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首页 > 热门关键词 > 友台光耦
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74AUP1G14是一款高性能单反相器,具有施密特触发器输入,工作电源电压范围为0.8V至3.6V。
  • 10+

    ¥0.2561
  • 100+

    ¥0.2019
  • 300+

    ¥0.1747
  • 3000+

    ¥0.1544
  • 6000+

    ¥0.1381
  • 9000+

    ¥0.13
  • 有货
  • 特性:塑料封装具有UL 94V-0可燃性等级。 金属硅结,多数载流子传导。 适用于表面贴装应用。 有保护环用于过压保护。 低功率损耗,高效率。 高电流能力,低正向压降。 高浪涌能力。 适用于低电压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 保证高温焊接:端子在250℃下可承受10秒
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2674
    • 100+

      ¥0.211
    • 300+

      ¥0.1828
    • 3000+

      ¥0.1605
    • 6000+

      ¥0.1436
    • 9000+

      ¥0.1351
  • 有货
  • TVS/ESD管,VRWM:5V,VBR:6V,VC MAX:18V,
    • 10+

      ¥0.2758
    • 100+

      ¥0.2174
    • 300+

      ¥0.1882
    • 3000+

      ¥0.1663
    • 6000+

      ¥0.1488
    • 9000+

      ¥0.14
  • 有货
  • 特性:P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 使用先进的低电压 PowerTrench 工艺。针对电池电源管理应用进行了优化。VDS(V) = 12V。ID = -2.6A。RDS(ON) = 40mΩ (VGS = 4.5V)。RDS(ON) = 50mΩ (VGS = -2.5V)。RDS(ON) = 80mΩ (VGS = -1.8V)
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2778
    • 100+

      ¥0.2158
    • 300+

      ¥0.1848
    • 3000+

      ¥0.1498
    • 6000+

      ¥0.1312
    • 9000+

      ¥0.1219
  • 有货
  • 是基于CMOS技术的模拟开关,具有低功耗、低传输延迟和低输出阻抗的特点。模拟信号和数字信号的电压输出范围可以是VCC或GND。选择输入端具有过压保护功能,允许输入电压高于VCC,最高可达7V,且引脚不会被烧毁。
    • 10+

      ¥0.2998
    • 100+

      ¥0.2354
    • 300+

      ¥0.2033
    • 3000+

      ¥0.1791
    • 6000+

      ¥0.1598
    • 9000+

      ¥0.1502
  • 有货
  • 特性:使用先进沟槽技术,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 V(BR)DS = -30V。 ID = -3A。 RDS(ON) < 85mΩ (VGS = -10V)。 RDS(ON) < 145mΩ (VGS = -4.5V)
    • 10+

      ¥0.2998
    • 100+

      ¥0.2358
    • 300+

      ¥0.2038
    • 3000+

      ¥0.1798
    • 6000+

      ¥0.1606
    • 9000+

      ¥0.151
  • 有货
  • 特性:适用于需要低在线功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。 VDS(VI) = 30V。 ID =-2A(VGS =-10V)。 RDS(ON) < 80mΩ(VGS =-10V)。 RDS(ON) < 125mΩ(VGS =-4.5V)。 行业标准SOT-23封装的高功率版本。 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)。 低栅极电荷(典型值6.2nC),更高的功率处理能力
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3156
    • 100+

      ¥0.2465
    • 300+

      ¥0.212
    • 3000+

      ¥0.1861
    • 6000+

      ¥0.1654
    • 9000+

      ¥0.155
  • 有货
  • 是具有施密特触发器功能的非门集成电路,可实现数学逻辑运算,Y = A(overline)。采用先进的CMOS工艺设计,具有低功耗和高输出驱动能力。芯片在1.65V至5.5V的VCC电源电压下能良好工作。有多种小型封装形式,可广泛应用于高端精密仪器、小型化低功耗手持设备和人工智能领域。
    • 10+

      ¥0.3466
    • 100+

      ¥0.2732
    • 300+

      ¥0.2365
    • 1000+

      ¥0.209
    • 5000+

      ¥0.187
    • 10000+

      ¥0.1759
  • 有货
  • 静电放电(ESD)
    • 10+

      ¥0.3656
    • 100+

      ¥0.2858
    • 300+

      ¥0.2459
    • 3000+

      ¥0.216
    • 6000+

      ¥0.192
    • 9000+

      ¥0.18
  • 有货
  • 集成超低电容二极管,为可能遭受破坏性静电放电 (ESD) 的电子设备提供保护。该强大组件能够安全吸收高于 IEC61000-4-2 国际标准(4 级,±8kV 接触放电)规定的最大水平的重复 ESD 冲击,且性能不会下降。
    • 10+

