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首页 > 热门关键词 > 安华高光耦
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高CMR、高速10MBd、TTL兼容光电耦合器
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  • 1+

    ¥12.73
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    ¥10.59
  • 30+

    ¥9.25
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    ¥7.88
  • 有货
    • 1+

      ¥18.81
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      ¥15.86
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      ¥14.01
    • 100+

      ¥11.8776 ¥12.12
    • 500+

      ¥11.0348 ¥11.26
    • 1000+

      ¥10.6722 ¥10.89
  • 有货
  • 可用8引脚DIP或SO-8封装,利用最新的CMOS IC技术,实现最低25MBd数据速率的出色速度性能和最大6ns的脉冲宽度失真。该系列产品的基本组成部分包括CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。CMOS逻辑输入信号控制LED驱动IC,为LED提供电流。探测器IC集成了光电二极管、高速跨阻放大器和带输出驱动器的电压比较器。
    • 1+

      ¥19.48
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      ¥19
    • 30+

      ¥18.68
  • 有货
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      ¥21.2
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      ¥18.04
    • 30+

      ¥16.16
    • 100+

      ¥13.9748 ¥14.26
    • 500+

      ¥13.1124 ¥13.38
    • 1500+

      ¥12.7204 ¥12.98
  • 有货
  • 光耦合逻辑门。HCPL22XX 和 HCPL-02XX 包含 GaAsP LED,而 HCNW22XX 包含 AlGaAs LED。探测器具有图腾柱输出级和内置施密特触发器的光接收器输入级,以提供逻辑兼容波形,无需额外的波形整形。 HCPL-2211/12、HCPL0211、HCPL-2232 和 HCNW2211 上的优质内部屏蔽保证了在 1000V 共模电压下 10kV/μs 的共模瞬态抗扰度。
    数据手册
    • 1+

      ¥24.76
    • 10+

      ¥21.43
    • 50+

      ¥19.46
    • 100+

      ¥17.46
  • 有货
  • 快速速度光耦合器包含一个AlGaAs LED和带有内置施密特触发器的光电探测器,以提供逻辑兼容的波形,无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻,并允许直接驱动智能功率模块或作为栅极驱动器。器件之间的传播延迟差异最小化,使这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的优秀解决方案。
    • 1+

      ¥25.58
    • 10+

      ¥21.72
    • 30+

      ¥19.43
    • 100+

      ¥17.11
    • 500+

      ¥16.04
    • 1000+

      ¥15.56
  • 有货
  • QCFJ - 3439T是一款峰值电流为17A的智能栅极驱动光耦。其高峰值输出电流和宽工作电压范围,使其非常适合在电机控制和逆变器应用中直接驱动IGBT或MOSFET。该器件具有快速传播延迟和出色的时序偏斜性能
    • 1+

      ¥28.83
    • 10+

      ¥25.61
    • 30+

      ¥23.69
  • 有货
  • 包含一个LED,该LED与具有功率输出级的集成电路光耦合。此光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和高峰值输出电流可直接用于IGBT。对于额定值较高的IGBT,该光耦合器可用于驱动分立功率级,进而驱动IGBT栅极。在IEC/EN/DIN EN 60747-5-5标准中,具有2262 VPEAK的最高绝缘电压。
    数据手册
    • 1+

      ¥35.04
    • 10+

      ¥33.34
    • 30+

      ¥32.31
    • 100+

      ¥30.8112 ¥31.44
  • 有货
  • 采用8引脚DIP或SO-8封装形式,利用最新的CMOS IC技术,实现了低功耗下的出色性能。只需两个旁路电容即可实现完全的CMOS兼容性。基本组成部分包括CMOS LED驱动IC、高速LED和CMOS探测器IC。CMOS逻辑输入信号控制LED驱动IC,为LED提供电流。探测器IC集成了光电二极管、高速跨阻放大器和带输出驱动器的电压比较器。
    • 1+

