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首页 > 热门关键词 > IXYS光耦
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特性:平面钝化芯片。 极低的漏电流。 极短的恢复时间。 改善的热性能。 极低的Irm值。 非常软的恢复特性。应用:高频开关设备的反并联二极管。 抗饱和二极管
  • 1+

    ¥235.95
  • 30+

    ¥226.05
  • 有货
    • 1+

      ¥356.15
    • 30+

      ¥337.08
  • 有货
  • 特性:国际标准封装,带DCB陶瓷基板。 平面钝化芯片。 短恢复时间。 低开关损耗。 软恢复特性。 隔离电压3600 V~。应用:高频开关设备的反并联二极管。 转换器和电机控制电路中的续流二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥356.94
    • 30+

      ¥339.25
  • 有货
  • 特性:国际标准封装,带DCB陶瓷基板。 平面钝化芯片。 短恢复时间。 低开关损耗。 软恢复特性。 高可靠性电路运行。应用:高频开关设备的反并联二极管。 转换器和电机控制电路中的续流二极管
    • 1+

      ¥367.2
    • 30+

      ¥356.32
  • 有货
    • 1+

      ¥469.44
    • 30+

      ¥449.77
  • 有货
  • IX4340 是一款双路、大电流、低端栅极驱动器。两个输出端各自能够提供和吸收 5A 的峰值电流,最大额定电压为 20V。在大电流应用中,两个输出端可并联使用
    • 1+

      ¥3.99
    • 10+

      ¥3.51
    • 30+

      ¥3.27
    • 100+

      ¥3.03
    • 500+

      ¥2.89
  • 有货
  • CPC3960是一款600V N沟道耗尽型场效应晶体管(FET),采用专有的垂直双扩散金属氧化物半导体(DMOS)工艺制造。该工艺可生产出具有高输入阻抗的坚固器件,能以经济的硅栅架构实现高压MOSFET性能。与所有MOS器件一样,该FET结构可防止热失控和热致二次击穿,这使得CPC3960非常适合用于高功率应用
    • 1+

      ¥5.25
    • 10+

      ¥4.27
    • 30+

      ¥3.77
  • 有货
  • 特性:超低导通电阻。 具备无钳位电感开关 (UIS) 额定值。 低封装电感。 易于驱动和保护。 工作温度可达175°C。 易于安装。应用:汽车。 电机驱动
    • 1+

      ¥10.88
    • 10+

      ¥9.12
    • 30+

      ¥8.03
    • 100+

      ¥6.9
  • 有货
  • IXDD609/IXDI609/IXDN609高速栅极驱动器特别适合驱动IXYS最新的MOSFET和IGBT。IXD_609大电流输出可提供和吸收9A的峰值电流,同时电压上升和下降时间小于25ns。输入与CMOS兼容,且几乎不会发生闩锁效应
    数据手册
    • 1+

      ¥12.69
    • 10+

      ¥10.69
    • 50+

      ¥9.43
    • 100+

      ¥8.15
  • 有货
  • 适用于驱动最新的MOSFET和IGBT。两个输出端中的每一个都可以提供和吸收4A的电流,同时产生小于10ns的电压上升和下降时间。每个驱动器的输入几乎不受闩锁影响,专有电路消除了交叉导通和电流“直通”。低传播延迟以及快速且匹配的上升和下降时间,使其非常适合高频和高功率应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥13.22
    • 10+

      ¥11.11
    • 30+

      ¥9.79
    • 100+

      ¥8.44
  • 有货
  • 特性:极低正向电压(Vf)。 极低开关损耗。 低反向电流(Irm)值。 改善的热性能。 高可靠性电路运行。 低电压尖峰,可减少保护电路。应用:开关模式电源(SMPS)中的整流器。 低压转换器中的续流二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥14.63
    • 10+

      ¥12.58
    • 30+

      ¥11.3
    • 90+

      ¥9.99
  • 有货
  • IXDD614/IXDI614/IXDN614高速栅极驱动器特别适合驱动最新的IXYS MOSFET和IGBT。每个输出端可提供和吸收14A的峰值电流,同时电压上升和下降时间小于30ns。内部电路消除了交叉导通和电流“直通”问题,使驱动器几乎不会发生闩锁
    数据手册
    • 1+

      ¥16.26
    • 10+

      ¥13.7
    • 30+

      ¥12.1
    • 100+

      ¥10.45
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 玻璃钝化芯片。 极短的恢复时间。 在高开关频率下损耗极低。 低反向电流值。 软恢复特性。应用:高频开关器件的反并联二极管。 抗饱和二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥18.72
    • 10+

