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首页 > 热门关键词 > IXYS光耦
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特性:双金属工艺,低栅极电阻。 雪崩额定。 低封装电感。 快速本征整流器。应用:开关模式和共振模式电源(>500kHz开关)。 DC-DC转换器
  • 1+

    ¥152.32
  • 30+

    ¥147.2
  • 有货
  • 特性:动态dv/dt额定值。 雪崩额定值。 快速本征二极管。 低Q。 低RDS(on)。 低漏极到管壳电容。应用:DC-DC转换器。 电池充电器
    • 1+

      ¥140.87
    • 25+

      ¥134.4
  • 有货
  • (配4个螺丝8个垫片)
    数据手册
    • 1+

      ¥152.69
    • 30+

      ¥144.78
  • 有货
  • 特性:高压晶闸管。 适用于线频率。 芯片技术确保长期稳定性。 ISOPLUS i4-PAC™ 高压封装。 背面绝缘。 增大至散热器的爬电距离。应用:可控整流器。 电源
    数据手册
    • 1+

      ¥208.57
    • 25+

      ¥199
  • 有货
  • 特性:硅芯片采用直接铜键合(DCB)基板。 隔离安装表面。 2500V~电气隔离。 雪崩额定。 快速本征整流器。 低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG。应用:DC-DC转换器。 电池充电器
    • 1+

      ¥286.91
    • 30+

      ¥275.04
  • 有货
  • 特性:采用DCB陶瓷封装。 改善温度和功率循环性能。 平面钝化芯片。 极低的正向压降。 极低的漏电流。应用:主整流二极管。 用于三相桥配置
    • 1+

      ¥351.05
    • 30+

      ¥339.25
  • 有货
  • 特性:国际标准封装,带DCB陶瓷基板。 平面钝化芯片。 短恢复时间。 低开关损耗。 软恢复特性。 高可靠性电路运行。应用:高频开关设备的反并联二极管。 转换器和电机控制电路中的续流二极管
    • 1+

      ¥367.2
    • 30+

      ¥356.32
  • 有货
  • CPC3710 是一款 N 沟道耗尽型场效应晶体管(FET),采用专有的第三代垂直 DMOS 工艺。第三代工艺以经济的硅栅工艺实现了高压 MOSFET 性能。垂直 DMOS 工艺造就了一款坚固的器件,具有高输入阻抗,适用于高功率应用
    • 1+

      ¥5.06
    • 10+

      ¥4.11
    • 30+

      ¥3.64
    • 100+

      ¥3.16
    • 500+

      ¥2.88
  • 有货
  • 是双路高速、低侧栅极驱动器。两个输出端中的每一个都可以提供和吸收1.5A的峰值电流,上升和下降时间小于10ns。每个驱动器的输入与TTL和CMOS兼容,并且几乎不受闩锁影响。低传播延迟时间以及快速、匹配的上升和下降时间使其适用于高频和高功率应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.51
    • 10+

      ¥6.19
    • 30+

      ¥5.47
    • 100+

      ¥4.66
  • 有货
  • 整流二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥11.63
    • 10+

      ¥9.93
    • 30+

      ¥8.86
  • 有货
    • 1+

      ¥17.57
    • 10+

      ¥14.89
    • 50+

      ¥13.29
    • 100+

      ¥11.68
  • 有货
  • 超低饱和电压(Vsat)穿通型(PT)绝缘栅双极晶体管(IGBT),适用于高达5kHz的开关应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥18.67
    • 10+

      ¥16.94
    • 30+

      ¥15.89
    • 90+

      ¥15
  • 有货
  • N-CH 100V
    数据手册
    • 1+

      ¥18.72
    • 10+

      ¥16.22
    • 30+

      ¥13.23
  • 有货
  • 特性:平面钝化芯片。 极低的漏电流。 极低的正向电压降。 改善的热性能。 行业标准外形。 符合RoHS标准。应用:主整流二极管。 用于单相和三相桥式配置
    数据手册
    • 1+

      ¥18.75
    • 10+

      ¥15.94
    • 30+

      ¥13.85
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 低导通电阻RDS(on)和栅极电荷QG。 雪崩额定。 低封装电感。 高功率密度。 易于安装。应用:开关模式和谐振模式电源。 DC-DC转换器
    • 1+

      ¥20.3
    • 10+

      ¥17.21
    • 30+

      ¥15.37
    • 90+

      ¥13.51
  • 有货
  • 特性:平面钝化芯片。 极低的泄漏电流。 极短的恢复时间。 改善的热性能。 极低的反向恢复电流值。 非常软的恢复特性。应用:高频开关器件的反并联二极管。 抗饱和二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥22.24
    • 10+

      ¥19.06
    • 30+

      ¥17.17
  • 有货
  • 特性:平面钝化芯片。极低的漏电流。极短的恢复时间。改善的热性能。极低的反向恢复电流值。非常软的恢复特性。应用:高频开关器件的反并联二极管。抗饱和二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥24.5322 ¥24.78
    • 10+

      ¥19.0727 ¥21.43
    • 30+

      ¥15.3576 ¥19.44
    • 90+

      ¥13.7697 ¥17.43
    • 450+

      ¥13.035 ¥16.5
    • 900+

      ¥12.7032 ¥16.08
  • 有货
    • 1+

      ¥27.66
    • 10+

      ¥23.44
    • 50+

      ¥20.93
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 动态dv/dt额定值。 雪崩额定值。 快速本征二极管。 低栅极电荷QG和低导通电阻RDS(on)。 低漏极到管壳电容。应用:DC-DC转换器。 电池充电器
    • 1+

      ¥29.88
    • 10+

      ¥28.62
    • 30+

      ¥23.94
  • 有货
    • 1+

      ¥32.49
    • 10+

      ¥27.54
    • 50+

      ¥24.59
    • 100+

      ¥21.61
  • 有货
  • IXDD614/IXDI614/IXDN614高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。每个输出端可提供和吸收14A的峰值电流,同时电压上升和下降时间小于30ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题,使驱动器几乎不会发生闩锁
    数据手册
    • 1+

      ¥33.48
    • 10+

      ¥28.52
    • 30+

      ¥25.58
  • 有货
    • 1+

      ¥38.02
    • 10+

      ¥33.04
    • 30+

      ¥30.08
  • 有货
    • 1+

      ¥45.21
    • 10+

      ¥39.58
    • 30+

      ¥36.15
  • 有货
    • 1+

      ¥57.69
    • 10+

      ¥49.62
    • 30+

      ¥44.7
  • 有货
    • 1+

      ¥64.89
    • 10+

      ¥56.59
    • 25+

      ¥51.53
  • 有货
  • 特性:快速导通。 低温依赖性。 低泄漏电流。应用:高压电路保护。 瞬态电压保护
    • 1+

      ¥73.44
    • 10+

      ¥72.35
    • 30+

      ¥70.46
  • 有货
  • 特性:平面钝化芯片。 极低的泄漏电流。 极短的恢复时间。 改善的热性能。 极低的Irm值。 非常软的恢复特性。应用:高频开关器件的反并联二极管。 抗饱和二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥73.64
    • 10+

      ¥65.28
    • 30+

      ¥60.19
  • 有货
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