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特性:快速开关速度。 高电导。 适用于通用开关应用
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    ¥0.07
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    ¥0.0652
  • 有货
  • 特性:IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)。 350 瓦脉冲峰值功率(tp = 8 / 20μs)。 保护一条 I/O 线(双向)。 低钳位电压。 工作电压:3V、5V、8V、12V、15V、18V、20V、24V、36V。 低漏电流。应用:计算机。 打印机
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1436
    • 200+

      ¥0.1128
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    • 3000+

      ¥0.0752
    • 9000+

      ¥0.0663
    • 21000+

      ¥0.0615
  • 有货
  • 特性:设计用于保护连接到数据和传输线路的组件免受静电放电 (ESD)、电快速瞬变 (EFT) 和雷击影响。 IEC 61000-4-2 4级ESD保护。 ±30kV接触放电。 ±30kV空气放电。 350W峰值脉冲功率 (8/20us)。 低钳位电压。应用:便携式电子设备。 控制与监测系统
    • 20+

      ¥0.1462
    • 200+

      ¥0.1134
    • 600+

      ¥0.0952
    • 3000+

      ¥0.0843
    • 9000+

      ¥0.0749
    • 21000+

      ¥0.0698
  • 有货
  • 是双向瞬态电压抑制器(TVS),专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件,使其免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和雷击造成的过应力影响。
    • 20+

      ¥0.1476
    • 200+

      ¥0.1143
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      ¥0.0958
    • 3000+

      ¥0.0847
    • 9000+

      ¥0.0751
    • 21000+

      ¥0.0699
  • 有货
  • 特性:350瓦峰值脉冲功率(tp = 8/20μs)。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC61000-4-2 ±30kV接触,±30kV空气。应用:USB Vbus电源线电源管理
    • 20+

      ¥0.1521
    • 200+

      ¥0.118
    • 600+

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    • 3000+

      ¥0.0877
    • 9000+

      ¥0.0779
    • 21000+

      ¥0.0726
  • 有货
  • 设计用于保护连接到数据和传输线路的组件,免受静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和雷击引起的电压浪涌影响。TVS二极管具有高浪涌能力、低工作和钳位电压以及快速响应时间的特点。
    • 20+

      ¥0.1555
    • 200+

      ¥0.1207
    • 600+

      ¥0.1013
    • 3000+

      ¥0.0897
    • 9000+

      ¥0.0796
    • 21000+

      ¥0.0742
  • 有货
  • 该设备专门设计用于保护连接到高速数据和传输线路的敏感组件,使其免受由静电放电(ESD)、电缆放电事件(CDE)和雷击引起的过电压影响。
    • 20+

      ¥0.1573
    • 200+

      ¥0.1221
    • 600+

      ¥0.1025
    • 3000+

      ¥0.0908
    • 9000+

      ¥0.0806
    • 21000+

      ¥0.0752
  • 有货
  • 特性:通用放大器应用
    • 20+

      ¥0.1592
    • 200+

      ¥0.1233
    • 600+

      ¥0.1033
    • 3000+

      ¥0.0913
    • 9000+

      ¥0.081
    • 21000+

      ¥0.0754
  • 有货
  • 特性:TLP动态电阻:0.25Ω。 低通道输入电容:典型值0.65pF。 通常用于高速端口,如USB 2.0、IEEE1394、HDMI、笔记本电脑和个人电脑、平板显示器、视频图形显示器。 低钳位电压,I/O到VSS:10A 100ns时典型值9V;6A 8us/20us时典型值7.7V。 IEC 61000-4-4(EFT):4级。 IEC 61000-4-5(浪涌):±6A。 4通道ESD保护。 IEC 61000-4-2(ESD):空气放电+27/-19kV;接触放电±16kV
    • 20+

