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首页 > 热门关键词 > 友台光耦
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SN74AUP1G125是一款来自超低功耗系列的单路三态输出缓冲器,可在0.8V至3.6V电源电压下工作。
  • 10+

    ¥0.2365
  • 100+

    ¥0.1864
  • 300+

    ¥0.1614
  • 3000+

    ¥0.1426
  • 6000+

    ¥0.1276
  • 9000+

    ¥0.1201
  • 有货
  • 74AUP1G14是一款高性能单反相器,具有施密特触发器输入,工作电源电压范围为0.8V至3.6V。
    • 10+

      ¥0.2365
    • 100+

      ¥0.1864
    • 300+

      ¥0.1614
    • 3000+

      ¥0.1426
    • 6000+

      ¥0.1276
    • 9000+

      ¥0.1201
  • 有货
  • 静电放电(ESD)
    • 10+

      ¥0.2366
    • 100+

      ¥0.1884
    • 300+

      ¥0.1643
    • 3000+

      ¥0.1463
    • 6000+

      ¥0.1318
    • 9000+

      ¥0.1246
  • 有货
  • 4路单向TVS/ESD管,VRWM:5V,VBR:6.1V,VC MAX:20V,Ppp:150W
    • 20+

      ¥0.237
    • 200+

      ¥0.1846
    • 600+

      ¥0.1555
    • 3000+

      ¥0.1381
    • 9000+

      ¥0.123
    • 21000+

      ¥0.1148
  • 有货
  • 4路单向TVS/ESD管,VRWM:5.25V,VBR:6V,VC MAX:17V
    • 10+

      ¥0.2386
    • 100+

      ¥0.1876
    • 300+

      ¥0.1622
    • 3000+

      ¥0.1431
    • 6000+

      ¥0.1278
    • 9000+

      ¥0.1202
  • 有货
  • 特性:最大输出电流为100mA。 输出电压为3.3V、5V、6V、8V、9V、10V、12V、15V和24V。 热过载保护。 短路电流限制
    • 20+

      ¥0.2572
    • 200+

      ¥0.1935
    • 1000+

      ¥0.1581
    • 2000+

      ¥0.1368
    • 10000+

      ¥0.1184
    • 20000+

      ¥0.1085
  • 有货
    • 10+

      ¥0.2638
    • 100+

      ¥0.2096
    • 300+

      ¥0.1825
    • 1000+

      ¥0.1621
    • 5000+

      ¥0.1458
    • 10000+

      ¥0.1377
  • 有货
    • 10+

      ¥0.2638
    • 100+

      ¥0.2096
    • 300+

      ¥0.1825
    • 1000+

      ¥0.1621
    • 5000+

      ¥0.1458
    • 10000+

      ¥0.1377
  • 有货
    • 10+

      ¥0.2638
    • 100+

      ¥0.2096
    • 300+

      ¥0.1825
    • 1000+

      ¥0.1621
    • 5000+

      ¥0.1458
    • 10000+

      ¥0.1377
  • 有货
    • 10+

      ¥0.2638
    • 100+

      ¥0.2096
    • 300+

      ¥0.1825
    • 1000+

      ¥0.1621
    • 5000+

      ¥0.1458
    • 10000+

      ¥0.1377
  • 有货
    • 10+

      ¥0.2638
    • 100+

      ¥0.2096
    • 300+

      ¥0.1825
    • 1000+

      ¥0.1621
    • 5000+

      ¥0.1458
    • 10000+

      ¥0.1377
  • 有货
  • 特性:P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 使用先进的低电压 PowerTrench 工艺。针对电池电源管理应用进行了优化。VDS(V) = 12V。ID = -2.6A。RDS(ON) = 40mΩ (VGS = 4.5V)。RDS(ON) = 50mΩ (VGS = -2.5V)。RDS(ON) = 80mΩ (VGS = -1.8V)
    数据手册
    • 10+

      ¥0.265
    • 100+

      ¥0.205
    • 300+

      ¥0.175
    • 3000+

      ¥0.1411
    • 6000+

      ¥0.1231
    • 9000+

      ¥0.1141
  • 有货
  • 特性:采用专有、高单元密度的DMOS技术制造。 VDS(V) = -30V。 ID = -4.2A (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 65mΩ (VGS = -4.5V)。 RDS(ON) < 120mΩ (VGS = -2.5V)
    • 10+

