安华高光耦_厂家_价格_品牌_库存

型号：HCPL-817-500E 编号：C188750

封装：SMD-4P

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 817包含一个发光二极管，该二极管与一个光电晶体管进行光耦合。它采用4引脚DIP封装，有宽引脚间距选项和弯引脚SMD选项。输入 - 输出隔离电压为5000 Vrms

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￥1.8028
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￥1.4012
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￥1.2291
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￥0.994112 ￥1.0144
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￥0.900326 ￥0.9187
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￥0.844172 ￥0.8614

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型号：ACPL-217-500E 编号：C2939626

封装：SOP-4-2.8mm

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - 217是一款直流输入、单通道、半间距光电晶体管光耦合器，包含一个与光电晶体管光耦合的发光二极管。它采用4引脚SO封装。输入 - 输出隔离电压额定值为3750VRMS

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￥2.24
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￥1.7388
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￥1.524
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￥1.256

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型号：ACPL-827-00CE 编号：C445976

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是一款直流输入双通道、全间距光电晶体管光耦合器，包含两个发光二极管，它们与两个独立的晶体管进行光耦合。采用8引脚双列直插式封装。同样，是一款直流输入四通道、全间距光电晶体管光耦合器，包含四个发光二极管，它们与四个独立的晶体管进行光耦合。采用16引脚双列直插式封装。两款光耦合器都提供宽引脚间距选项和引脚弯曲的表面贴装器件（SMD）选项，输入-输出隔离电压为5000Vrms。响应时间tr通常为4μs，在输入电流为5mA时，最小电流传输比（CTR）为50%。

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￥2.56
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￥2.24
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￥2.08
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￥1.93
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￥1.83
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￥1.79

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型号：ACPL-244-500E 编号：C691929

封装：SOP-16-4.4mm

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - 224是一款交流输入的双通道半间距光电晶体管光耦合器，每个通道包含两个反向并联的发光二极管，且与两个独立的光电晶体管进行光耦合。它采用8引脚SO封装。同样地，ACPL - 244是一款交流输入的四通道半间距光电晶体管光耦合器，每个通道包含两个反向并联的发光二极管，且与四个独立的光电晶体管进行光耦合

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￥8.97
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￥7.45
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￥6.61
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￥4.64

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型号：HCPL-063L-500E 编号：C188704

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

15MBd,5mA低输入电流,3.3V/5V数字光电耦合器

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￥9.69
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￥8.07
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￥7.18
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￥5.42

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型号：ACPL-K43T-500E 编号：C364866

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

ACPL-K43T 是一款单通道、高温、高共模抑制比（CMR）、高速数字光耦合器，采用八引脚微型封装，专门用于汽车应用。ACPL-K44T 是 ACPL-K43T 的双通道版本。这两款产品均采用拉伸型 SO-8 封装，设计为与标准表面贴装工艺兼容

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￥11.49
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￥8.49
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￥7.1638 ￥7.31
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￥6.6444 ￥6.78
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￥6.419 ￥6.55

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型号：ACPL-344JT-500E 编号：C92176

封装：SO-16-300mil

品牌：Broadcom(博通)

具有快速传播延迟和出色的时序偏斜性能。集成了智能功能来保护IGBT，包括带软关断保护和故障反馈的IGBT去饱和检测、欠压锁定和反馈以及有源米勒电流钳位。这款功能齐全且易于实现的IGBT栅极驱动光耦合器采用紧凑的、可表面贴装的SO-16封装，节省空间。适用于混合动力汽车和电动汽车应用中的牵引动力总成逆变器、电源转换器、电池充电器、空调和油泵电机驱动器，并满足汽车AEC-Q100半导体要求。

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￥15.69
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￥13.21
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￥11.65
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型号：ASSR-1410-503E 编号：C2686006

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

该系列由一个铝镓砷红外发光二极管（LED）输入级组成，该输入级通过光耦合到一个高压输出检测电路。检测电路由一个高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为3 mA时，继电器开启（触点闭合）。当输入电压为0.8V或更低时，继电器关闭（触点断开）

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￥21.94
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￥18.78
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￥16.9
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￥15
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￥14.12

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型号：ACPL-K73L-500E 编号：C6854560

封装：SOIC-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

是 15 MBd CMOS 光耦合器，分别采用 SSOIC-6 和 SSOIC-8 封装。光耦合器采用最新的 CMOS IC 技术，以极低的功耗实现出色的性能。基本构建模块是高速 LED 和 CMOS 探测器 IC。每个探测器都集成了一个光电二极管、一个高速跨阻放大器以及一个带输出驱动器的电压比较器。

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￥41.11
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￥35.11
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￥31.45
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￥28.38

