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首页 > 热门关键词 > IXYS光耦
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IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动最新的MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出能够提供和吸收9A的峰值电流,同时电压上升和下降时间小于25ns。输入与CMOS兼容,并且几乎不会发生闩锁效应
  • 1+

    ¥27.23
  • 10+

    ¥23.75
  • 50+

    ¥21.68
  • 100+

    ¥19.59
  • 500+

    ¥18.62
  • 1000+

    ¥18.19
  • 有货
  • 特性:平面钝化芯片。 极低的泄漏电流。 极短的恢复时间。 改善的热性能。 极低的Irm值。 非常软的恢复特性。应用:高频开关设备的反并联二极管。 抗饱和二极管
    • 1+

      ¥24.7
    • 10+

      ¥21.58
    • 50+

      ¥19.72
  • 有货
    • 1+

      ¥27.14
    • 10+

      ¥23.52
    • 50+

      ¥21.37
  • 有货
  • 特性:用于线频率的晶闸管。 国际标准封装JEDEC TO-247。 平面钝化芯片。 阻断电流和电压的长期稳定性。 AR版本隔离且通过UL注册E153432。 环氧树脂符合UL 94V-0。应用:电机控制。 功率转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥29.07
    • 10+

      ¥24.75
    • 30+

      ¥22.18
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 无钳位电感开关(UIS)额定。 低封装电感。 易于驱动和保护。 易于安装。 节省空间。 高功率密度
    数据手册
    • 1+

      ¥30.0288 ¥43.52
    • 10+

      ¥22.2784 ¥37.76
    • 30+

      ¥16.7825 ¥34.25
    • 90+

      ¥15.337 ¥31.3
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 具备无钳位电感开关 (UIS) 额定值。 低封装电感。 易于驱动和保护。 易于安装。 节省空间。 高功率密度
    • 1+

      ¥30.65
    • 10+

      ¥25.97
    • 30+

      ¥23.19
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG。 雪崩额定。 低封装电感。 高功率密度。 易于安装。应用:开关模式和谐振模式电源。 DC-DC转换器
    • 1+

      ¥31.738 ¥45.34
    • 10+

      ¥23.604 ¥39.34
    • 50+

      ¥17.84 ¥35.68
    • 100+

      ¥16.305 ¥32.61
  • 有货
  • 适合驱动最新的MOSFET和IGBT。每个输出可提供和吸收14A的峰值电流,同时产生小于30ns的电压上升和下降时间。内部电路消除了交叉传导和电流“直通”,使驱动器几乎不受闩锁影响。低传播延迟和快速的上升和下降时间使其非常适合高频和高功率应用。有非反相驱动器(带使能)、非反相驱动器和反相驱动器三种配置。有8引脚DIP(PI)、带外露金属背的8引脚Power SOIC(SI)、5引脚TO-220(CI)和5引脚TO-263(YI)封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥32.54
    • 10+

      ¥27.69
    • 30+

      ¥24.74
    • 100+

      ¥22.26
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。非钳位感性开关(US)额定。低封装电感,易于驱动和保护。易于安装。节省空间。高功率密度
    数据手册
    • 1+

      ¥32.8925 ¥55.75
    • 10+

      ¥23.7013 ¥48.37
    • 30+

      ¥17.1093 ¥43.87
    • 100+

      ¥15.639 ¥40.1
  • 有货
  • 特性:平面钝化芯片。 极低的漏电流。 极低的正向压降。 改善的热性能。应用:主整流二极管。 单相和三相桥式配置
    • 1+

      ¥35.77
    • 10+

      ¥30.85
    • 30+

      ¥27.93
  • 有货
    • 1+

      ¥39.99
    • 10+

      ¥34.34
    • 30+

      ¥30.89
  • 有货
    • 1+

      ¥42.06
    • 10+

      ¥37.44
    • 30+

      ¥34.63
  • 有货
  • IXDD630/IXDI630/IXDN630高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的功率MOSFET和IGBT。IXD_630输出端能够提供和吸收30A的峰值电流,同时电压上升和下降时间小于20ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题,并且该驱动器几乎不会发生闩锁
    数据手册
    • 1+

      ¥58.08
    • 10+

      ¥49.66
    • 30+

      ¥44.53
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 快速本征二极管。 动态dv/dt额定值。 雪崩额定值。 坚固的PolarPTM工艺。 低QG和Rds(on)。应用:高端开关。 推挽放大器
    • 1+

      ¥68.78
    • 10+

      ¥65.31
    • 30+

      ¥59.31
  • 有货
    • 1+

      ¥75.22
    • 10+

      ¥64.68
    • 28+

      ¥58.27
  • 有货
    • 1+

      ¥78.22
    • 10+

      ¥74.28
    • 30+

      ¥67.45
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 雪崩额定。 坚固的PolarPTM工艺。 低封装电感。 快速本征二极管。 易于安装。应用:高端开关。 推挽放大器
    • 1+

      ¥79.33
    • 10+

      ¥75.93
    • 30+

      ¥70.04
  • 有货
    • 1+

      ¥84.91
    • 10+

      ¥83.74
    • 30+

      ¥81.71
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 快速恢复二极管。 非钳位电感开关(UIS)额定。 低封装电感。 易于驱动和保护。 易于安装。 节省空间。 高功率密度
    • 1+

      ¥98.45
    • 10+

      ¥93.49
    • 30+

      ¥84.89
  • 有货
    • 1+

      ¥100.77
    • 10+

      ¥97.77
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 低RDS(on) HDMOS™工艺。 坚固的多晶硅栅极单元结构。 雪崩额定。 低封装电感。 易于驱动和保护。应用:高端开关。 推挽放大器
    • 1+

      ¥102.14
    • 10+

      ¥97.71
    • 30+

      ¥90.03
  • 有货
  • 特性:快速本征二极管。 国际标准封装。 非钳位电感开关(UIS)额定。 低封装电感。 易于驱动和保护。 易于安装。应用:高压开关模式和谐振模式电源。 高压脉冲功率应用
    • 1+

      ¥116.91
    • 10+

      ¥115.29
    • 30+

      ¥112.49
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。低QG。雪崩额定。低封装电感。高功率密度。易于安装。应用:开关模式和谐振模式电源。DC-DC转换器
    • 1+

      ¥132.8
    • 10+

      ¥131.18
    • 25+

      ¥128.37
  • 有货
  • 特性:平面钝化芯片。 极低的泄漏电流。 极短的恢复时间。 改善的热性能。 极低的Irm值。 非常软的恢复特性。应用:高频开关器件的反并联二极管。 抗饱和二极管
    • 1+

      ¥175.77
    • 30+

      ¥168.48
  • 有货
  • 特性:针对10-30kHz开关进行优化。 方形反向偏置安全工作区(RBSOA)。 国际标准封装。 雪崩额定。 短路能力。 高电流处理能力。应用:功率逆变器。 不间断电源(UPS)
    • 1+

      ¥183.68
    • 25+

      ¥174.8
  • 有货
    • 1+

      ¥189.02
    • 30+

      ¥181.1
  • 有货
    • 1+

      ¥206.35
    • 30+

      ¥195.49
  • 有货
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