      ¥35.12
    • 10+

      ¥29.83
    • 30+

      ¥26.68
    • 100+

      ¥23.0202 ¥23.49
    • 500+

      ¥21.5796 ¥22.02
    • 1000+

      ¥20.9328 ¥21.36
  • 有货
  • 这些是单通道、双通道和四通道的密封光耦合器。既可以作为商业产品购买,也可以通过完整的MIL-PRF-38534 H级或K级测试购买,或从适当的DLA标准微电路图纸(SMD)购买。所有器件均在MIL-PRF-38534认证生产线上制造和测试,H级和K级器件包含在DLA混合微电路合格制造商列表QML-38534中。每个通道包含一个与集成高增益光子探测器光耦合的GaAsP发光二极管
    • 1+

      ¥668.82
    • 36+

      ¥612.275 ¥644.5
  • 有货
  • 包含一个与光电晶体管光耦合的发光二极管,采用4引脚迷你扁平表面贴装器件(SMD)封装,高度为2.0mm。该产品尺寸小巧,可显著节省空间,封装体积比传统双列直插式封装(DIP)小30%。输入-输出隔离电压为3750Vrms。响应时间τᵣ通常为4μs,在输入电流为5mA时,最小电流传输比(CTR)为50%。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2781
    • 50+

      ¥1.9025
    • 150+

      ¥1.7416
    • 500+

      ¥1.4099
  • 有货
  • HCPL - 4504和HCPL - 0454采用GaAsP LED,而HCPL - J454和HCNW4504采用AlGaAs LED。该LED与集成高增益光电探测器进行光耦合。HCPL - 4504系列具有短传播延迟和高电流传输比(CTR)
    数据手册
    • 1+

      ¥5.78
    • 10+

      ¥4.7
    • 30+

      ¥4.16
    • 100+

      ¥3.62
    • 500+

      ¥2.82
  • 有货
  • 与其他高速晶体管输出光耦合器类似,但具有更短的传播延迟和更高的电流传输比(CTR)。具有保证的传播延迟差 (tPLH-tPHL),可解决IPM逆变器死区时间和其他开关问题。CTR、传播延迟和共模抑制比 (CMR) 针对TTL负载和驱动条件以及IPM(智能功率模块)负载和驱动条件进行了规定,并提供了典型性能图,便于应用。该二极管-晶体管光耦合器在发光二极管和集成光子探测器之间使用绝缘层,以提供输入和输出之间的电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过减小基极-集电极电容,使速度比传统光电晶体管耦合器提高了多达一百倍。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.02
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      ¥5.45
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      ¥5.13
    • 100+

      ¥4.5792 ¥4.77
    • 500+

      ¥4.4256 ¥4.61
    • 1500+

      ¥4.3584 ¥4.54
  • 有货
  • HCPL - 4506和HCPL - 0466采用GaAsP发光二极管(LED),而HCPL - J456和HCNW4506采用AlGaAs发光二极管。该发光二极管与一个集成的高增益光电探测器进行光耦合。器件间的传播延迟差异极小,使得这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的理想解决方案
    数据手册
    • 1+

      ¥7.86
    • 10+

      ¥6.64
    • 30+

      ¥5.97
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      ¥4.58
    • 500+

      ¥4.24
    • 1000+

      ¥4.09
  • 有货
  • 光耦合门,结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在 Vcm = 1000V 时可保证高达 15,000V/μs 的共模瞬态抗扰度规格。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时,提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40℃ 至 +85℃ 范围内得到保证,可实现无故障系统性能。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.75
    • 10+

      ¥7.23
    • 50+

      ¥6.02
    • 100+

      ¥5.07
    • 500+

      ¥4.66
  • 有货
  • ACPL - M49T是一款单通道、高温、高共模抑制比(CMR)、20 kBd的数字光耦合器,可配置为低功耗、低漏电流的光电晶体管,专门用于汽车应用。其SO - 5 JEDEC注册(MO - 155)封装外形为表面贴装式。这款数字光耦合器在发光二极管和集成光电探测器之间采用了绝缘层,以实现输入和输出之间的电气隔离
    数据手册
    • 1+

      ¥9.22
    • 10+

      ¥7.55
    • 30+

      ¥6.64
    • 100+

      ¥5.6
    • 500+

      ¥5.14
  • 有货
  • 该系列器件由一个 GaAsP 发光二极管与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率 IGBT。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.67
    • 10+

