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是双向瞬态电压抑制器(TVS),专为保护连接到低速数据线和控制线的敏感电子元件,使其免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和雷击造成的过应力影响。
  • 50+

    ¥0.106
  • 500+

    ¥0.082
  • 3000+

    ¥0.0687
  • 6000+

    ¥0.0607
  • 24000+

    ¥0.0538
  • 51000+

    ¥0.0501
  • 有货
  • 特性:适合表面贴装应用,便于拾取和放置。 内置应力消除。 低正向压降
    数据手册
    • 50+

      ¥0.114
    • 500+

      ¥0.0897
    • 2000+

      ¥0.0699
    • 4000+

      ¥0.0618
    • 24000+

      ¥0.0548
    • 50000+

      ¥0.051
  • 有货
  • 特性:300 Watts 峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。双向和单向配置。固态硅雪崩技术。低钳位电压。低泄漏电流。IEC 61000-4-2 ±30kV 接触,±30kV 空气。应用:数据线。自动取款机
    • 50+

      ¥0.1158
    • 500+

      ¥0.0899
    • 3000+

      ¥0.0755
    • 6000+

      ¥0.0669
    • 24000+

      ¥0.0594
    • 51000+

      ¥0.0553
  • 有货
  • 特性:350W峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC61000-4-2 接触 ±30kV,空气 ±30kV。应用:基于微处理器的设备。 个人数字助理 (PDA)
    • 50+

      ¥0.1163
    • 500+

      ¥0.0901
    • 3000+

      ¥0.0755
    • 6000+

      ¥0.0667
    • 24000+

      ¥0.0591
    • 51000+

      ¥0.0551
  • 有货
  • 特性:符合以下标准: -IEC 61000-4-2 (ESD)抗扰度测试:空气放电 ±30kV,接触放电 ±30kV。IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns)。IEC 61000-4-5 (Lightning) 8A (8/20 μs)。 超低泄漏:nA级别。 工作电压:5V。 低钳位电压。应用:USB 2.0电源和数据线。 机顶盒和数字电视
    • 50+

      ¥0.1188
    • 500+

      ¥0.0922
    • 3000+

      ¥0.0774
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      ¥0.0685
    • 24000+

      ¥0.0608
    • 51000+

      ¥0.0567
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用,易于拾取和放置。 内置应力消除。 正向压降小
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1197
    • 200+

      ¥0.0927
    • 600+

      ¥0.0777
    • 2000+

      ¥0.0687
    • 10000+

      ¥0.0609
    • 20000+

      ¥0.0567
  • 有货
  • 是一款超低电容TVS(瞬态电压抑制器)阵列,旨在保护高速数据接口。旨在保护连接到数据和传输线的敏感电子元件,免受ESD(静电放电)引起的过应力影响。
    • 20+

      ¥0.1216
    • 200+

      ¥0.0944
    • 600+

      ¥0.0793
    • 3000+

      ¥0.0702
    • 9000+

      ¥0.0623
    • 21000+

      ¥0.0581
  • 有货
  • RailClamp是一款超低电容瞬态电压抑制器(TVS),旨在保护高速数据接口。该器件专门设计用于保护连接到高速数据和传输线的敏感组件,免受静电放电(ESD)、电缆放电事件(CDE)和电快速瞬变(EFT)引起的过电压影响。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1257
    • 200+

      ¥0.0976
    • 600+

      ¥0.082
    • 3000+

      ¥0.0726
    • 9000+

      ¥0.0645
    • 21000+

      ¥0.0601
  • 有货
  • 是一种包含静电放电(ESD)额定二极管阵列的设计,用于保护高速数据接口。专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感组件,使其免受静电放电(ESD)引起的过电压影响。
    • 20+

      ¥0.1294
    • 200+

      ¥0.1026
    • 600+

      ¥0.0878
    • 3000+

      ¥0.0789
    • 9000+

      ¥0.0712
    • 21000+

      ¥0.067
  • 有货
  • 特性:高压晶体管
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1368
    • 200+