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型号：HCPL-181-00CE 编号：C78047

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

无铅通用光敏晶体管光电耦合器

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￥2.2241
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￥1.7504
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￥1.5473
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型号：ACPL-P480-560E 编号：C691961

封装：SO-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

高速光耦合器包含一个GaAsP LED、一个光电探测器和一个施密特触发器，无需外部波形调节电路。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。通过减少开关死区时间，将器件之间的传播延迟差异降至最低，以最大化逆变器效率。

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￥6.68
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￥5.49
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￥4.83
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￥4.0082 ￥4.09
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￥3.6848 ￥3.76
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￥3.5476 ￥3.62

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型号：ACPL-P314-560E 编号：C691958

封装：SO-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

由GaAsP LED与带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率IGBT。

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￥7.15
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￥5.94
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￥5.28
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￥4.4394 ￥4.53
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￥3.5868 ￥3.66

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型号：HCNW4504-500E 编号：C49269559

封装：-

品牌：Broadcom(博通)

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￥8.33
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型号：HCNR200-550E 编号：C961427

封装：SMD-8P

品牌：Broadcom(博通)

高线性模拟光耦合器由高性能 AlGaAs LED 组成，该 LED 照亮两个紧密匹配的光电二极管。输入光电二极管可用于监测并稳定 LED 的光输出，从而几乎消除 LED 的非线性和漂移特性。输出光电二极管产生与 LED 光输出线性相关的光电流。光电二极管的紧密匹配和封装的先进设计确保了光耦合器的高线性和稳定增益特性。可用于各种需要良好稳定性、线性度、带宽和低成本的应用中隔离模拟信号，非常灵活，通过适当设计应用电路，能够以多种不同模式工作，包括：单极/双极、交流/直流和反相/同相，是许多模拟隔离问题的优秀解决方案。

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￥10.75
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￥9.05
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￥7.98
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￥6.7424 ￥6.88
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￥6.0564 ￥6.18

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型号：HCPL-0721-500E 编号：C188707

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

HCPL-772X 或 HCPL-072X 光耦合器分别提供 8 引脚 DIP 或 SO-8 封装形式，采用最新的 CMOS IC 技术，在实现出色性能的同时，功耗极低。HCPL-772X/072X 仅需两个旁路电容即可完全兼容 CMOS。

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￥11.38
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￥9.57
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￥8.44
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￥7.21
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￥6.68

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型号：HCNW136-500E 编号：C2985492

封装：SMD-8P

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层,以提供输入和输出之间的电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过减小基极集电极电容,使速度比传统光电晶体管耦合器提高了多达一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO 8和宽体封装配置。6N135、HCPL 0500和HCNW135适用于TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带宽模拟应用

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￥12.12
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￥9.08
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￥7.448 ￥7.6
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￥6.9188 ￥7.06
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￥6.6836 ￥6.82

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型号：ACPL-H342-500E 编号：C691946

封装：SOP-8-300mil

品牌：Broadcom(博通)

包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。此光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/150A的IGBT。对于额定值较高的IGBT，可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5中，分别具有最高891Vpeak和1140Vpeak的绝缘电压。

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1+
￥12.17
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￥10.32
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￥9.17
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￥7.99
500+
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￥7.22

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型号：6N136-560E 编号：C691905

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

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￥6.62
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￥5.36
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￥4.72
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￥4.09
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￥3.52

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型号：ACPL-W343-560E 编号：C364870

封装：SO-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

包含一个AlGaAs LED，它与带有功率输出级的集成电路光耦合。该光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/200A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，该光耦合器可用于驱动一个分立功率级，该功率级驱动IGBT栅极。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中，分别具有最高891Vpeak和1140Vpeak的绝缘电压。

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￥6.67
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￥4.9685 ￥5.23
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￥4.712 ￥4.96

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型号：ACPL-M50L-560E 编号：C2927821

封装：SOP-5-175mil

品牌：Broadcom(博通)

是低功耗、低输入电流、1MBd的数字光耦合器。这些数字光耦合器在发光二极管和集成光子探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。在-40℃至+105℃的温度范围内，在VCM = 1500V时，具有至少15kV/μs的增强共模瞬态抗扰度。在IF = 3mA时，ACPL-M50L的电流传输比（CTR）典型值为140%，ACPL-054L/W50L/K54L的典型值为130%。该数字光耦合器可用于任何TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带宽模拟应用。

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1+
￥6.81
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￥5.73
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￥5.14
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￥4.2465 ￥4.47
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￥3.325 ￥3.5
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￥3.192 ￥3.36

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型号：HCNW137-500E 编号：C188685

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

高CMR、高速10MBd、TTL兼容光电耦合器

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1+
￥8.25
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￥6.85
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￥6.09
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￥4.68
750+
￥4.29
1500+
￥4.12

