安华高光耦_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOP-8

该系列器件由一个 GaAsP 发光二极管与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率 IGBT。

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型号：HCPL-0453-500E 编号：C692009

封装：SOP-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过减小基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16 mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6 kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在lF = 16 mA时，这些器件的CTR最小为19%。

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型号：QCPL-074H-500E 编号：C692108

封装：SOP-8

品牌：Broadcom(博通)

QCPL - 071H（单通道）和QCPL - 074H（双通道）是采用SOIC - 8封装的15 MBd CMOS光耦合器。这些光耦合器采用最新的CMOS IC技术，以极低的功耗实现了卓越的性能。QCPL - 071H和QCPL - 074H的基本组成部分是高速LED和CMOS探测器IC

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型号：HCPL-0500-500E 编号：C2938991

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带宽模拟应用，在IF = 16mA时，电流传输比（CTR）最低为7%。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在IF = 16mA时，这些器件的CTR最低为19%。

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型号：ACPL-C784-500E 编号：C691939

封装：SO-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

隔离放大器专为电子电机驱动器中的电流感应而设计。在典型应用中，电机电流流经外部电阻，产生的模拟电压降由隔离放大器感应。在光隔离屏障的另一侧会产生差分输出电压，该电压与电机电流成正比，可通过运算放大器转换为单端信号。由于现代开关逆变器电机驱动器中常见几百伏的共模电压在几十纳秒内摆动，因此隔离放大器设计为可忽略至少10kV/μs的非常高的共模瞬态转换率

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型号：ACPL-K44T-500E 编号：C17484283

封装：SOIC-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

单通道、高温、高共模抑制比、高速数字光耦合器，采用八引脚微型封装，专为汽车应用设计。双通道版本与单通道产品等效，均采用拉伸SO-8封装，与标准表面贴装工艺兼容。该数字光耦合器在发光二极管和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。R2CouplerTM产品提供加强绝缘和可靠性，可实现安全的信号隔离，这在汽车和高温工业应用中至关重要。

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型号：ACPL-K33T-560E 编号：C2927813

封装：SOP-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。具有快速传播延迟和紧密的时序偏差，专为驱动AC-DC和DC-DC转换器中使用的SiC MOSFET和IGBT而设计。输出级的高工作电压范围为栅控设备提供所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合在高频下直接驱动SiC MOSFET和IGBT，以实现高效转换。提供增强绝缘和可靠性，可在汽车和高温工业应用中实现安全的信号隔离。

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型号：HCPL-2231-500E 编号：C692021

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合逻辑门。内置GaAsP LED或AlGaAs LED。探测器具有图腾柱输出级和带内置施密特触发器的光接收器输入级，可提供逻辑兼容波形，无需额外的波形整形。HCPL-2211/12、HCPL0211、HCPL-2232和HCNW2211上的高级内部屏蔽可保证在1000V共模电压下具有10kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：ASSR-4118-503E 编号：C6795958

封装：SO-4

品牌：Broadcom(博通)

ASSR - 41XX系列由一个与高压输出检测电路光耦合的铝镓砷（AlGaAs）红外发光二极管（LED）输入级组成。检测电路由一个高速光伏二极管阵列和驱动电路构成，用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流达到3mA时，继电器导通（触点闭合）。当输入电压为0.8V或更低时，继电器关断（触点断开）。单通道配置的ASSR - 4118和ASSR4119相当于1个A型机电继电器（EMR），双通道配置的ASSR4128相当于2个A型机电继电器。它们有4引脚SO、6引脚DIP、8引脚DIP和鸥翼式表面贴装DIP封装可供选择。ASSR - 4119支持交流/直流和仅直流输出连接。对于仅直流连接，输出电流增加到0.2A，导通电阻R(ON)降至10Ω。

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型号：ACPL-K64L-560E 编号：C961431

封装：SO-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

低功耗数字光耦合器结合了AlGaAs发光二极管 (LED) 和集成高增益光电探测器。光耦合器功耗低，在整个温度范围内，每通道的最大IDD电流为1.3 mA。正向LED电流低至1.6 mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20 kV/μs的共模瞬态抗扰度保证。在保持TTL/CMOS兼容性的同时，实现了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能，可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作，在 -40℃至 +105℃的温度范围内保证交流和直流性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

