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首页 > 热门关键词 > IXYS光耦
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特性:国际标准封装。 快速恢复二极管。 非钳位电感开关(UIS)额定。 低封装电感。 易于驱动和保护。 易于安装。 节省空间。 高功率密度
数据手册
  • 1+

    ¥66.62
  • 10+

    ¥56.7
  • 25+

    ¥50.65
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。低RDS(ON) 和QG。雪崩额定。低封装电感。高功率密度。易于安装。应用:开关模式和共振模式电源。DC-DC转换器
    • 1+

      ¥88.39
    • 10+

      ¥84.65
    • 30+

      ¥78.17
  • 有货
    • 1+

      ¥95.95
    • 10+

      ¥94.78
    • 30+

      ¥92.75
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 低RDS(ON)和QG。 雪崩额定。 低封装电感。 高功率密度。 易于安装。应用:开关模式和谐振模式电源。 DC-DC转换器
    • 1+

      ¥102.5
    • 10+

      ¥97.33
    • 30+

      ¥88.37
    • 90+

      ¥80.56
  • 有货
    • 1+

      ¥102.85
    • 10+

      ¥98.5
    • 30+

      ¥90.96
  • 有货
  • 特性:MiniBLOC with Aluminium Nitride Isolation。 Designed for Linear Operation。 International Standard Package。应用:Programmable Loads
    • 1+

      ¥175.36
    • 30+

      ¥167.68
  • 有货
  • 特性:采用DCB陶瓷封装。 改善了温度和功率循环性能。 平面钝化芯片。 极低的正向压降。 极低的漏电流。应用:主整流二极管。 用于三相桥配置
    • 1+

      ¥300.15
    • 30+

      ¥284.08
  • 有货
  • 三星的8位单芯片CMOS微控制器系列提供快速高效的CPU、广泛的集成外设和各种可编程ROM大小。高效的寄存器架构、可选的CPU时钟源、通过中断释放的空闲和停止掉电模式、内置带看门狗功能的基本定时器。地址/数据总线架构和大量64个可配置I/O端口为具有不同内存和I/O要求的应用提供灵活的编程环境。包含具有可选操作模式的定时器/计数器以支持实时操作。单芯片8位微控制器专为有用的A/D转换器应用领域而设计。采用高度先进的CMOS工艺制造,基于三星强大的SAM88RCR1 CPU架构
    数据手册
    • 1+

      ¥4.21
    • 10+

      ¥3.46
    • 35+

      ¥3.08
  • 有货
  • CPC3730C是一款N沟道耗尽型场效应晶体管(FET),采用专有的第三代垂直DMOS工艺。第三代工艺在经济高效的硅栅工艺中实现了高压MOSFET性能。垂直DMOS工艺为高功率应用提供了一种具有高输入阻抗的坚固器件
    • 1+

      ¥5.48
    • 10+

      ¥4.47
    • 30+

      ¥3.96
    • 100+

      ¥3.46
  • 有货
  • 1.5A双低侧的超快速MOSFET驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥6.36
    • 10+

      ¥5.28
    • 30+

      ¥4.68
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。175℃工作温度。高电流处理能力。快速本征整流器。动态dV/dt额定值。低RDS(on)。应用:DC-DC转换器。电池充电器
    数据手册
    • 1+

      ¥8.188 ¥20.47
    • 10+

      ¥5.298 ¥17.66
    • 50+

      ¥3.196 ¥15.98
    • 100+

      ¥2.858 ¥14.29
    • 500+

      ¥2.702 ¥13.51
    • 1000+

      ¥2.632 ¥13.16
  • 有货
    • 1+

      ¥10.06
    • 10+

      ¥8.49
    • 50+

      ¥7.63
  • 有货
  • IXDD604/IXDF604/IXDI604/IXDN604 双路高速栅极驱动器特别适合驱动 IXYS 最新的 MOSFET 和 IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收 4A 电流,同时产生的电压上升和下降时间小于 10ns。
    数据手册
    • 1+

      ¥10.72
    • 10+

      ¥8.95
    • 30+

      ¥7.99
    • 100+

      ¥6.89
  • 有货
  • 应用:DC-DC转换器。电池充电器。开关模式和谐振模式电源。DC斩波器。AC电机控制。不间断电源。高速功率开关应用
    • 1+

      ¥21
    • 10+

      ¥18.22
    • 30+

      ¥16.56
  • 有货
  • IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动最新的MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出能够提供和吸收9A的峰值电流,同时电压上升和下降时间小于25ns。输入与CMOS兼容,并且几乎不会发生闩锁效应
    • 1+

      ¥21.58
    • 10+

      ¥18.27
    • 50+

      ¥16.3
    • 100+

      ¥14.31
    • 500+

      ¥13.39
    • 1000+

      ¥12.98
  • 有货
  • 特性:平面钝化芯片。 极低的泄漏电流。 极短的恢复时间。 改善的热性能。 极低的Irm值。 非常软的恢复特性。应用:高频开关设备的反并联二极管。 抗饱和二极管
    • 1+

      ¥24.7
    • 10+

      ¥21.58
    • 50+

      ¥19.72
  • 有货
  • IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出可提供和吸收9A的峰值电流,同时电压上升和下降时间小于25ns。输入与CMOS兼容,且几乎不会发生闩锁效应
    数据手册
    • 1+

      ¥24.75
    • 10+

      ¥21.26
    • 30+

      ¥19.19
    • 100+

      ¥17.1
  • 有货
    • 1+

      ¥28.48
    • 10+

      ¥24.86
    • 50+

      ¥22.71
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 高压封装。 高功率密度。 低栅极驱动要求。应用:功率逆变器。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥29.89
    • 10+

      ¥25.92
    • 30+

      ¥23.56
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 低Qs。 雪崩额定。 低封装电感。 快速本征整流器。 高功率密度。应用:DC-DC转换器。 开关模式和谐振模式电源
    • 1+

      ¥31.27
    • 10+

      ¥27.32
    • 50+

      ¥24.97
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 无钳位电感开关(UIS)额定。 低封装电感。 易于驱动和保护。 易于安装。 节省空间。 高功率密度
    数据手册
    • 1+

      ¥35.1648 ¥47.52
    • 10+

      ¥26.7264 ¥41.76
    • 30+

      ¥20.6496 ¥38.24
    • 90+

      ¥19.062 ¥35.3
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 动态dv/dt额定值。 雪崩额定值。 快速本征二极管。 低栅极电荷QG和低导通电阻RDS(on)。 低漏极到管壳电容。应用:DC-DC转换器。 电池充电器
    • 1+

      ¥35.26
    • 10+

      ¥34
    • 30+

      ¥29.32
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG。 雪崩额定。 低封装电感。 高功率密度。 易于安装。应用:开关模式和谐振模式电源。 DC-DC转换器
    • 1+

      ¥37.1325 ¥49.51
    • 10+

      ¥28.275 ¥43.5
    • 50+

      ¥21.9175 ¥39.85
    • 100+

      ¥20.229 ¥36.78
  • 有货
    • 1+

      ¥42.42
    • 10+

      ¥37.8
    • 30+

      ¥34.99
  • 有货
  • 特性:高压封装。 取代高压达林顿管和串联MOSFET。 较低的有效导通电阻。 MOS栅极导通。 驱动简单。 与10V导通栅极电压的MOSFET兼容。应用:反激式转换器。 直流斩波器
    • 1+

      ¥44.02
    • 10+

      ¥38.71
    • 30+

      ¥35.48
  • 有货
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