      ¥0.3964
    • 100+

      ¥0.3117
    • 300+

      ¥0.2694
    • 3000+

      ¥0.2377
    • 6000+

      ¥0.2123
    • 9000+

      ¥0.1996
  • 有货
  • MOS(场效应管)
    • 10+

      ¥0.411
    • 100+

      ¥0.3233
    • 300+

      ¥0.2794
    • 3000+

      ¥0.2465
    • 6000+

      ¥0.2202
    • 9000+

      ¥0.207
  • 有货
  • 最大输入电压:57V;最大输出电流:3A;输出电压(固定):15V;静态电流(最大):10mA;
    • 10+

      ¥0.4322
    • 100+

      ¥0.3406
    • 300+

      ¥0.2949
    • 3000+

      ¥0.2605
    • 6000+

      ¥0.2331
    • 9000+

      ¥0.2194
  • 有货
  • 是正低压差稳压器;典型压差仅为1A时1.2V。提供固定和可调两种版本。可调电压版本的输出精度为1.5%,固定电压版本的输出精度为2%。具备热关断和限流等关键特性,适用于所有电子产品。
    • 5+

      ¥0.4728
    • 50+

      ¥0.3731
    • 150+

      ¥0.3232
    • 500+

      ¥0.2858
    • 2500+

      ¥0.2502
    • 5000+

      ¥0.2353
  • 有货
  • 特性:1500W浪涌能力(1ms)。 出色的钳位能力。 低齐纳阻抗。 快速响应时间:通常从0V到VBR(min)小于1.0ps。 典型IR在10V以上小于1μA
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4738
    • 100+

      ¥0.3737
    • 300+

      ¥0.3236
    • 850+

      ¥0.2651
    • 5100+

      ¥0.2351
    • 10200+

      ¥0.22
  • 有货
  • 特性:宽单电源范围:2.0V 至 30V。分离电源范围:±1.0V 至 ±15V。极低电流消耗,与电源电压无关:0.4mA。低输入偏置电流:25nA。低输入失调电流:5.0nA。低输入失调电压:5.0mV(最大值)。输入共模范围至地电平。差分输入电压范围等于电源电压
    • 5+

      ¥0.4925
    • 50+

      ¥0.3882
    • 150+

      ¥0.3361
    • 500+

      ¥0.2969
    • 2500+

      ¥0.2656
    • 4000+

      ¥0.25
  • 有货
  • 特性:使用先进沟槽技术,提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 VDS = 30V。 ID = -6A。 RDS(ON) < 45mΩ (VGS = 10V)
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5078
    • 50+

      ¥0.403
    • 150+

      ¥0.3506
    • 500+

      ¥0.3113
    • 3000+

      ¥0.2668
    • 6000+

      ¥0.2511
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用,以优化电路板空间。玻璃钝化结。内置应变消除。出色的钳位能力。薄型封装。低电感。快速响应时间:通常从0伏到最小击穿电压小于1.0 ps。典型反向电流在10V以上小于1A。保证高温焊接:端子250℃/10秒
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5222
    • 50+

      ¥0.4174
    • 150+

      ¥0.3651
    • 500+

      ¥0.3258
    • 1800+

      ¥0.2666
    • 5400+

      ¥0.2509
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=30V。 ID = 8.4A(VGS = 10V)。 RDS(ON)< 22mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON)< 30mΩ (VGS = 4.5V)。 快速开关速度。 低栅极电荷。 高功率和电流处理能力。 采用高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
    • 5+

      ¥0.5511
    • 50+

      ¥0.4344
    • 150+

      ¥0.376
    • 500+

      ¥0.3323
    • 3000+

      ¥0.2972
    • 6000+

      ¥0.2797
  • 有货
  • 是单P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,可提供出色的导通电阻、低栅极电荷和低栅极电阻。高达 -30V 的工作电压非常适合用于开关模式电源、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路。
    • 5+

      ¥0.5516
    • 50+

      ¥0.4348
    • 150+

      ¥0.3764
    • 500+

      ¥0.3325
    • 3000+

      ¥0.2975
    • 6000+

      ¥0.28
  • 有货
  • 此功率 MOSFET 采用最新的处理技术,实现了每单位硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括150℃的结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。
    • 5+

      ¥0.5569
    • 50+

      ¥0.438
    • 150+

      ¥0.3785
    • 500+

      ¥0.334
    • 2500+

      ¥0.2983
    • 5000+

      ¥0.2804
  • 有货
  • 特性:低外形封装,内置应力消除功能,适用于表面贴装应用。 玻璃钝化结。 低增量浪涌电阻。 低电感。 出色的钳位能力。 1500W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 非常快的响应时间。 塑料封装具有美国保险商实验室可燃性等级 94V-0
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5726
    • 50+