      ¥7.92
    • 30+

      ¥6.96
    • 100+

      ¥5.7624 ¥5.88
    • 500+

      ¥5.2822 ¥5.39
    • 1500+

      ¥5.0764 ¥5.18
  • 有货
  • 4N45/46光耦合器包含一个GaAsP发光二极管,该二极管与一个高增益光电探测器IC进行光耦合。由于集成了发射极 - 基极旁路电阻,该电阻可分流光电二极管和第一级的泄漏电流,并将多余的基极驱动电流泄放到地,因此在不同温度下都能实现出色的性能。与传统的光电达林顿探测器相比,第二级基极可外接,从而具备更好的抗噪能力。可以在基极添加外部电阻或电容,以进行增益带宽或输入电流阈值调整。基极引脚也可用于反馈。
    • 1+

      ¥9.78
    • 10+

      ¥8.9
    • 50+

      ¥8.35
    • 100+

      ¥7.6342 ¥7.79
    • 500+

      ¥7.3892 ¥7.54
    • 1000+

      ¥7.2716 ¥7.42
  • 有货
  • 是一款1位、二阶sigma-delta(Σ-Δ)调制器,基于光耦合技术将模拟输入信号转换为具有电流隔离的高速数据流。采用5V电源供电,配合适当的数字滤波器,动态范围可达80dB。差分输入为±200mV(满量程±320mV),非常适合直接连接到分流电阻或其他低电平信号源,用于电机相电流测量等应用。模拟输入通过外部时钟进行sigma-delta过采样连续采样,信号跨隔离屏障耦合,允许与任何数字控制器同步操作
    数据手册
    • 1+

      ¥10.32
    • 10+

      ¥8.75
    • 30+

      ¥7.77
    • 100+

      ¥6.14
    • 500+

      ¥5.68
  • 有货
  • 高速光耦合器包含一个AlGaAs LED和带有内置施密特触发器的光电探测器,可提供逻辑兼容的波形,无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻,可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件之间的传播延迟差异最小化,使这些光耦合器成为通过减少开关死区时间来提高逆变器效率的优秀解决方案。
    • 1+

      ¥10.77
    • 10+

      ¥9.05
    • 30+

      ¥7.97
    • 100+

      ¥6.7326 ¥6.87
    • 500+

      ¥6.2524 ¥6.38
    • 1000+

      ¥6.0368 ¥6.16
  • 有货
  • 是一款1位、二阶sigma-delta (Σ-Δ)调制器,基于光耦合技术将模拟输入信号转换为具有电流隔离的高速数据流。采用5V电源供电,配合适当的数字滤波器,动态范围可达78dB。差分输入为±200mV(满量程±320mV),非常适合在电机相电流测量等应用中直接连接分流电阻或其他低电平信号源。模拟输入通过片上时钟采用sigma-delta过采样方式进行连续采样
    数据手册
    • 1+

      ¥11.53
    • 10+

      ¥10.66
    • 30+

      ¥10.12
    • 100+

      ¥9.56
    • 500+

      ¥9.31
    • 1000+

      ¥9.2
  • 有货
  • 这些双通道光耦合器包含一对发光二极管和集成光电探测器,输入和输出之间具有电气绝缘。通过降低基极-集电极电容,光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接可将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。这些双通道光耦合器有8引脚DIP和行业标准SO-8封装可供选择。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.95
    • 10+

      ¥10.17
    • 30+

      ¥9.05
    • 100+

      ¥6.958 ¥7.1
    • 500+

      ¥6.4484 ¥6.58
    • 1500+

      ¥6.2328 ¥6.36
  • 有货
  • 这些高增益系列耦合器使用发光二极管和集成高增益光电探测器,在输入和输出之间提供极高的电流传输比。光电二极管和输出级的独立引脚可实现与LVTTL兼容的饱和电压和高速运行。如有需要,VCC和VO端子可以连接在一起,以实现传统的光电达林顿操作。基极接入端子允许进行增益带宽调整。这些光耦合器适用于LVTTL/LVCMOS或其他低功耗应用。在0至+70℃的工作范围内,仅需0.5mA的LED电流,即可保证400%的最小电流传输比。SOIC-8封装的器件不需要在PCB上打孔。该封装占用的面积约为标准双列直插式封装的三分之一。引脚外形设计与标准表面贴装工艺兼容。
    数据手册
    • 1+

