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首页 > 热门关键词 > IXYS光耦
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特性:针对低开关损耗进行优化。 方形反向偏置安全工作区(RBSOA)。 隔离电压2500V~。 Vce(sat)具有正温度系数。 雪崩额定。 高电流处理能力。应用:高频功率逆变器。 不间断电源(UPS)
  • 1+

    ¥244.2
  • 30+

    ¥233.1
  • 有货
  • 特性:用于线频率的晶闸管。 平面钝化芯片。 长期稳定性。 直接铜键合Al2O3陶瓷。 隔离电压:3600 V~。 行业标准外形。应用:50/60 Hz线路整流。 交流电机软启动控制
    数据手册
    • 1+

      ¥327.6
    • 10+

      ¥320.04
  • 有货
  • 应用:瞬态电压保护。高压开关。撬棒电路。激光设备。脉冲发生器
    • 1+

      ¥385.48
    • 20+

      ¥372.36
  • 有货
    • 1+

      ¥401.64
    • 30+

      ¥388.52
  • 有货
    • 1+

      ¥3.27
    • 10+

      ¥3.21
    • 30+

      ¥3.16
    • 100+

      ¥3.12
  • 有货
    • 1+

      ¥3.68
    • 10+

      ¥3.61
    • 30+

      ¥3.56
    • 100+

      ¥3.51
  • 有货
  • 特性:平面钝化芯片。 极低的泄漏电流。 极短的恢复时间。 改善的热性能。 极低的Irm值。 非常软的恢复特性。应用:高频开关器件的反并联二极管。 抗饱和二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥6.5934 ¥17.82
    • 10+

      ¥4.1121 ¥15.23
    • 30+

      ¥2.3137 ¥13.61
    • 90+

      ¥2.0315 ¥11.95
    • 450+

      ¥1.904 ¥11.2
    • 900+

      ¥1.8496 ¥10.88
  • 有货
  • 特性:平面钝化芯片。 极低的泄漏电流。 极短的恢复时间。 改善的热性能。 极低的Irm值。 非常软的恢复特性。应用:高频开关器件的反并联二极管。 抗饱和二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥6.87
    • 10+

      ¥5.68
    • 50+

      ¥5.03
    • 100+

      ¥4.29
  • 有货
    • 1+

      ¥7.76
    • 10+

      ¥6.45
    • 50+

      ¥5.73
  • 有货
    • 1+

      ¥10.06
    • 10+

      ¥8.49
    • 50+

      ¥7.63
  • 有货
    • 1+

      ¥10.21
    • 10+

      ¥8.48
    • 30+

      ¥7.53
  • 有货
  • IXDD604/IXDF604/IXDI604/IXDN604 双路高速栅极驱动器特别适合驱动 IXYS 最新的 MOSFET 和 IGBT。两个输出端中的每一个都能提供和吸收 4A 电流,同时产生的电压上升和下降时间小于 10ns。
    数据手册
    • 1000+

      ¥6.396397
    • 2000+

      ¥6.338772
    • 3000+

      ¥6.281147
    4A双低侧的超快速MOSFET驱动
    数据手册
    • 1+

      ¥12.43
    • 10+

      ¥10.62
    • 30+

      ¥9.49
  • 有货
  • IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出可提供和吸收9A的峰值电流,同时电压上升和下降时间小于25ns。输入与CMOS兼容,且几乎不会发生闩锁效应
    数据手册
    • 1+

      ¥12.69
    • 10+

      ¥10.69
    • 50+

      ¥9.43
    • 100+

      ¥8.15
  • 有货
    • 1+

      ¥14.83
    • 10+

      ¥12.79
    • 30+

      ¥11.51
  • 有货
  • 特性:适用于线频率。 平面钝化芯片。 长期稳定性。应用:50/60Hz 线路整流。 交流电机软启动控制
    • 1+

      ¥15.56
    • 10+

      ¥13.21
    • 30+

      ¥11.74
  • 有货
  • IXDD614/IXDI614/IXDN614高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。每个输出端可提供和吸收14A的峰值电流,同时电压上升和下降时间小于30ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题,使驱动器几乎不会发生闩锁
    数据手册
    • 1+

      ¥16.53
    • 10+

      ¥13.97
    • 30+

      ¥12.36
  • 有货
  • IX4351NE专为驱动碳化硅(SiC)MOSFET和大功率IGBT而设计。独立的9A源极和灌电流输出可实现定制化的导通和关断时序,同时将开关损耗降至最低。内部负电荷调节器可提供可选的负栅极驱动偏置,以提高dV/dt抗扰度并加快关断速度
    数据手册
    • 1+

      ¥18.94
    • 10+

      ¥16.08
    • 30+

      ¥14.29
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 雪崩额定。 低封装电感。 快速本征整流器。 175℃工作温度。 高电流处理能力。应用:汽车发动机控制。 同步降压转换器(用于笔记本系统电源和通用点负载)
    • 1+

      ¥21.21
    • 10+

      ¥18.35
    • 50+

      ¥16.55
    • 100+

      ¥14.72
  • 有货
  • 特性:国际标准封装JEDEC TO-247 AD。 平面钝化芯片。 极短的恢复时间。 极低的开关损耗。 低IRM值。 软恢复特性。应用:高频开关器件的反并联二极管。 抗饱和二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥26.21
    • 10+

      ¥23.4
    • 30+

      ¥21.73
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 低Qs。 雪崩额定。 低封装电感。 快速本征整流器。 高功率密度。应用:DC-DC转换器。 开关模式和谐振模式电源
    • 1+

      ¥27.42
    • 10+

      ¥23.47
    • 50+

      ¥21.12
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 雪崩额定。 低封装电感。 快速本征整流器。 175℃工作温度。 高电流处理能力。应用:汽车发动机控制。 同步降压转换器(用于笔记本系统电源和通用点负载)
    • 1+

      ¥27.76
    • 10+

      ¥24.1
    • 30+

      ¥21.92
    • 70+

      ¥19.72
  • 有货
  • 特性:优化低传导损耗。 方形反向偏置安全工作区(RBSOA)。 高电流处理能力。 国际标准封装。 高功率密度。 低栅极驱动要求。应用:功率逆变器。 不间断电源(UPS)
    • 1+

      ¥28.2
    • 10+

      ¥24.01
    • 30+

      ¥21.52
  • 有货
  • IXDD614/IXDI614/IXDN614高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。每个输出端可提供和吸收14A的峰值电流,同时电压上升和下降时间小于30ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题,使驱动器几乎不会发生闩锁
    数据手册
    • 1+

      ¥38.54
    • 10+

      ¥33.2
    • 30+

      ¥30.02
  • 有货
    • 1+

      ¥42.06
    • 10+

      ¥36.29
    • 50+

      ¥32.78
  • 有货
    • 1+

      ¥43.67
    • 10+

      ¥37.55
    • 30+

      ¥33.83
  • 有货
  • 特性:高压封装。 取代高压达林顿管和串联MOSFET。 较低的有效导通电阻。 MOS栅极导通。 驱动简单。 与10V导通栅极电压的MOSFET兼容。应用:反激式转换器。 直流斩波器
    • 1+

      ¥44.02
    • 10+

      ¥38.71
    • 30+

      ¥35.48
  • 有货
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