓冲器，使系统工程师通过更换MOSFET缓冲器和功率IGBT/MOSFET开关，使用一个硬件平台来支持不同的系统功率额定值，且无需重新设计关键电路隔离和短路保护。这一概念最大限度地提高了电机控制和功率转换应用中从低到高功率额定值的栅极驱动设计可扩展性。包含一个AlGaAs LED，该LED与一个带有两个功率输出级的集成电路光耦合，具有主动定时控制，可防止外部MOSFET缓冲器发生交叉导通

    • 1+

      ￥46.46

    • 10+

      ￥39.72

    • 30+

      ￥35.62
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    5A 栅极驱动光耦合器，15mm SSO8 封装，100kV/μs 抗噪性
    型号：ACNT-H343-500E 编号：C17646021
    封装：SOIC-8-13.6mm
    品牌：Broadcom(博通)
    是一款5A栅极驱动光耦合器设备，采用15mm SSO8封装，适用于高压、空间受限的工业应用，包括电机驱动器和太阳能逆变器。该封装平台具有15mm爬电距离和14.2mm电气间隙、2262VPEAK的高绝缘电压和紧凑的封装尺寸。具有大于100kV/μs的共模瞬态抗扰度（CMTI）和小于150ns的传播延迟，能够实现高频开关，提高驱动IGBT和SiC/GaN MOSFET的效率。

    • 1+

      ￥50.69

    • 10+

      ￥49.5

    • 30+

      ￥48.71
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    低输入电流、高增益、LVTTL/LVCMOS 兼容光耦合器
    型号：HCPL-073L 编号：C17450545
    封装：SO-8
    品牌：Broadcom(博通)

    • 1+

      ￥51.28

    • 10+

      ￥50.15

    • 30+

      ￥49.39
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    5A 栅极驱动光耦合器，15mm SSO8 封装，100kV/μs 抗噪性
    型号：ACNT-H343-000E 编号：C17249892
    封装：SOIC-8-13.6mm
    品牌：Broadcom(博通)

    • 1+

      ￥51.71

    • 10+

      ￥50.56

    • 30+

      ￥49.8
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    40 ns传播延迟CMOS光耦合器
    型号：HCPL-7710-000E 编号：C2927819
    封装：DIP-8
    品牌：Broadcom(博通)
    采用8引脚DIP或SO-8封装形式，利用最新的CMOS IC技术，实现了低功耗下的出色性能。只需两个旁路电容即可实现完全的CMOS兼容性。基本组成部分包括CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。CMOS逻辑输入信号控制LED驱动IC，为LED提供电流。探测器IC集成了光电二极管、高速跨阻放大器和带输出驱动器的电压比较器。

    • 1+

      ￥55.86

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      ￥48.38

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      ￥43.83
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    ASSR-601JV-000E
    型号：ASSR-601JV-000E 编号：C22460345
    封装：SO-16
    品牌：Broadcom(博通)

    • 1+

      ￥57.74

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      ￥56.46

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      ￥55.61
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    ASSR 1520 302E
    型号：ASSR-1520-302E 编号：C1525259
    封装：DIP-8
    品牌：Broadcom(博通)

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      ￥119.7

    • 10+

      ￥115.91
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    ACPL-34JT-000E
    型号：ACPL-34JT-000E 编号：C17481968
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：Broadcom(博通)

    • 1+

      ￥128.1

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      ￥122.38

    • 45+

      ￥112.47
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    光耦
    型号：HCPL-814-000E 编号：C3018547
    封装：DIP-4
    品牌：Broadcom(博通)
    包含一个光电晶体管，光耦合到两个反向并联连接的发光二极管。可以通过交流输入电流直接操作。采用 4 引脚 DIP 封装，有宽引脚间距选项和引脚弯曲 SMD 选项。输入输出隔离电压为 5000 Vrms。响应时间 tr 通常为 4 μs，在输入电流为 ±1 mA 时最小电流传输比 (CTR) 为 20%。
    数据手册

