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首页 > 热门关键词 > 安华高光耦
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光耦合门,结合了GaAsP发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器IC的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽保证了在Vcm = 1000V时高达15,000V/μs的共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现TTL兼容性的同时,提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在-40℃至 + 85℃范围内得到保证,可实现无故障系统性能。
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  • 单通道(SO-5封装)、双通道(SO-8封装)、单通道(拉伸SO-6封装)和双通道(拉伸SO-8封装)是低功耗、低输入电流、1MBd的数字光耦合器。这种数字光耦合器在发光二极管和集成光子探测器之间使用绝缘层,以提供输入和输出之间的电气绝缘。通过减少基极-集电极电容,光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。在温度范围为-40至105°C,VCM = 1500V时,最小共模瞬态抗扰度为15kV/μs
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  • 这些双通道光耦合器包含一对发光二极管和集成光电探测器,输入和输出之间具有电气绝缘。通过降低基极-集电极电容,光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些双通道光耦合器有8引脚DIP和行业标准SO-8封装可供选择。
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  • 具有快速传播延迟和出色的时序偏斜性能。集成了保护IGBT的智能功能,包括带软关断保护和故障反馈的IGBT去饱和检测、欠压锁定和反馈以及有源米勒电流钳位。采用紧凑的表面贴装SO-16封装,节省空间。适用于驱动电机控制和逆变器应用中的IGBT和功率MOSFET。隔离产品提供加强绝缘和可靠性,在高压和嘈杂的工业应用中提供安全的信号隔离。是高度集成的功率控制设备,包含完整的隔离IGBT栅极驱动电路所需的所有组件。直接LED输入,有无集成LED驱动器均可,允许灵活的逻辑配置和低输入阻抗的差分电流模式驱动,大大提高了抗噪能力。
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  • 由红外发光二极管(LED)输入级组成,该输入级与高压输出检测电路光耦合。检测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路组成,用于开关两个分立的高压MOSFET。继电器通过输入LED的最小输入电流为3 mA时开启(触点闭合)。输入电压为0.8V或更低时,继电器关闭(触点断开)。单通道配置相当于1 Form A机电继电器(EMR),双通道配置相当于2 Form A EMR。它们有4引脚SO、6引脚DIP、8引脚DIP和鸥翼表面贴装DIP封装。ASSR-1219支持AC/DC和仅DC输出连接。对于仅DC连接,输出电流IO增加到0.4A,导通电阻R(ON)降至2.5Ω。
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  • 专为高电流应用而设计,常见于工业设备中。该继电器是单极、常开(1 Form A)机电继电器的固态替代品。 由一个铝镓砷红外发光二极管(LED)输入级和一个高压输出检测电路光耦合而成。检测电路由一个高速光电二极管阵列和驱动电路组成,用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为5mA时,继电器导通(触点闭合);当输入电压为0.8V或更低时,继电器断开(触点打开)。 连接方式A允许继电器切换交流或直流负载;连接方式B具有降低导通电阻和提高输出电流的优点,仅允许继电器切换直流负载。 电气和开关特性在 -40℃至 +85℃的温度范围内规定。
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  • Broadcom ASSR-15XX 系列专为高电流应用设计,常见于工业应用中。ASSR-15XX 系列由一个AlGaAs红外发光二极管(LED)输入级组成,该输入级通过光学耦合到高压输出检测电路。检测器由高速光伏二极管阵列和驱动电路组成,以切换两个离散的高压MOSFET的开和关。当输入LED的电流最小为3 mA时,继电器开启(触点闭合)。当输入电压为0.8V或更低时,继电器关闭(触点断开)。单通道配置的ASSR-1510和ASSR-1511相当于1 Form A 机电继电器(EMR),双通道配置的ASSR-1520和ASSR-1530相当于2 Form A EMR。它们提供4引脚SO、6引脚DIP、8引脚DIP以及DIP封装的鸥翼表面贴装和真正的表面贴装SO-8引脚。其电气和开关特性在-40℃至+85℃的温度范围内指定。ASSR-1511支持AC/DC和仅DC输出连接。对于仅DC连接,输出电流I0增加到2A,导通电阻R(ON)降低到0.2Ω。
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  • HCPL - 181包含一个发光二极管和一个光电晶体管,二者通过光耦合。它采用4引脚迷你扁平SMD封装,封装高度为2.0 mm。