      ¥0.1607
    • 200+

      ¥0.1244
    • 600+

      ¥0.1042
    • 3000+

      ¥0.0921
    • 9000+

      ¥0.0816
    • 21000+

      ¥0.076
  • 有货
  • 保护敏感半导体组件免受静电放电 (ESD) 和其他电压引起的瞬态事件的损坏或故障。它们具有大横截面积结,用于传导高瞬态电流,为板级保护提供理想的电气特性,如快速响应时间、低工作电压。
    • 20+

      ¥0.161
    • 200+

      ¥0.1238
    • 600+

      ¥0.1031
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    • 9000+

      ¥0.08
    • 21000+

      ¥0.0742
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=20V。 RDS(ON)<24mΩ(VGS=4.5V)。 RDS(ON)<31mΩ(VGS=2.5V)。 多供应商兼容性。 环保。 提高可靠性
    • 20+

      ¥0.1627
    • 200+

      ¥0.126
    • 600+

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    • 3000+

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    • 9000+

      ¥0.0827
    • 21000+

      ¥0.077
  • 有货
  • 此N沟道MOSFET采用高压PowerTrench工艺,针对电源管理应用进行了优化。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1655
    • 200+

      ¥0.1285
    • 600+

      ¥0.1079
    • 3000+

      ¥0.0915
    • 9000+

      ¥0.0808
    • 21000+

      ¥0.075
  • 有货
  • 特性:使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻 (RDS(on)) 和低栅极电荷。适用于负载开关或PWM应用
    • 20+

      ¥0.1669
    • 200+

      ¥0.13
    • 600+

      ¥0.1095
    • 3000+

      ¥0.0914
    • 9000+

      ¥0.0808
    • 21000+

      ¥0.075
  • 有货
  • 静电放电ESD
    • 20+

      ¥0.1681
    • 200+

      ¥0.1305
    • 600+

      ¥0.1096
    • 3000+

      ¥0.097
    • 9000+

      ¥0.0861
    • 21000+

      ¥0.0803
  • 有货
  • 特性:适用于开关和放大器应用。 互补型PNP晶体管MMBTA56
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1704
    • 200+

      ¥0.1332
    • 600+

      ¥0.1126
    • 3000+

      ¥0.1002
    • 9000+

      ¥0.0895
    • 21000+

      ¥0.0837
  • 有货
  • 特性:350瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。 双向和单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±30kV接触,±30kV空气。应用:数据线。 自动取款机
    • 20+

      ¥0.1715
    • 200+

      ¥0.1319
    • 600+

      ¥0.1099
    • 3000+

      ¥0.0967
    • 9000+

      ¥0.0852
    • 21000+

      ¥0.079
  • 有货
  • ESD静电管
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1737
    • 200+

      ¥0.1354
    • 600+

      ¥0.1142
    • 3000+

      ¥0.0972
    • 9000+

      ¥0.0862
    • 21000+

      ¥0.0802
  • 有货
  • 特性:VDS(V) = 25V。 ID = 0.68A。 RDS(ON) < 28mΩ (VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 42mΩ (VGS = 2.7V)。 Compact industry standard SOT-23 surface mount package。 Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits, VGS(TH)< 1V。 Gate-Source Zener for ESD ruggedness, >6kV Human Body Model
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1753
    • 200+

      ¥0.136
    • 600+

      ¥0.1142
    • 3000+

      ¥0.1011
    • 9000+

      ¥0.0898
    • 21000+

      ¥0.0837
  • 有货
  • 双单片硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件适用于电路板空间有限的情况。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1757
    • 200+

      ¥0.1369
    • 600+

      ¥0.1154
    • 3000+

      ¥0.0947
    • 9000+

      ¥0.0835
    • 21000+

      ¥0.0775
  • 有货
  • 特性:该P沟道2.5V产品针对电源管理应用进行了优化,具有宽范围的栅极驱动电压(2.5V-12V)。 漏源击穿电压VDS(V) = 20V。 漏极电流ID = -2.4A。 静态漏源导通电阻RDS(ON):55mΩ(VGS = -4.5V);80mΩ(VGS = -2.5V)
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1784
    • 200+