      ¥0.1078
    • 600+

      ¥0.0917
    • 3000+

      ¥0.0742
    • 9000+

      ¥0.0658
    • 21000+

      ¥0.0613
  • 有货
  • 特性:塑料封装具有UL 94V-0阻燃等级。 金属硅结,多数载流子传导。 适用于表面贴装应用。 有保护环用于过压保护。 低功耗,高效率。 高电流能力,低正向压降。 高浪涌能力。 适用于低压、高频逆变器、续流和极性保护应用。 保证高温焊接:端子250℃/10秒
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1519
    • 200+

      ¥0.1182
    • 600+

      ¥0.0994
    • 2000+

      ¥0.0858
    • 10000+

      ¥0.076
    • 20000+

      ¥0.0708
  • 订货
  • 保护敏感半导体组件免受静电放电 (ESD) 和其他电压引起的瞬态事件的损坏或故障。它们具有大横截面积结,用于传导高瞬态电流,为板级保护提供理想的电气特性,如快速响应时间、低工作电压。
    • 20+

      ¥0.1532
    • 200+

      ¥0.1194
    • 600+

      ¥0.1006
    • 3000+

      ¥0.0893
    • 9000+

      ¥0.0795
    • 21000+

      ¥0.0742
  • 有货
  • 旨在保护对电压敏感的电子元件免受静电放电和其他瞬态影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,为暴露在静电放电环境中的设计提供一流的保护。
    • 20+

      ¥0.1561
    • 200+

      ¥0.1208
    • 600+

      ¥0.1012
    • 3000+

      ¥0.0894
    • 9000+

      ¥0.0792
    • 21000+

      ¥0.0737
  • 有货
  • TVS阵列旨在保护敏感电子设备免受ESD损坏或闩锁影响。它旨在取代便携式应用(如手机、笔记本电脑和PDA)中的多层压敏电阻。它具有大截面积结,可传导高瞬态电流。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1569
    • 200+

      ¥0.1238
    • 600+

      ¥0.1055
    • 2000+

      ¥0.0945
    • 10000+

      ¥0.0757
    • 20000+

      ¥0.0706
  • 有货
  • 特性:超低电容:典型值0.3pF(I/O到I/O)。 超低泄漏:nA级。 低工作电压:5.5V。 低钳位电压。 最多保护4条数据线和1条电源线。 符合以下标准: -IEC 61000-4-2(ESD)抗扰度测试 空气放电:±25kV 接触放电:±20kV。应用:USB 2.0和USB 3.0端口。 USB OTG
    • 20+

      ¥0.157
    • 200+

      ¥0.1219
    • 600+

      ¥0.1023
    • 3000+

      ¥0.0906
    • 9000+

      ¥0.0805
    • 21000+

      ¥0.075
  • 有货
  • 特性:350瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。 双向和单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±30kV接触,±30kV空气。应用:数据线。 自动取款机
    • 20+

      ¥0.1573
    • 200+

      ¥0.1221
    • 600+

      ¥0.1025
    • 3000+

      ¥0.0908
    • 9000+

      ¥0.0806
    • 21000+

      ¥0.0752
  • 有货
  • 是一种基于四通道单向瞬态电压抑制器 (TVS) 的静电放电 (ESD) 保护二极管,具有超低电容。该器件的 ESD 冲击耗散值高于 IEC 61000-4-2 国际标准规定的最高水平。
    • 20+

      ¥0.1573
    • 200+

      ¥0.1221
    • 600+

      ¥0.1025
    • 3000+

      ¥0.0908
    • 9000+

      ¥0.0806
    • 21000+

      ¥0.0752
  • 有货
  • 特性:通用放大器应用
    • 20+

      ¥0.1592
    • 200+

      ¥0.1233
    • 600+

      ¥0.1033
    • 3000+

      ¥0.0913
    • 9000+

      ¥0.081
    • 21000+

      ¥0.0754
  • 有货
  • 双向TVS/ESD管,VRWM:3V,VBR:4V,VC MAX:13.9V,Ppp:150W
    • 20+

      ¥0.1677
    • 200+

      ¥0.1302
    • 600+

      ¥0.1093
    • 3000+

      ¥0.0968
    • 9000+

      ¥0.086
    • 21000+

      ¥0.0801
  • 有货
  • 旨在保护低压敏感组件免受ESD和瞬态电压事件的影响。旨在保护敏感半导体组件免受静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和电缆放电事件(CDE)造成的损坏或故障。
    • 20+