      ¥0.4401
    • 150+

      ¥0.3738
    • 850+

      ¥0.3242
    • 2550+

      ¥0.2844
    • 5100+

      ¥0.2645
  • 有货
  • NE556双通道独立定时器电路是一种能够产生高精度延时或振荡的控制器。在延时模式下工作时,时间由外部电阻和电容精确控制。对于像振荡器这样的稳定运行,自由运行频率和占空比均由两个外部电阻和一个电容精确控制
    • 5+

      ¥0.5855
    • 50+

      ¥0.4623
    • 150+

      ¥0.4007
    • 500+

      ¥0.3545
    • 2500+

      ¥0.3085
    • 5000+

      ¥0.29
  • 有货
  • D-PAK专为使用气相、红外或波峰焊技术进行表面贴装而设计。在典型的表面贴装应用中,功率耗散水平可达1.5瓦。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6179
    • 50+

      ¥0.4894
    • 150+

      ¥0.4252
    • 500+

      ¥0.377
    • 2500+

      ¥0.3224
    • 5000+

      ¥0.3031
  • 有货
    • 5+

      ¥0.7006
    • 50+

      ¥0.5539
    • 150+

      ¥0.4805
    • 500+

      ¥0.4254
    • 3000+

      ¥0.3814
    • 6000+

      ¥0.3594
  • 有货
  • MOS(场效应管)
    • 5+

      ¥0.7038
    • 50+

      ¥0.5658
    • 150+

      ¥0.4968
    • 500+

      ¥0.445
    • 2500+

      ¥0.4036
    • 5000+

      ¥0.3829
  • 有货
  • 特性:适用于需要低在线功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。 VDS(V) = 30V。 ID = 15A(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 7.5mΩ (VGS = 2.5V)。 RDS(ON) < 10mΩ (VGS = 4.5V)。 高功率和电流处理能力。 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)。 低栅极电荷(典型值47nC)。 快速开关速度
    • 5+

      ¥0.7597
    • 50+

      ¥0.6625
    • 150+

      ¥0.6209
    • 500+

      ¥0.569
    • 3000+

      ¥0.5458
    • 6000+

      ¥0.532
  • 有货
  • 针对同步降压操作中的关键参数(包括导通电阻RDS(ON)和栅极电荷)进行了优化,以降低传导和开关损耗。较低的总损耗使其非常适合为笔记本电脑和网络通信应用中的新一代处理器供电的高效DC-DC转换器。
    • 5+

      ¥0.7901
    • 50+

      ¥0.6227
    • 150+

      ¥0.5391
    • 500+

      ¥0.4763
    • 3000+

      ¥0.4261
    • 6000+

      ¥0.401
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=60V。 ID = 38A (VGS = 10V)。 RDS(ON)< 21mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON)< 25mΩ (VGS = 6V)。 低栅极电荷(典型值33nC)。 快速开关速度。应用:DC/DC转换器。 电机驱动器
    • 5+

      ¥0.8568
    • 50+

      ¥0.7473
    • 150+

      ¥0.7003
    • 500+

      ¥0.6417
    • 2500+

      ¥0.6157
    • 5000+

      ¥0.6
  • 有货
  • OPA348系列放大器是采用微型封装的单电源、低功耗CMOS运算放大器。OPA348系列具有1MHz的扩展带宽,电源电流为45μA,适用于2.1V至5.5V单电源的低功耗应用。45μA的低电源电流和0.5pA的输入偏置电流,使OPA348系列成为烟雾探测器和其他传感器等低功耗、高阻抗应用的理想选择
    • 5+

      ¥0.8867
    • 50+

      ¥0.6989
    • 150+

      ¥0.605
    • 500+

      ¥0.5346
    • 2500+

      ¥0.4782
    • 5000+

      ¥0.45
  • 有货
  • 特性:采用专有平面条纹和 DMOS 技术生产。 VDS(V) = 100V。 ID = 15.6A(VGS = 10V)。 RDS(Ou)< 100mΩ (VGS = 10V)。 RDS(Ou)< 110mΩ (VGS = 5V)。 低栅极电荷(典型值 14 nC)。 低 Crss(典型值 35 pF)
    • 5+

      ¥0.8901
    • 50+

      ¥0.7015
    • 150+

      ¥0.6073
    • 500+

      ¥0.5366
    • 2500+

      ¥0.48
    • 5000+

      ¥0.4517
  • 有货
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