      ¥0.1381
    • 600+

      ¥0.1157
    • 3000+

      ¥0.1023
    • 9000+

      ¥0.0907
    • 21000+

      ¥0.0844
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。该器件适用于用作负载开关或PWM应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1794
    • 200+

      ¥0.1391
    • 600+

      ¥0.1168
    • 3000+

      ¥0.0989
    • 9000+

      ¥0.0873
    • 21000+

      ¥0.081
  • 有货
  • 静电放电(ESD)
    • 20+

      ¥0.1852
    • 200+

      ¥0.1433
    • 600+

      ¥0.1201
    • 3000+

      ¥0.1061
    • 9000+

      ¥0.094
    • 21000+

      ¥0.0875
  • 有货
  • 设计用于保护低电压敏感组件免受ESD和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使其非常适合在电路板空间有限的设计中进行ESD保护。
    • 20+

      ¥0.1885
    • 200+

      ¥0.1463
    • 600+

      ¥0.1228
    • 3000+

      ¥0.1087
    • 9000+

      ¥0.0965
    • 21000+

      ¥0.09
  • 有货
  • 静电放电ESD
    • 20+

      ¥0.19
    • 200+

      ¥0.1471
    • 600+

      ¥0.1233
    • 3000+

      ¥0.109
    • 9000+

      ¥0.0966
    • 21000+

      ¥0.0899
  • 有货
  • 双单片硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件适用于电路板空间有限的情况。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1906
    • 200+

      ¥0.1476
    • 600+

      ¥0.1237
    • 3000+

      ¥0.1094
    • 9000+

      ¥0.0969
    • 21000+

      ¥0.0902
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻 (RDS(on)) 和低栅极电荷。适用于作为负载开关或在PWM应用中使用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1921
    • 200+

      ¥0.1491
    • 600+

      ¥0.1252
    • 3000+

      ¥0.1061
    • 9000+

      ¥0.0937
    • 21000+

      ¥0.087
  • 有货
  • 特性:对一条线路进行瞬态电压抑制(TVS)保护。 最大峰值脉冲功率:Pₚₚ = 890 W。 低钳位电压:V_CL = 19 V。 低泄漏电流:I_RM = 300 nA。 ESD保护高达30 kV。 IEC 61000-4-2;4级(ESD)。应用:计算机及外围设备。 音频和视频设备
    • 20+

      ¥0.1929
    • 200+

      ¥0.1488
    • 600+

      ¥0.1243
    • 3000+

      ¥0.1096
    • 9000+

      ¥0.0969
    • 21000+

      ¥0.09
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=60V。 RDS(ON)<2Ω(VGS=10V)。 RDS(ON)<2.2Ω(VGS=4.5V)。应用:Notebook。 Load Switch
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1932
    • 200+

      ¥0.151
    • 600+

      ¥0.1275
    • 3000+

      ¥0.1088
    • 9000+

      ¥0.0966
    • 21000+

      ¥0.09
  • 有货
  • 保护敏感半导体组件免受静电放电 (ESD) 和其他电压引起的瞬态事件的损坏或干扰。采用SOD-323封装,工作电压为7V。
    • 20+

      ¥0.1939
    • 200+

      ¥0.1501
    • 600+

      ¥0.1258
    • 3000+

      ¥0.1112
    • 9000+

      ¥0.0986
    • 21000+

      ¥0.0918
  • 有货
  • 特性:低外形封装,适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 有单向和双向两种类型。 600W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 出色的钳位能力。 非常快的响应时间。 低增量浪涌电阻。 符合 J-STD-020 的 MSL 1 级,LF 最大峰值为 260℃。 有 AEC-Q101 认证可选-汽车订购代码:基础型号 P/NHE3 或 P/NHM3。 IEC 61000-4-2 ESD 30kV(空气),30kV(接触)。 符合 IEC 61000-4-4 的数据线 EFT 保护
    数据手册
    • 25+

      ¥0.1965
    • 250+

      ¥0.1485
    • 750+

      ¥0.1224
    • 2250+

      ¥0.1064
    • 12750+

      ¥0.0925
    • 24750+

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