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型号：HCPL-0452-500E 编号：C692008

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过减小基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16 mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6 kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在lF = 16 mA时，这些器件的CTR最小为19%。

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1+
￥8.52
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￥7.04
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￥6.23
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￥4.8902 ￥4.99
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￥4.4884 ￥4.58
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￥4.312 ￥4.4

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型号：ACPL-W50L-500E 编号：C691972

封装：SO-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

低功率、低输入电流、1MBd数字光耦合器使用发光二极管和集成光子探测器之间的绝缘层，在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过降低基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。在1500V的共模电压下，在-40℃至105℃的温度范围内，具有至少15kV/μs的增强型共模瞬态抗扰度。电流传输比（CTR）在正向电流为3mA时，某型号典型值为140%，其他型号典型值为130%。该数字光耦合器可用于任何TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带模拟应用。

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1+
￥10.36
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￥8.74
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￥7.72
100+
￥6.69
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￥6.22
1000+
￥6.01

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型号：ACPL-W483-500E 编号：C691971

封装：SO-6

品牌：Broadcom(博通)

ACPL-M483/P483/W483高速光耦合器包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED）和带有内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件间的传播延迟差异极小，使这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的理想解决方案

1+
￥11.81
10+
￥10.11
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￥9.05
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￥6.6836 ￥6.82
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￥6.1936 ￥6.32
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￥5.9878 ￥6.11

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型号：HCPL-0731-500E 编号：C56022

封装：SOP-8

品牌：Broadcom(博通)

这些双通道光耦合器包含一对分离的 GaAsP 发光二极管，它们与一对集成的高增益光电探测器进行光耦合。它们提供极高的电流传输比和出色的输入-输出共模瞬态抗扰度。与传统的光电达林顿型光耦合器相比，光电二极管和第一增益级 (VCC) 的单独引脚允许更低的输出饱和电压和更高的运行速度。此外，VCC 可以低至 1.6V，而不会对参数性能产生不利影响。SO-8 封装不需要在 PCB 上有“通孔”。这种封装占用的面积约为标准双列直插式封装的三分之一。引脚外形设计为与标准表面贴装工艺兼容。

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1+
￥12.5
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￥10.66
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￥9.51
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￥7.2716 ￥7.42
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￥6.7522 ￥6.89
1500+
￥6.5268 ￥6.66

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型号：HCNW3120-500E 编号：C39657

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

2A输出电流,IGBT门驱动光电耦合器

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1+
￥13.55
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￥11.46
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￥10.15
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￥8.6338 ￥8.81
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￥8.036 ￥8.2
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￥7.7812 ￥7.94

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型号：ACPL-P483-500E 编号：C545688

封装：SO-6-4.6mm

品牌：Broadcom(博通)

ACPL-M483/P483/W483高速光耦合器包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED）和带有内置施密特触发器的光电探测器，可提供逻辑兼容的波形，无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻，可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件间的传播延迟差异极小，使这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的理想解决方案

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1+
￥13.72
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￥11.49
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￥10.1
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￥8.68
500+
￥8.03
1000+
￥7.75

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型号：ACPL-W349-500E 编号：C691969

封装：SO-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - P349/W349包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED），该LED与带有功率输出级的集成电路进行光耦合。这款光耦合器非常适合驱动功率转换应用中使用的碳化硅（SiC）/氮化镓（GaN）金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制器件所需的驱动电压

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1+
￥14.03
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￥11.91
30+
￥10.58
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￥8.4672 ￥8.64
500+
￥7.8596 ￥8.02
1000+
￥7.6048 ￥7.76

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型号：HCPL-061N-500E 编号：C188701

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

HCMOS兼容,高CMR,10MBd光电耦合器

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1+
￥15.35
10+
￥13.03
30+
￥11.58
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￥9.52
500+
￥8.85

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型号：HCPL-053L-500E 编号：C545694

封装：SOP-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器使用 LED 和集成光电探测器之间的绝缘层，在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接，通过降低基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。这些光耦合器有 8 引脚 DIP 和行业标准 SO-8 封装可供选择。SO-8 封装不需要在 PCB 上打“通孔”。该封装占用的面积约为标准双列直插封装的三分之一。引脚外形设计为与标准表面贴装工艺兼容。这些光耦合器可用于 LVTTL/LVCMOS 或宽带宽模拟应用。这些光耦合器保证在 VCM = 10V 时，共模瞬态抗扰度最小为 1000V/μs 至典型值。

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1+
￥15.6
10+
￥13.41
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￥12.03
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￥9.55
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￥8.92
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