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型号：HCPL-073A-500E 编号：C17614719

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

这些是低功耗、高增益、单通道和双通道光耦合器。单通道8引脚DIP配置与行业标准6N139引脚兼容，双通道8引脚DIP配置与流行标准HCPL-2731引脚兼容。SO-8封装的单通道和双通道产品与之等效。每个通道可由低至40μA的输入电流驱动，典型电流传输比为3500%

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型号：ASSR-1611-501E 编号：C5570486

封装：DIP-6

品牌：Broadcom(博通)

专为高电流应用而设计，常见于工业设备中。该继电器是单极、常开（1 Form A）机电继电器的固态替代品。由一个铝镓砷红外发光二极管（LED）输入级和一个高压输出检测电路光耦合而成。检测电路由一个高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为5mA时，继电器导通（触点闭合）；当输入电压为0.8V或更低时，继电器断开（触点打开）。连接方式A允许继电器切换交流或直流负载；连接方式B具有降低导通电阻和提高输出电流的优点，仅允许继电器切换直流负载。电气和开关特性在 -40℃至 +85℃的温度范围内规定。

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型号：HCPL-181-000E 编号：C692017

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

HCPL - 181包含一个发光二极管和一个光晶体管，二者通过光耦合。它采用4引脚迷你扁平SMD封装，封装高度为2.0 mm。

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型号：6N137-000E 编号：C14750

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

高CMR，高速TTL兼容的光电耦合器

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型号：ACPL-M43T-500E 编号：C92191

封装：SO-5-4.6mm

品牌：Broadcom(博通)

是单通道、高温、高共模抑制比、高速数字光耦合器，采用五引脚微型封装，专为汽车应用设计。SO-5 JEDEC注册（MO-155）封装外形无需在PCB上打“通孔”，该封装占用面积约为标准双列直插式封装的四分之一，引脚轮廓设计与标准表面贴装工艺兼容。此数字光耦合器在发光二极管和集成光子探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接通过降低基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了百倍。在扩展温度范围内，VCM = 1500V时，具有至少30kV/μs的高共模瞬态抗扰度。隔离产品为汽车和高温工业应用中的关键部分提供增强绝缘和可靠性。

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型号：ACPL-W346-500E 编号：C691968

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - P346/W346包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管，该二极管与带有功率输出级的集成电路进行光耦合。这款光耦合器非常适合驱动用于逆变器或AC - DC/DC - DC转换器应用中的功率、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅控器件所需的驱动电压

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型号：ACPL-W61L-500E 编号：C691976

封装：SO-6

品牌：Broadcom(博通)

低功耗数字光耦合器结合了AlGaAs发光二极管 (LED) 和集成高增益光电探测器。光耦合器功耗低，在整个温度范围内，每通道的最大IDD电流为1.3 mA。正向LED电流低至1.6 mA，大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20 kV/μs的共模瞬态抗扰度保证。在保持TTL/CMOS兼容性的同时，实现了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能，可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作，在 -40℃至 +105℃的温度范围内保证交流和直流性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。

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型号：HCPL-3150-500E 编号：C2926379

封装：SMD-8P

品牌：Broadcom(博通)

由一个与带功率输出级的集成电路光耦合的LED组成。该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/50A的IGBT。对于额定值更高的IGBT，可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。

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型号：HCPL-2601-000E 编号：C185846

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合门，结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在 Vcm = 1000V 时可保证高达 15,000V/μs 的共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时，提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40℃ 至 +85℃ 范围内得到保证，可实现无故障系统性能。

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型号：HCPL-4503-500E 编号：C17455215

封装：DIP-8

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容，光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16 mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6 kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在IF = 16 mA时，这些器件的CTR最小为19%。

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型号：ACPL-K43T-560E 编号：C364867

封装：SOP-8-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

单通道、高温、高共模抑制比、高速数字光耦合器，采用八引脚微型封装，专为汽车应用设计。双通道版本与之等效。产品采用拉伸SO-8封装，与标准表面贴装工艺兼容。该数字光耦合器在发光二极管和集成光电探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接通过减小基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。提供增强绝缘和可靠性，可实现安全的信号隔离，这在汽车和高温工业应用中至关重要。