    • 1+

      ￥2.25

    • 10+

      ￥2.2

    • 30+

      ￥2.17
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    交流输入光电晶体管光耦合器，贴片式迷你扁平封装
    型号：HCPL-354-000E 编号：C17699471
    封装：Mini-4-FlAt
    品牌：Broadcom(博通)
    博通（Broadcom）HCPL - 354 包含一个光电晶体管，与两个反向并联连接的发光二极管（LED）进行光耦合。它可以由交流输入电流直接驱动。该器件采用 4 引脚迷你扁平表面贴装器件（SMD）封装，具有……（原文此处未完整）

    • 1+

      ￥3.06

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      ￥2.99

    • 30+

      ￥2.95
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    超低功耗10MBd数字光耦合器
    型号：ACPL-M62L-500E 编号：C6733637
    封装：SOIC-5-175mil
    品牌：Broadcom(博通)
    是一种光耦合器，结合了AlGaAs发光二极管和集成高增益光电探测器，满足低功耗需求。该光耦合器在整个温度范围内最大Ipo功耗为1.5mA，正向电流低至2mA，因此允许大多数微处理器进行直流驱动。支持3.3V和5V电源电压，在-40°C至+105°C范围内保证交流和直流工作参数。探测器IC的输出为开漏类型，内部法拉第屏蔽提供了20kV/μs的共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现最大交流和直流电路隔离的同时，实现了TTL/CMOS兼容性。这些光耦合器适用于高速逻辑接口，同时功耗极低。

    • 1+

      ￥7.58

    • 10+

      ￥7.41

    • 30+

      ￥7.29
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    DC输入 1通道 隔离电压(rms):3750V
    型号：HCPL-0701-000E 编号：C2686015
    封装：SOIC-8
    品牌：Broadcom(博通)
    这些高增益系列耦合器使用发光二极管和集成高增益光电探测器，在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与 TTL 兼容的饱和电压和高速运行。如有需要，可将 VCC 和 VO 端子连接在一起，以实现传统的光电达林顿操作。基极接入端子允许进行增益带宽调整
    数据手册

    • 1+

      ￥10.43

    • 10+

      ￥8.86

    • 30+

      ￥7.88
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    ASSR 1218 003E
    型号：ASSR-1218-003E 编号：C1525239
    封装：SO-4
    品牌：Broadcom(博通)
    由红外发光二极管（LED）输入级组成，该输入级与高压输出检测电路光耦合。检测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。继电器通过输入LED的最小输入电流为3 mA时开启（触点闭合）。输入电压为0.8V或更低时，继电器关闭（触点断开）。单通道配置相当于1 Form A机电继电器（EMR），双通道配置相当于2 Form A EMR。它们有4引脚SO、6引脚DIP、8引脚DIP和鸥翼表面贴装DIP封装。ASSR-1219支持AC/DC和仅DC输出连接。对于仅DC连接，输出电流IO增加到0.4A，导通电阻R(ON)降至2.5Ω。

    • 1+

      ￥12.23

    • 10+

      ￥11.92

    • 30+

      ￥11.71
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    高共模抑制比、高速TTL兼容光耦
    型号：HCPL-0611-000E 编号：C6795888
    封装：SOIC-8
    品牌：Broadcom(博通)
    是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时，共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内得到保证，确保系统无故障运行。

    • 1+

      ￥14.65

    • 10+

      ￥14.31

    • 30+

      ￥14.08
  • 有货
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    HCPL-4506-300E
    型号：HCPL-4506-300E 编号：C5649844
    封装：DIP-8
    品牌：Broadcom(博通)