      ¥0.284715 ¥0.2997
    • 100+

      ¥0.225055 ¥0.2369
    • 300+

      ¥0.195225 ¥0.2055
    • 3000+

      ¥0.1729 ¥0.182
    • 6000+

      ¥0.154945 ¥0.1631
    • 9000+

      ¥0.146015 ¥0.1537
  • 有货
  • 特性:金属与硅整流器,多数载流子传导。 适用于低电压、高频逆变器的续流和极性保护应用。 低功耗、高效率。 高电流能力,低正向电压VF。 高浪涌容量。 玻璃钝化
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2954
    • 100+

      ¥0.2329
    • 300+

      ¥0.2016
    • 3000+

      ¥0.1782
    • 6000+

      ¥0.1594
    • 9000+

      ¥0.15
  • 有货
  • 特性:使用先进沟槽技术,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 V(BR)DS = -30V。 ID = -3A。 RDS(ON) < 85mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 145mΩ (VGS = -4.5V)
    • 10+

      ¥0.2998
    • 100+

      ¥0.2357
    • 300+

      ¥0.2037
    • 3000+

      ¥0.1797
    • 6000+

      ¥0.1604
    • 9000+

      ¥0.1508
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=-30V。 RDS(ON) < 75mΩ(VGS =-10V)。 RDS(ON) < 110mΩ(VGS =-4.5V)。应用:便携式设备的电池和负载管理应用,如手机、个人数字助理、媒体播放器等
    数据手册
    • 1+

      ¥0.301
    • 10+

      ¥0.2372
    • 30+

      ¥0.2054
    • 100+

      ¥0.1815
    • 500+

      ¥0.1623
    • 1000+

      ¥0.1528
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=30V。 ID = 6.9A(VGS = 10V)。 RDS(ON) = 28mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) = 33mΩ (VGS = 4.5V)。 低导通电阻。 高速开关。应用:DC/DC转换器
    数据手册
    • 100+

      ¥0.3227
    • 1000+

      ¥0.2537
    • 3000+

      ¥0.2193
    • 9000+

      ¥0.1934
    • 51000+

      ¥0.1727
    • 99000+

      ¥0.1624
  • 有货
  • 是一个采用CMOS技术实现的三端口低压检测器。该系列检测器可以检测2.2V-7V的固定电压。检测器由4部分组成:高精度、低功耗标准电压源、比较器、迟滞电路和输出驱动器。CMOS技术确保了低功耗。虽然该检测器主要设计用于固定电压检测,但也可以通过外围组件检测用户指定的阈值电压(仅适用于NMOS开漏型)。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3292
    • 100+

      ¥0.2624
    • 300+

      ¥0.2289
    • 3000+

      ¥0.1906
    • 6000+

      ¥0.1705
    • 9000+

      ¥0.1605
  • 有货
  • 特性:这些微型表面贴装MOSFET的低导通电阻(RDS(ON))可确保最小的功率损耗并节约能源,使其非常适合用于对空间要求较高的电源管理电路。 VDS = 30V。 ID = 2.1A(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 80mΩ(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 125mΩ(VGS = 4.5V)
    • 10+

      ¥0.35093 ¥0.3694
    • 100+

      ¥0.2774 ¥0.292
    • 300+

      ¥0.240635 ¥0.2533
    • 3000+

      ¥0.213085 ¥0.2243
    • 6000+

      ¥0.191045 ¥0.2011
    • 9000+

      ¥0.180025 ¥0.1895
  • 有货
  • 是一款超低电容瞬态电压抑制器 (TVS),旨在保护高速数据接口。仅具有 0.20pF(I/O 到 I/O)的典型电容,旨在保护对寄生敏感的系统免受过电压和过电流瞬态事件的影响。采用小型 SOT-363 封装。每个器件可以保护四条高速数据线和一条 Vcc 线。超低电容、小尺寸和高 ESD 鲁棒性的综合特性使其非常适合高速数据端口和高频线路(如 HDMI 和 DVI)应用。低钳位电压保证了受保护 IC 上的最小应力。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3599
    • 100+

      ¥0.2857
    • 300+

      ¥0.2486
    • 3000+

      ¥0.2134
    • 6000+

      ¥0.1912
    • 9000+

      ¥0.18
  • 有货
  • 特性:1500W浪涌能力(1ms)。 出色的钳位能力。 低齐纳阻抗。 快速响应时间:通常从0V到VBR(min)小于1.0ps。 典型IR小于1μA(高于10V)
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3942
    • 100+