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  • ACPL - 214是一款交流输入单通道半间距光电晶体管光耦合器,包含两个反向并联连接并与光电晶体管进行光耦合的发光二极管。它采用4引脚SO封装。输入 - 输出隔离电压额定值为3750 V_RMS
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  • 低功率数字光耦合器结合了AlGaAs发光二极管(LED)和集成高增益光电探测器。光耦合器功耗低,在不同温度下,每通道最大IDD电流为1.3 mA。正向LED电流低至1.6 mA,大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20 kV/μs的共模瞬态抗扰度规格。在保持TTL/CMOS兼容性的同时,实现最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能,可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作,在-40℃至+105℃的温度范围内保证交流和直流性能。这些低功率光耦合器适用于高速逻辑接口应用。
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  • 光耦合门,结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是一个集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时,共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时,提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证,确保系统无故障运行。
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  • 门驱动光耦合器具有快速传播延迟和出色的时序偏斜性能。集成的智能功能可保护IGBT,包括带软关断保护和故障反馈的IGBT去饱和检测、欠压锁定和反馈以及有源米勒电流钳位。这款功能齐全且易于实现的IGBT门驱动光耦合器采用紧凑的表面贴装SO-16封装,节省空间。适用于电机控制和逆变器应用中的IGBT和功率MOSFET驱动。隔离产品提供加强绝缘和可靠性,可在高压和嘈杂的工业应用中实现安全的信号隔离。
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  • ACPL-W611/ACPL-P611是一款光耦合门电路,它将GaAsP发光二极管与集成高增益光电探测器相结合。探测器IC的输出是一个集电极开路的肖特基钳位晶体管。内部屏蔽层为ACPL-W611提供了10,000 V/μs的共模瞬态抗扰度保证指标
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  • 该隔离线性电流传感IC系列用于低功率电子电机驱动器中的电流传感。在典型应用中,电机电流通过外部电阻,产生的模拟电压降由该IC感应。在光隔离屏障的另一侧会产生一个输出电压,该单端输出电压与电机电流成正比。由于现代开关逆变器电机驱动器中常见在几十纳秒内出现几百伏的共模电压摆动,该IC被设计为可忽略至少10kV/μs的非常高的共模瞬态转换率
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  • 该产品是双通道双向25 MBd数字光耦合器,采用CMOS IC技术和专利封装技术,在小于2mm的薄型窄体SOIC-8封装中实现3750 VRMS的高隔离电压。该器件针对双向工业通信网络进行了优化,如现场总线(PROFIBUS)和串行外设接口(SPI)应用。每个通道的主要组成部分包括由CMOS逻辑输入信号控制的CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。这些组件可实现40 ns的快速传播延迟和最大10 ns的短脉冲宽度失真
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  • QCPL - 071H(单通道)和QCPL - 074H(双通道)是采用SOIC - 8封装的15 MBd CMOS光耦合器。这些光耦合器采用最新的CMOS IC技术,以极低的功耗实现了卓越的性能。QCPL - 071H和QCPL - 074H的基本组成部分是高速LED和CMOS探测器IC
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      ¥7.62
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  • 这些高增益系列耦合器使用发光二极管和集成高增益光电探测器,在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与 TTL 兼容的饱和电压和高速运行。若需要,VCC 和 VO 端子可以连接在一起,以实现传统的光电达林顿操作。基极接入端子允许进行增益带宽调整
    数据手册
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      ¥6.7
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      ¥5.4
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  • 高CMR、宽Vcc4.5V到20V、逻辑门光电耦合器
    数据手册
    • 1+