    • 1+

      ￥15.39

    • 10+

      ￥15.05

    • 50+

      ￥14.82
  • 有货
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    单通道高速光耦合器
    型号：HCNW4503-300E 编号：C6795901
    封装：SMD-8P
    品牌：Broadcom(博通)
    这些二极管-晶体管光耦合器在 LED 和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有 8 引脚 DIP、SO-8 和宽体封装配置。部分产品适用于 TTL/CMOS、TTL/LSTTL 或宽带宽模拟应用，在 IF = 16mA 时，电流传输比（CTR）最低为 7%

    • 1+

      ￥17.62

    • 10+

      ￥17.21

    • 42+

      ￥16.94
  • 有货
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    HCPL-2611-300E
    型号：HCPL-2611-300E 编号：C6873706
    封装：DIP-8
    品牌：Broadcom(博通)

    • 1+

      ￥17.88

    • 10+

      ￥17.48

    • 50+

      ￥17.22
  • 有货
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    3.0 Amp输出电流IGBT栅极驱动光耦合器，带轨到轨输出电压
    型号：ACPL-P341-500E 编号：C19673762
    封装：SOP-6
    品牌：Broadcom(博通)
    包含一个AlGaAs LED，它与具有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/50A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，该光耦合器可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5中，其绝缘电压分别最高可达VIOM = 891Vpeak和VIOM = 1140Vpeak。

    • 1+

      ￥18.09

    • 10+

      ￥17.66

    • 30+

      ￥17.38
  • 有货
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    ACPL-W21L-560E
    型号：ACPL-W21L-560E 编号：C5937750
    封装：SOIC-6-6.8mm
    品牌：Broadcom(博通)

    • 1+

      ￥18.48

    • 10+

      ￥18.07

    • 30+

      ￥17.8
  • 有货
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    ACPL-W456-000E
    型号：ACPL-W456-000E 编号：C5547113
    封装：SOIC-6-300mil
    品牌：Broadcom(博通)

    • 1+

      ￥19.17

    • 10+

      ￥18.74

    • 30+

      ￥18.46
  • 有货
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    单通道高速光耦合器
    型号：HCPL-0500-000E 编号：C6795948
    封装：SOIC-8
    品牌：Broadcom(博通)
    这些二极管-晶体管光耦合器在 LED 和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有 8 引脚 DIP、SO-8 和宽体封装配置。部分产品适用于 TTL/CMOS、TTL/LSTTL 或宽带模拟应用，在 IF = 16mA 时，电流传输比 (CTR) 最小为 7%

    • 1+

      ￥19.91

    • 10+

      ￥16.99

    • 30+

      ￥15.16
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    2.5A输出电流IGBT栅极驱动器光耦合器
    型号：ACPL-T350-560E 编号：C691964
    封装：DIP-8
    品牌：Broadcom(博通)
    包含一个GaAsP LED，该LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。这些光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200 V/100 A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，可用于驱动分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。绝缘电压为VIORM = 630 V峰值（选项060）。
    数据手册

    • 1+

      ￥20.16

    • 10+

      ￥19.71

    • 30+

      ￥19.42
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    高共模抑制比、宽电压、逻辑门光耦合器
    型号：HCPL-0211-000E 编号：C6795918
    封装：SOIC-8
    品牌：Broadcom(博通)
    是光耦合逻辑门，包含GaAsP LED或AlGaAs LED。探测器具有图腾柱输出级和内置施密特触发器的光接收器输入级，可提供逻辑兼容波形，无需额外的波形整形。部分型号的内部屏蔽可保证在1000伏共模电压下具有10kV/μs的共模瞬态抗扰度。

    • 1+

      ￥20.32

    • 10+

      ￥19.88

    • 30+

      ￥19.58
  • 有货
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    0.6A输出电流IGBT栅极驱动光耦
    型号：ACPL-P314-000E 编号：C18198822
    封装：SOP-6
    品牌：Broadcom(博通)
    由GaAsP LED与带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率IGBT。

    • 1+

      ￥21.92

    • 10+

      ￥21.45

    • 30+

      ￥21.14
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