友台光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRF7204TR(UMW) 编号：C7394008

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

是单P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷和低栅极电阻。高达 -30V 的工作电压非常适合用于开关模式电源、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路。

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￥0.5586
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￥0.2999
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￥0.282

有货

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型号：NJM4580E(UMW) 编号：C52740939

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

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￥0.5684
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￥0.3931
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型号：2N65G 编号：C2889159

封装：SOT-223

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=650V。 I=2A。 RDS(ON)=5.5Ω

数据手册

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￥0.5715
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￥0.4505
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￥0.3899
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￥0.3446
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￥0.3082
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￥0.2901

有货

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型号：NE556DR(UMW) 编号：C18207581

封装：SOP-14

品牌：UMW(友台半导体)

NE556双通道独立定时器电路是一种能够产生高精度延时或振荡的控制器。在延时模式下工作时，时间由外部电阻和电容精确控制。对于像振荡器这样的稳定运行，自由运行频率和占空比均由两个外部电阻和一个电容精确控制

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型号：FDT3612(UMW) 编号：C20617897

封装：SOT-223

品牌：UMW(友台半导体)

该N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。

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￥0.5972
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￥0.4703
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￥0.3211
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￥0.302

有货

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型号：FDS6685(UMW) 编号：C18214387

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：这是一款采用先进PowerTrench工艺的坚固栅极版本P沟道MOSFET，针对需要宽范围栅极驱动电压额定值（4.5V-25V）的电源管理应用进行了优化。 VDS(V) = -30V。 ID = -8.8A（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 20mΩ（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 35mΩ（VGS = 4.5V）。高功率和电流处理能力。采用高性能沟槽技术，实现极低的RDS(on)。低栅极电荷（典型值17nC）。快速开关速度

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型号：25N06 编号：C2890396

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：采用先进的沟槽技术设计。提供出色的导通电阻和低栅极电荷。符合 RoHS 标准。快速开关。低导通电阻（Rdson ≤ 29mΩ）。低反向传输电容。 100%单脉冲雪崩能量测试

数据手册

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有货

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型号：FDS6690A(UMW) 编号：C18214401

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=30V。 ID = 11A(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 12.5mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON)< 17mΩ (VGS = 4.5V)。快速开关速度。低栅极电荷。高功率和电流处理能力。高性能沟槽技术，实现极低的RDo(sON)

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￥0.4159
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￥0.372
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￥0.3501

有货

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型号：AOD413A(UMW) 编号：C19100585

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

MOS（场效应管）

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￥0.6983
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型号：IRF9393TR(UMW) 编号：C42370425

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

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￥0.7103
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型号：FQD20N06(UMW) 编号：C5159780

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：先进的MOSFET技术，专门设计用于降低导通电阻。提供卓越的开关性能。具有高雪崩能量强度。 VDS(V) = 60V。 ID = 30A（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 25mΩ（VGS = 10V）。应用：开关模式电源。音频放大器

数据手册

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型号：IRF8707TR(UMW) 编号：C18214399

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

针对同步降压操作中的关键参数（包括导通电阻RDS(ON)和栅极电荷）进行了优化，以降低传导和开关损耗。较低的总损耗使其非常适合为笔记本电脑和网络通信应用中的新一代处理器供电的高效DC-DC转换器。

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￥0.405
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型号：AOD478(UMW) 编号：C7503182

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：适用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。 VDS(V) = 100V。 ID = 11A(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 140mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 152mΩ (VGS = 5V)

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￥0.378

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型号：IRLR8726TR(UMW) 编号：C5693007

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=30V。 RDS(ON)<5.8mΩ(VGS=10V)。 RDS(ON)<8mΩ(VGS=4.5V)。极低的RDS(ON)，VGS为4.5V时。超低栅极阻抗。完全表征雪崩电压和电流。应用：用于电信和工业的带同步整流的高频隔离式DC-DC转换器。用于计算机处理器电源的高频同步降压转换器

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型号：LM324PWR(UMW) 编号：C22373376