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型号：ACPL-054L-560E 编号：C691922

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

ACPL-M50L（采用SO - 5封装的单通道）、ACPL - 054L（采用SO - 8封装的双通道）、ACPL - W50L（采用扩展SO - 6封装的单通道）和ACPL - K54L（采用扩展SO - 8封装的双通道）是低功耗、低输入电流、1 MBd的数字光耦合器。这些数字光耦合器在发光二极管和集成光子探测器之间使用绝缘层，以提供输入和输出之间的电气隔离。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过减小基极 - 集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了百倍

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型号：ACPL-W50L-560E 编号：C17343764

封装：SOIC-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

是低功耗、低输入电流、1MBd的数字光耦合器。这些数字光耦合器在发光二极管和集成光子探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的单独连接通过减少基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。在 -40℃至105℃的温度范围内，当VCM = 1500V时，具有至少15kV/μs的增强共模瞬态抗扰度。在IF = 3mA时，ACPL-M50L的电流传输比（CTR）典型值为140%，ACPL-054L/W50L/K54L的典型值为130%。该数字光耦合器可用于任何TTL/CMOS、TTL/LSTTL或宽带宽模拟应用。

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型号：HCNW4506-500E 编号：C692005

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

包含GaAsP LED或AlGaAs LED，LED与集成高增益光电探测器光耦合。器件间传播延迟差异最小化，可通过减少开关死区时间提高逆变器效率。片上20kΩ输出上拉电阻可通过短接输出引脚6和7启用，在常见IPM应用中无需外部上拉电阻。

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型号：HCNW4503-500E 编号：C188691

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层，以在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过减小基极-集电极电容，使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16 mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6 kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在lF = 16 mA时，这些器件的CTR最小为19%。

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型号：HCPL-063N-500E 编号：C692013

封装：SOP-8

品牌：Broadcom(博通)

光耦合门提供了行业标准6N37系列的所有优点，同时具有与HCMOS兼容的输入电流。这允许直接连接到所有常见的电路拓扑，而无需额外的LED缓冲器或驱动组件。使用的AlGaAs LED允许更低的驱动电流，并通过使用最新的LED技术减少老化。在单通道部件上，使能输出允许对检测器进行选通。检测器IC的输出是一个集电极开路的肖特基钳位晶体管。内部屏蔽为HCPL-261A系列提供了最小1000V/μs的共模瞬态抗扰度，为HCPL-261N系列提供了15000V/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：ACSL-6210-50RE 编号：C6795963

封装：SOIC-8

品牌：Broadcom(博通)

是真正的隔离式多通道双向高速光耦合器。通过专利工艺技术实现多个光耦合器的单片集成。这些器件在紧凑的表面贴装封装中提供全双工和双向隔离数据传输及通信能力。具有 15Mbd 速度选项和宽电源电压范围。高通道密度使其非常适合隔离数据转换设备、并行总线和外围接口。提供 8 引脚和 16 引脚窄体 SOIC 封装，工作温度范围为 -40°C 至 +100°C。

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型号：HCNW2211-500E 编号：C692001

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

是光耦合逻辑门。内置GaAsP LED或AlGaAs LED。探测器具有图腾柱输出级和带内置施密特触发器的光接收器输入级，可提供逻辑兼容波形，无需额外的波形整形。HCPL-2211/12、HCPL0211、HCPL-2232和HCNW2211上的高级内部屏蔽可保证在1000V共模电压下具有10kV/μs的共模瞬态抗扰度。

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型号：ASSR-4110-503E 编号：C6127264

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：Broadcom(博通)

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型号：ACSL-7210-56RE 编号：C6733685

封装：SO-8

品牌：Broadcom(博通)

是一款双通道双向25-MBd数字光耦合器，采用CMOS IC技术和专利封装技术，在<2mm薄型窄体SOIC-8封装中实现3750Vrms的高隔离电压。该器件针对双向工业通信网络进行了优化，如现场总线（PROFIBUS）和串行外设接口（SPI）应用。每个通道的主要组成部分是由CMOS逻辑输入信号控制的CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。这些组件可实现40ns的快速传播延迟和最大10ns的短脉冲宽度失真

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