      ¥0.1677
    • 200+

      ¥0.1302
    • 600+

      ¥0.1093
    • 3000+

      ¥0.0968
    • 9000+

      ¥0.086
    • 21000+

      ¥0.0801
  • 有货
  • 特性:低外形封装,适合自动贴装。 玻璃钝化芯片结。 400W 峰值脉冲功率能力(10/1000μs 波形,重复率(占空比):0.01%,78V 以上为 300W)。 提供单向和双向型号。 出色的钳位能力。 极快的响应时间。 低增量浪涌电阻。 符合 J-STD-020 MSL 3 级,LF 最大峰值 260℃
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1682
    • 200+

      ¥0.1281
    • 600+

      ¥0.1058
    • 1800+

      ¥0.0879
    • 10800+

      ¥0.0763
    • 19800+

      ¥0.0701
  • 有货
  • 静电放电(ESD)
    • 20+

      ¥0.1685
    • 200+

      ¥0.1308
    • 600+

      ¥0.1098
    • 3000+

      ¥0.0973
    • 9000+

      ¥0.0864
    • 21000+

      ¥0.0805
  • 有货
  • 双片式硅齐纳二极管专为需要瞬态过电压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1708
    • 200+

      ¥0.1326
    • 600+

      ¥0.1114
    • 3000+

      ¥0.097
    • 9000+

      ¥0.0859
    • 21000+

      ¥0.08
  • 有货
  • 适用于需要瞬态过电压保护能力的应用。用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。适用于电路板空间有限的情况。
    • 20+

      ¥0.1726
    • 200+

      ¥0.1339
    • 600+

      ¥0.1125
    • 3000+

      ¥0.0996
    • 9000+

      ¥0.0884
    • 21000+

      ¥0.0824
  • 有货
  • P-Channel 2.5V指定MOSFET经过特别定制,可将导通电阻降至最低,同时保持低栅极电荷,以实现卓越的开关性能。这些器件非常适合便携式电子应用:负载开关和电源管理、电池充电电路和DC/DC转换。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.1749
    • 100+

      ¥0.1367
    • 300+

      ¥0.1155
    • 3000+

      ¥0.0985
    • 6000+

      ¥0.0874
    • 9000+

      ¥0.0815
  • 有货
  • 低电容单向静电放电 (ESD) 保护二极管,采用小型表面贴装器件 (SMD) 塑料封装,旨在保护一条信号线免受 ESD 和其他瞬态造成的损坏。
    • 20+

      ¥0.1751
    • 200+

      ¥0.1364
    • 600+

      ¥0.1149
    • 3000+

      ¥0.102
    • 9000+

      ¥0.0908
    • 21000+

      ¥0.0848
  • 有货
  • 是一款瞬态电压抑制器,旨在保护连接到数据和传输线路的组件免受静电放电(ESD)、电快速瞬变(EFT)和雷击的影响。所有引脚使用IEC61000-4-2空气放电方法,可承受25kV的ESD脉冲。
    • 20+

      ¥0.1754
    • 200+

      ¥0.1389
    • 600+

      ¥0.1186
    • 3000+

      ¥0.1064
    • 9000+

      ¥0.0958
    • 21000+

      ¥0.0902
  • 有货
  • 双单片硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护能力的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用。其双结共阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件适用于电路板空间有限的情况。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1771
    • 200+

      ¥0.1389
    • 600+

      ¥0.1177
    • 3000+

      ¥0.097
    • 9000+

      ¥0.0859
    • 21000+

      ¥0.08
  • 有货
  • 静电放电(ESD)
    • 20+

      ¥0.1785
    • 200+

      ¥0.1386
    • 600+

      ¥0.1164
    • 3000+

      ¥0.1031
    • 9000+

      ¥0.0915
    • 21000+

      ¥0.0853
  • 有货
  • 静电放电ESD
    • 20+

      ¥0.1804
    • 200+

      ¥0.1397
    • 600+

      ¥0.1171
    • 3000+

      ¥0.1035
    • 9000+

      ¥0.0917
    • 21000+

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