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首页 > 热门关键词 > IXYS光耦
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      ¥58.27
  • 有货
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      ¥78.22
    • 10+

      ¥74.28
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      ¥67.45
  • 有货
    • 1+

      ¥83.72
    • 10+

      ¥80.26
    • 30+

      ¥74.25
  • 有货
  • 特性:高阻断电压。 集成反并联二极管。 国际标准封装。 低传导损耗。 低栅极驱动要求。 高功率密度。应用:开关模式和谐振模式电源。 不间断电源 (UPS)
    • 1+

      ¥84.06
    • 10+

      ¥73.33
    • 30+

      ¥66.79
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。快速本征二极管。雪崩额定。低RDS(on)。低封装电感。易于安装。节省空间。高功率密度
    数据手册
    • 1+

      ¥93.52
    • 10+

      ¥89.56
    • 30+

      ¥82.71
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 快速恢复二极管。 非钳位电感开关(UIS)额定。 低封装电感。 易于驱动和保护。 易于安装。 节省空间。 高功率密度
    • 1+

      ¥98.45
    • 10+

      ¥93.49
    • 30+

      ¥84.89
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 无钳位电感开关 (UIS) 额定值。 低封装电感。 易于驱动和保护。 易于安装。 节省空间。 高功率密度
    • 1+

      ¥116.3
    • 10+

      ¥114.77
    • 25+

      ¥112.12
  • 有货
  • 特性:高电压封装。 高阻断电压。 反并联二极管。 低传导损耗。 低栅极驱动要求。 高功率密度。应用:开关模式和谐振模式电源。 不间断电源(UPS)
    • 1+

      ¥123.12
    • 10+

      ¥118.02
    • 30+

      ¥109.19
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。低QG。雪崩额定。低封装电感。高功率密度。易于安装。应用:开关模式和谐振模式电源。DC-DC转换器
    • 1+

      ¥132.8
    • 10+

      ¥131.18
    • 25+

      ¥128.37
  • 有货
    • 1+

      ¥148.65
    • 10+

      ¥142.36
    • 30+

      ¥131.46
  • 有货
  • 特性:封装采用DCB陶瓷。 改善温度和功率循环。 平面钝化芯片。 极低的正向压降。 极低的泄漏电流。应用:主整流二极管。 用于三相桥配置
    • 1+

      ¥156.1
    • 30+

      ¥149.81
  • 有货
  • 特性:平面钝化芯片。 极低的泄漏电流。 极低的正向压降。 改善的热性能。应用:主整流二极管。 用于单相和三相桥式配置
    • 1+

      ¥173.81
    • 30+

      ¥166.74
  • 有货
  • 特性:平面钝化芯片。 极低的泄漏电流。 极短的恢复时间。 改善的热性能。 极低的Irm值。 非常软的恢复特性。应用:高频开关器件的反并联二极管。 抗饱和二极管
    • 1+

      ¥178.97
    • 30+

      ¥171.68
  • 有货
  • 特性:国际标准封装-带有氮化铝隔离的miniBLOC。 雪崩额定。 低封装电感。 快速本征整流器。 低导通电阻RDS(on)和栅极电荷QG。 易于安装。应用:DC-DC转换器。 电池充电器
    • 1+

      ¥222.75
    • 30+

      ¥216.15
  • 有货
  • 特性:专为线性操作而设计。 国际标准封装。 雪崩额定。 保证在75°C时的正向偏置安全工作区(FBSOA)。 易于安装。 节省空间。应用:固态断路器。 软启动控制
    数据手册
    • 1+

      ¥238.78
    • 3+

      ¥214.902 ¥238.78
    • 5+

      ¥191.024 ¥238.78
    • 30+

      ¥184.6 ¥230.75
  • 有货
    • 1+

      ¥389.75
    • 30+

      ¥368.88
  • 有货
    • 1+

      ¥3.35
    • 10+

      ¥3.29
    • 30+

      ¥3.25
    • 100+

      ¥3.2
  • 有货
    • 1+

      ¥3.77
    • 10+

      ¥3.7
    • 30+

      ¥3.65
    • 100+

      ¥3.61
  • 有货
  • 1.5A双低侧的超快速MOSFET驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥6.36
    • 10+

      ¥5.28
    • 30+

      ¥4.68
  • 有货
  • 特性:平面钝化芯片。 极低的泄漏电流。 极短的恢复时间。 改善的热性能。 极低的Irm值。 非常软的恢复特性。应用:高频开关器件的反并联二极管。 抗饱和二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥7.4844 ¥17.82
    • 10+

      ¥4.8736 ¥15.23
    • 30+

      ¥2.9942 ¥13.61
    • 90+

      ¥2.629 ¥11.95
    • 450+

      ¥2.464 ¥11.2
    • 900+

      ¥2.3936 ¥10.88
  • 有货
  • 特别适合驱动最新的MOSFET和IGBT。两个输出端中的每一个都可以提供和吸收2A的峰值电流,同时产生小于10ns的电压上升和下降时间。每个驱动器的输入与CMOS兼容,并且几乎不受闩锁影响。专有电路消除了交叉传导和电流“直通”现象。低传播延迟以及快速且匹配的上升和下降时间,使其非常适合高频和高功率应用。有标准8引脚DIP(PI)、8引脚SOIC(SIA)、带有外露金属背的8引脚Power SOIC(SI)和8引脚DFN(D2)封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.595 ¥28.65
    • 10+

      ¥8.403 ¥28.01
    • 30+

      ¥8.277 ¥27.59
    • 100+

      ¥8.151 ¥27.17
  • 有货
  • 特性:平面钝化芯片。低泄漏电流。极短的恢复时间。改善的热性能。极低的Irm值。非常软的恢复特性。应用:高频开关器件的反并联二极管。抗饱和二极管
    • 1+

      ¥8.75
    • 10+

      ¥7.31
    • 50+

      ¥6.52
  • 有货
  • 特性:平面钝化芯片。 极低的漏电流。 极低的正向压降。 改善的热性能。应用:主整流二极管。 单桥和三相桥配置
    数据手册
    • 1+

      ¥11.641 ¥16.63
    • 10+

      ¥9.982 ¥14.26
    • 50+

      ¥8.946 ¥12.78
    • 100+

      ¥7.882 ¥11.26
    • 500+

      ¥7.399 ¥10.57
    • 1000+

      ¥7.189 ¥10.27
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。低RDS(ON)和QG。雪崩额定。低封装电感。高功率密度。易于安装。应用:开关模式和谐振模式电源。DC-DC转换器
    • 1+

      ¥19.18
    • 10+

      ¥18.42
    • 50+

      ¥17.97
  • 有货
  • 特性:国际标准封装JEDEC TO-247 AD。 平面钝化芯片。 极短的恢复时间。 极低的开关损耗。 低IRM值。 软恢复特性。应用:高频开关器件的反并联二极管。 抗饱和二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥19.52
    • 10+

      ¥16.71
    • 30+

      ¥15.04
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 雪崩额定。 低封装电感。 快速本征整流器。 175℃工作温度。 高电流处理能力。应用:汽车发动机控制。 同步降压转换器(用于笔记本系统电源和通用点负载)
    • 1+

      ¥21.21
    • 10+

      ¥18.35
    • 50+

      ¥16.55
    • 100+

      ¥14.72
  • 有货
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