      ¥10.22
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      ¥6.84
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  • ACPL - C797是一款1位二阶sigma - delta(Σ - Δ)调制器,它基于光耦合技术,可将模拟输入信号转换为具有电流隔离功能的高速数据流。ACPL - C797采用5V电源供电,搭配合适的数字滤波器时,动态范围可达80dB。其±200mV(满量程±320mV)的差分输入非常适合在诸如电机相电流测量等应用中直接连接到分流电阻或其他低电平信号源
    数据手册
    • 1+

      ¥12.09
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      ¥7.08
  • 有货
  • ACPL-M483/P483/W483高速光耦合器包含一个铝镓砷(AlGaAs)发光二极管(LED)和带有内置施密特触发器的光电探测器,可提供逻辑兼容的波形,无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻,可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件间的传播延迟差异极小,使这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的理想解决方案
    数据手册
    • 1+

      ¥12.77
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      ¥7.17
  • 有货
  • 汽车2.5A栅极驱动光耦具有用于隔离DC-DC转换器的集成反激式控制器、IGBT去饱和检测和故障反馈、带软关断和故障反馈的欠压锁定(UVLO)以及有源米勒电流钳位功能。快速的传播延迟和出色的时序偏斜性能,可实现出色的时序控制和效率。这款全功能光耦采用紧凑的表面贴装SO-16封装,节省空间,适用于混合动力汽车和电动汽车应用中的牵引动力总成逆变器、电源转换器、电池充电器、空调和油泵电机驱动器。R2Coupler隔离产品提供强化绝缘和可靠性,可在汽车和高温工业应用中提供安全的信号隔离。
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    • 1+

      ¥15.35
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      ¥12.06
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      ¥11.78
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  • 这些是低功耗、高增益、单通道和双通道光耦合器。单通道8引脚DIP配置与行业标准6N139引脚兼容,双通道8引脚DIP配置与流行标准HCPL-2731引脚兼容。SO-8封装的单通道和双通道产品与之等效。每个通道可由低至40μA的输入电流驱动,典型电流传输比为3500%
    • 1+

      ¥34.64
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      ¥23.17
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      ¥21.72
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  • 是 15 MBd CMOS 光耦合器,分别采用 SSOIC-6 和 SSOIC-8 封装。光耦合器采用最新的 CMOS IC 技术,以极低的功耗实现出色的性能。基本构建模块是高速 LED 和 CMOS 探测器 IC。每个探测器都集成了一个光电二极管、一个高速跨阻放大器以及一个带输出驱动器的电压比较器。
    • 1+

      ¥41.11
    • 10+

      ¥35.11
    • 30+

      ¥31.45
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      ¥28.38
  • 有货
  • 是一款直流输入双通道、全间距光电晶体管光耦合器,包含两个发光二极管,它们与两个独立的晶体管进行光耦合。采用8引脚双列直插式封装。同样,是一款直流输入四通道、全间距光电晶体管光耦合器,包含四个发光二极管,它们与四个独立的晶体管进行光耦合。采用16引脚双列直插式封装。两款光耦合器都提供宽引脚间距选项和引脚弯曲的表面贴装器件(SMD)选项,输入-输出隔离电压为5000Vrms。响应时间tr通常为4μs,在输入电流为5mA时,最小电流传输比(CTR)为50%。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.56
    • 10+

      ¥2.24
    • 50+

      ¥2.08
    • 100+

      ¥1.93
    • 500+

      ¥1.83
    • 1000+

      ¥1.79
  • 有货
  • 包含GaAsP LED或AlGaAs LED,LED与集成高增益光电探测器光耦合。器件间传播延迟差异最小化,可通过减少开关死区时间提高逆变器效率。片上20kΩ输出上拉电阻可通过短接输出引脚6和7启用,在常见IPM应用中无需外部上拉电阻。
    数据手册
    • 1+

      ¥7
    • 10+

      ¥5.81
    • 30+

      ¥5.16
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      ¥4.42
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      ¥3.65
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      ¥3.5
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  • 包含一个与带功率输出级的集成电路光耦合的AlGaAs LED。该光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/100A的IGBT。对于额定值更高的IGBT,该光耦合器可用于驱动驱动IGBT栅极的分立功率级。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5中具有630V峰值的最高绝缘电压。
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    • 1+

      ¥8.02
    • 10+

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