封装：TSSOP-14

品牌：UMW(友台半导体)

LM324由四个独立的高增益、内部频率补偿运算放大器组成，这些放大器专为在宽电压范围内使用单电源供电而设计。也可使用双电源供电，且低电源电流消耗与电源电压的大小无关。应用领域包括传感器放大器、直流增益模块以及所有传统的运算放大器电路

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型号：NTD2955T4G(UMW) 编号：C7472425

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

MOS

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型号：FQD13N06LTM(UMW) 编号：C7499402

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=60V。 ID = 5.5A(VGS = 10V)。 RDS(ON)<115mΩ(VGS=10V)。 RDS(ON)<145mΩ(VGS=5V)。低栅极电荷（典型值4.8nC）。低Crss（典型值17pF）。可由逻辑驱动器直接操作。低电平栅极驱动要求

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型号：FDS6912A(UMW) 编号：C18214398

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：适用于需要低在线功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。 VDS(V) = 30V。 ID = 6A(VGS = 10V)。 RDS(ON) < 28mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 35mΩ (VGS = 4.5V)。高功率和电流处理能力。采用高性能沟槽技术，实现极低的Rps(on)。快速开关速度。低栅极电荷

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型号：IRFR4105TR(UMW) 编号：C18214392

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

超低导通电阻。快速开关。完全雪崩额定。无铅

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￥0.8239
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型号：BT137S-600E(UMW) 编号：C30167298

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：NPNPN五层硅双向器件。具有自主知识产权的单边开槽技术，台面玻璃钝化工艺。背面多层金属化电极。高阻断电压和高温稳定性。应用：真空吸尘器、电动工具等电机速度控制器。固态继电器

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型号：AD8632ARZ(UMW) 编号：C18057299

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

AD8631A（单通道）、AD8632A（双通道）和 AD8634A（四通道）是低噪声、低电压、微功耗运算放大器。AD863xA 系列放大器带宽达 6.5MHz，压摆率为 4V/μs，在 5V 电源电压下每路放大器的静态电流为 480μA，可应用于广泛的领域。AD863xA 运算放大器专为在低电压、低噪声系统中实现最佳性能而设计

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型号：AOD403(UMW) 编号：C7499378

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷和低栅极电阻。漏源电压（VDS）：-30V。当栅源电压（VGS）为 -10V 时，导通电阻（RDS(ON)）< 8mΩ。当栅源电压（VGS）为 -20V 时，导通电阻（RDS(ON)）< 6.2mΩ

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型号：IRF7809AVTR(UMW) 编号：C7499382

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：针对同步降压转换器中所有关键参数进行了优化，包括导通电阻、栅极电荷和Cdv/dt引起的导通抗扰度。 VDS = 30V。 ID = 15A（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 9mΩ（VGS = 4.5V）

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型号：FDD6796A(UMW) 编号：C18295979

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。针对低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度进行了优化。 VDS(V) = 25V。 ID = 20A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 5.7mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 15mΩ (VGS = 4.5V)

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型号：IRLR2905TR(UMW) 编号：C7436892

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。漏源电压（VDS）：60V。漏极电流（ID）：30A（VGS = 10V）。导通电阻（RDS(ON)）< 23mΩ（VGS = 10V）。导通电阻（RDS(ON)）< 29mΩ（VGS = 4.5V）。先进的沟槽技术。出色的导通电阻和低栅极电荷。获得无铅产品认证

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型号：IRF7404TR(UMW) 编号：C5447690

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

特性：通过定制引线框架进行了修改，具有增强的热特性和多芯片能力，适用于各种电源应用。改进后可在应用中使用多个器件，显著减少电路板空间。该封装设计适用于气相、红外线或波峰焊接技术。典型 PCB 安装应用中功耗大于 0.8W。 VDS(V) = -20V。 RDS(ON)< 40mΩ (VGS = -4.5V)。 RDS(ON)< 60mΩ (VGS = -2.7V)。第五代技术。超低导通电阻。表面贴装。动态 dv/dt 额定值。快速开关。无铅