      ¥16.1
    • 50+

      ¥14.46
  • 有货
    • 1+

      ¥32.49
    • 10+

      ¥27.54
    • 50+

      ¥24.59
    • 100+

      ¥21.61
  • 有货
    • 1+

      ¥34.82
    • 10+

      ¥29.63
    • 30+

      ¥26.47
  • 有货
    • 1+

      ¥35.65
    • 10+

      ¥30.99
    • 50+

      ¥28.22
  • 有货
  • 特性:平面钝化芯片。 极低的漏电流。 极低的正向压降。 改善的热性能。应用:主整流二极管。 单相和三相桥式配置
    • 1+

      ¥35.77
    • 10+

      ¥30.85
    • 30+

      ¥27.93
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。非钳位感性开关(US)额定。低封装电感,易于驱动和保护。易于安装。节省空间。高功率密度
    数据手册
    • 1+

      ¥39.025 ¥55.75
    • 10+

      ¥33.859 ¥48.37
    • 30+

      ¥30.709 ¥43.87
    • 100+

      ¥28.07 ¥40.1
  • 有货
  • 特性:快速本征整流器。雪崩额定。低RDS(O)和QG。低封装电感。高功率密度。易于安装。应用:开关模式和谐振模式电源。DC-DC转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥42.45
    • 10+

      ¥37.37
    • 25+

      ¥31.6
  • 有货
  • N-CH 650V 60A
    数据手册
    • 1+

      ¥48.63
    • 10+

      ¥42.42
    • 30+

      ¥38.64
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 非钳位电感开关(UIS)额定。 低封装电感。 易于驱动和保护。 易于安装。 节省空间。 高功率密度
    • 1+

      ¥49.21
    • 10+

      ¥42.75
    • 30+

      ¥38.81
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 经非钳位电感开关 (UIS) 额定。 低封装电感。 易于驱动和保护。 易于安装。 节省空间。 高功率密度
    • 1+

      ¥50.43
    • 10+

      ¥48.41
    • 30+

      ¥47.18
  • 有货
  • 特性:适用于线频率。 平面钝化芯片。 长期稳定性。应用:50/60Hz 线路整流。 交流电机软启动控制
    • 1+

      ¥51
    • 10+

      ¥44.43
    • 30+

      ¥40.42
  • 有货
    • 1+

      ¥53.53
    • 10+

      ¥47.04
    • 30+

      ¥43.08
  • 有货
  • 特性:国际标准封装JEDEC TO-247 AD。 平面钝化芯片。 极短的恢复时间。 极低的开关损耗。 低IRM值。 软恢复特性。应用:高频开关器件的反并联二极管。 抗饱和二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥55.37
    • 10+

      ¥48.91
    • 30+

      ¥43.29
  • 有货
  • 特性:国际标准封装-塑料包覆式引脚-低导通电阻RDS(ON)和栅极电荷QG。 雪崩额定-2500V~电气隔离-低封装电感。 高功率密度-易于安装。 节省空间。应用:开关模式和谐振模式电源。 DC-DC转换器
    • 1+

      ¥55.55
    • 10+

      ¥48.81
    • 50+

      ¥44.7
  • 有货
    • 1+

      ¥59.19
    • 10+

      ¥57.99
    • 30+

      ¥57.19
  • 有货
  • 高速栅极驱动器特别适合驱动最新的功率MOSFET和IGBT。输出可提供和吸收30A的峰值电流,同时产生小于20ns的电压上升和下降时间。内部电路消除了交叉传导和电流“直通”,驱动器几乎不受闭锁影响。欠压锁定 (UVLO) 电路使输出保持低电平,直到施加足够的电源电压(IXD_630版本为12.5V,IXD_630M版本为9V)。低传播延迟和快速匹配的上升和下降时间使该系列非常适合非常高频率和高功率应用。IXDD630配置为带使能的同相驱动器。IXDN630配置为同相驱动器,IXDI630配置为反相驱动器。该系列采用5引脚TO-220 (CI) 和5引脚TO-263 (YI) 封装。
    • 1+

      ¥59.83
    • 10+

      ¥51.41
    • 50+

      ¥46.28
    • 100+

      ¥41.98
  • 有货
  • 特性:国际标准封装。 经无钳位电感开关 (UIS) 额定。 低封装电感。 易于驱动和保护。 易于安装。 节省空间。 高功率密度
    数据手册
    • 1+

      ¥64.26
    • 10+

      ¥55.26
    • 25+

      ¥49.78
  • 有货
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