      ¥0.3107
    • 300+

      ¥0.2689
    • 850+

      ¥0.2376
    • 5100+

      ¥0.2126
    • 10200+

      ¥0.2001
  • 有货
  • 特性:单向两线ESD保护。 ESD保护高达30 kV。 低二极管电容:Cd = 17 pF。 IEC 61000-4-2;4级(ESD)。 最大峰值脉冲功率:Ppp = 160 W。 IEC 61000-4-5(浪涌);Ipp = 2.5 A。应用:计算机及周边设备。 音频和视频设备
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4035
    • 100+

      ¥0.3205
    • 300+

      ¥0.279
    • 3000+

      ¥0.2407
    • 6000+

      ¥0.2158
    • 9000+

      ¥0.2033
  • 有货
  • 是正低压差稳压器;典型压差仅为1A时1.2V。提供固定和可调两种版本。可调电压版本的输出精度为1.5%,固定电压版本的输出精度为2%。具备热关断和限流等关键特性,适用于所有电子产品。
    • 10+

      ¥0.4336
    • 100+

      ¥0.3421
    • 300+

      ¥0.2964
    • 2500+

      ¥0.2569
    • 5000+

      ¥0.2295
    • 10000+

      ¥0.2157
  • 有货
  • 特性:1500W浪涌能力(1ms)。 出色的钳位能力。 低齐纳阻抗。 快速响应时间:通常从0V到VBR(min)小于1.0ps。 典型IR在10V以上小于1μA
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4382
    • 100+

      ¥0.338
    • 300+

      ¥0.2879
    • 850+

      ¥0.2295
    • 5100+

      ¥0.1994
    • 10200+

      ¥0.1844
  • 有货
  • 特性:宽单电源范围:2.0V 至 30V。分离电源范围:±1.0V 至 ±15V。极低电流消耗,与电源电压无关:0.4mA。低输入偏置电流:25nA。低输入失调电流:5.0nA。低输入失调电压:5.0mV(最大值)。输入共模范围至地电平。差分输入电压范围等于电源电压
    • 5+

      ¥0.4538
    • 50+

      ¥0.3578
    • 150+

      ¥0.3097
    • 500+

      ¥0.2737
    • 2500+

      ¥0.2449
    • 4000+

      ¥0.2305
  • 有货
  • SOP-8 经过定制引线框架改进,具有增强的热特性和多芯片能力,适用于各种电源应用。通过这些改进,在应用中使用多个器件时可显著减少电路板空间。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.467115 ¥0.4917
    • 50+

      ¥0.40926 ¥0.4308
    • 150+

      ¥0.380285 ¥0.4003
    • 500+

      ¥0.358625 ¥0.3775
    • 3000+

      ¥0.341335 ¥0.3593
    • 6000+

      ¥0.332595 ¥0.3501
  • 有货
  • 这些器件是精密定时电路,能够产生精确的时间延迟或振荡。在时间延迟或单稳态工作模式下,定时时间间隔由单个外部电阻和电容网络控制。在无稳态工作模式下,频率和占空比可通过两个外部电阻和一个外部电容分别进行控制
    • 5+

      ¥0.5041
    • 50+

      ¥0.401
    • 150+

      ¥0.3494
    • 500+

      ¥0.3107
    • 2500+

      ¥0.2797
    • 5000+

      ¥0.2642
  • 有货
  • 特性:使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。 漏源电压(VDS) = -30V。 漏极电流(ID) = -12A。 导通电阻(RDS(ON)) < 20mΩ(栅源电压VGS = 10V)
    • 5+

      ¥0.5224
    • 50+

      ¥0.4104
    • 150+

      ¥0.3544
    • 500+

      ¥0.3125
    • 3000+

      ¥0.2789
    • 6000+

      ¥0.262
  • 有货
  • 1个P沟道,VDS:-30V,ID=-14A,RDS(ON):11.5mΩ(-10V,ID=-14A)
    • 5+

      ¥0.542925 ¥0.5715
    • 50+

      ¥0.427975 ¥0.4505
    • 150+

      ¥0.370405 ¥0.3899
    • 500+

      ¥0.327275 ¥0.3445
    • 3000+

      ¥0.29279 ¥0.3082
    • 6000+

      ¥0.2755 ¥0.29
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=30V。 ID = 8.4A(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 22mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON)< 30mΩ (VGS = 4.5V)。 快速开关速度。 低栅极电荷。 高功率和电流处理能力。 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
    • 5+

      ¥0.556
    • 50+

      ¥0.4367
    • 150+

      ¥0.377
    • 500+

      ¥0.3323
    • 3000+

      ¥0.2965
    • 6000+

      ¥0.2785
  • 有货
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