      ¥22.63
    • 10+

      ¥19.27
    • 30+

      ¥17.28
    • 100+

      ¥14.602 ¥14.9
    • 500+

      ¥13.6906 ¥13.97
    • 1500+

      ¥13.279 ¥13.55
  • 有货
  • 光耦合器设计用于在使用20 mA电流环的设备中作为接收器。20 mA电流环系统通常通过传输20 mA的环路电流(MARK)来表示逻辑高状态,通过允许不超过几毫安的环路电流(SPACE)来表示逻辑低状态。信号从20 mA电流环到逻辑输出的光耦合打破了接地环路,并提供了非常高的共模抑制。为电流环的逻辑高状态和逻辑低状态提供了保证的阈值,提供了LSTTL、TTL或CMOS兼容的逻辑接口,并提供了保证的共模抑制
    数据手册
    • 1+

      ¥38.58
    • 10+

      ¥33.46
    • 30+

      ¥27.49
    • 100+

      ¥23.6265 ¥24.87
  • 有货
  • 专为大电流应用而设计,常见于工业应用中。由一个与高压输出检测电路光耦合的AlGaAs红外发光二极管(LED)输入级组成。检测电路由一个高速光电二极管阵列和驱动电路组成,用于开关两个分立的高压MOSFET。当通过输入LED的最小输入电流为3 mA时,继电器导通(触点闭合)
    • 1+

      ¥43.95
    • 10+

      ¥38.19
    • 30+

      ¥34.67
    • 100+

      ¥31.72
  • 有货
  • 低功耗数字光耦合器结合了AlGaAs发光二极管(LED)和集成高增益光电探测器。光耦合器功耗低,在整个温度范围内,每通道的IDD电流最大为1.3 mA。正向LED电流低至1.6 mA,大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20 kV/μs的共模瞬态抗扰度保证。在保持TTL/CMOS兼容性的同时,实现了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能,可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作,在 -40℃至 +105℃的温度范围内保证交流和直流性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.9
    • 10+

      ¥3.93
    • 30+

      ¥3.44
    • 100+

      ¥2.96
  • 有货
  • ACPL - 214是一款交流输入单通道半间距光电晶体管光耦合器,包含两个反向并联连接并与光电晶体管进行光耦合的发光二极管。它采用4引脚SO封装。输入 - 输出隔离电压额定值为3750 V_RMS
    • 1+

      ¥5.51
    • 10+

      ¥4.39
    • 30+

      ¥3.83
    • 100+

      ¥3.27
  • 有货
  • 由GaAsP LED与带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率IGBT。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.99
    • 10+

      ¥5.75
    • 30+

      ¥5.07
    • 100+

      ¥4.2238 ¥4.31
    • 500+

      ¥3.724 ¥3.8
    • 1000+

      ¥3.5672 ¥3.64
  • 有货
  • HCPL - 3120 包含一个 GaAsP 发光二极管,而 HCPL - J312 和 HCNW3120 包含一个 AlGaAs 发光二极管。该发光二极管通过光耦合到一个带有功率输出级的集成电路。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率 IGBT 和 MOSFET
    数据手册
    • 1+

      ¥7.09
    • 10+

      ¥5.85
    • 30+

      ¥5.16
    • 100+

      ¥4.39
  • 有货
  • 包含一个 GaAsP LED,该 LED 与具有功率输出级的集成电路光耦合。这些光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。这些光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达 1200 V/100 A 的 IGBT。对于额定值更高的 IGBT,可用于驱动分立功率级,该功率级驱动 IGBT 栅极。绝缘电压为 VIOMR = 630 V 峰值(选项 060)。
    • 1+

      ¥7.29
    • 10+

      ¥6.55
    • 50+

      ¥6.14
    • 100+

      ¥5.5664 ¥5.68
    • 500+

      ¥5.3704 ¥5.48
    • 1000+

      ¥5.2724 ¥5.38
  • 有货
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