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首页 > 热门关键词 > 安华高光耦
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光耦合逻辑门。内置GaAsP LED或AlGaAs LED。探测器具有图腾柱输出级和带内置施密特触发器的光接收器输入级,可提供逻辑兼容波形,无需额外的波形整形。HCPL-2211/12、HCPL0211、HCPL-2232和HCNW2211上的高级内部屏蔽可保证在1000V共模电压下具有10kV/μs的共模瞬态抗扰度。
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  • HCPL - 181包含一个发光二极管和一个光晶体管,二者通过光耦合。它采用4引脚迷你扁平SMD封装,封装高度为2.0 mm。
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  • 由GaAsP LED与带功率输出级的集成电路光耦合而成。这些光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。该光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动中小功率IGBT。
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  • 光耦合门,结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽在 Vcm = 1000V 时可保证高达 15,000V/μs 的共模瞬态抗扰度。这种独特设计在实现 TTL 兼容性的同时,提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40°C 至 +85°C 范围内得到保证,可实现无忧系统性能。
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  • 包含GaAsP LED或AlGaAs LED,LED与集成高增益光电探测器光耦合。器件间传播延迟差异最小化,可通过减少开关死区时间提高逆变器效率。片上20kΩ输出上拉电阻可通过短接输出引脚6和7启用,在常见IPM应用中无需外部上拉电阻。
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  • 包含一个GaAsP LED,该LED通过光学方式耦合到具有功率输出级的集成电路。这些光耦合器非常适合驱动用于电机控制逆变器应用的功率IGBT和MOSFET。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制设备所需的驱动电压。这些光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200 V/100 A的IGBT。对于额定值更高的IGBT,可用于驱动分立功率级,该功率级驱动IGBT栅极。绝缘电压为VIORM = 630 V峰值(选项060)。
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  • 包含 GaAsP LED 和 AlGaAs LED,LED 与集成高增益光电探测器光耦合。具有短传播延迟和高 CTR,保证传播延迟差 (tPLH-tPHL),适用于解决 IPM 逆变器死区时间和其他开关问题。CTR、传播延迟和 CMR 针对 TTL 和 IPM 条件进行了规定,便于应用。单通道、二极管-晶体管光耦合器,有 8 引脚 DIP、SO-8 和宽体封装配置。LED 和集成光电探测器之间的绝缘层提供输入和输出之间的电气绝缘,光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过降低基极集电极电容将速度提高到传统光电晶体管耦合器的一百倍。
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  • 高CMR、宽Vcc4.5V到20V、逻辑门光电耦合器
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  • 光耦合门,结合了GaAsP发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器IC的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在Vcm = 1000V时共模瞬态抗扰度规格高达15,000V/μs。这种独特的设计在实现TTL兼容性的同时,提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在-40℃至+85℃范围内得到保证,确保系统无故障运行。
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  • 高线性模拟光耦合器由高性能 AlGaAs LED 组成,该 LED 照亮两个紧密匹配的光电二极管。输入光电二极管可用于监测并稳定 LED 的光输出,从而几乎消除 LED 的非线性和漂移特性。输出光电二极管产生与 LED 光输出线性相关的光电流。光电二极管的紧密匹配和封装的先进设计确保了光耦合器的高线性和稳定增益特性。可用于各种需要良好稳定性、线性度、带宽和低成本的应用中隔离模拟信号,非常灵活,通过适当设计应用电路,能够以多种不同模式工作,包括:单极/双极、交流/直流和反相/同相,是许多模拟隔离问题的优秀解决方案。
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  • 无铅通用光敏晶体管光电耦合器
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  • 低功耗数字光耦合器结合了AlGaAs发光二极管 (LED) 和集成高增益光电探测器。光耦合器功耗低,在整个温度范围内,每通道的最大IDD电流为1.3 mA。正向LED电流低至1.6 mA,大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20 kV/μs的共模瞬态抗扰度保证。在保持TTL/CMOS兼容性的同时,实现了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能,可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作,在 -40℃至 +105℃的温度范围内保证交流和直流性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。
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  • ACPL - 224是一款交流输入的双通道半间距光电晶体管光耦合器,每个通道包含两个反向并联的发光二极管,且与两个独立的光电晶体管进行光耦合。它采用8引脚SO封装。同样地,ACPL - 244是一款交流输入的四通道半间距光电晶体管光耦合器,每个通道包含两个反向并联的发光二极管,且与四个独立的光电晶体管进行光耦
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      ¥4.65
  • 有货
  • 这些二极管-晶体管光耦合器在LED和集成光电探测器之间使用绝缘层,以在输入和输出之间提供电气绝缘。光电二极管偏置和输出晶体管集电极的独立连接通过减小基极-集电极电容,使速度比传统光电晶体管耦合器提高了一百倍。这些单通道光耦合器有8引脚DIP、SO-8和宽体封装配置。适用于高速TTL/TTL应用。通过输入LED的标准16 mA TTL灌电流将为1个TTL负载和一个5.6 kΩ上拉电阻提供足够的输出电流。在lF = 16 mA时,这些器件的CTR最小为19%。
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  • 光敏晶体管光电耦合器
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  • 直流输入四通道半节距光敏晶体管光电耦合器
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  • ACPL-M21L(单通道SO-5封装)、ACPL-021L(单通道SO-8封装)、ACPL-024L(双通道SO-8封装)、ACPL-W21L(单通道拉伸SO-6封装)和ACPL-K24L(双通道拉伸SO-8封装)是光耦合逻辑门。探测器IC具有CMOS输出级和内置施密特触发器的光接收器输入级,可提供逻辑兼容波形,无需额外的波形整形。 ACPL-M21L/021L/024L/W21L/K24L上的内部屏蔽保证了在1000V共模电压下25 kV/μs的共模瞬态抗扰度。
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      ¥5.93
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      ¥5.66
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  • 高线性模拟光耦合器由高性能 AlGaAs LED 组成,该 LED 照亮两个紧密匹配的光电二极管。输入光电二极管可用于监测并稳定 LED 的光输出,从而几乎消除 LED 的非线性和漂移特性。输出光电二极管产生与 LED 光输出线性相关的光电流。光电二极管的紧密匹配和封装的先进设计确保了光耦合器的高线性和稳定增益特性。可用于各种需要良好稳定性、线性度、带宽和低成本的应用中隔离模拟信号,非常灵活,通过适当设计应用电路,能够以多种不同模式工作,包括:单极/双极、交流/直流和反相/同相,是许多模拟隔离问题的优秀解决方案。
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      ¥10.04
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      ¥5.44
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  • ACNT - H61L是一款拉伸型宽体光耦合器,它将发光二极管与集成高增益光电探测器相结合,以满足隔离接口的低功耗需求。该光耦合器功耗极低,在全温度范围内最大电流仅为2 mA。LED正向电流从4.5 mA开始工作
    数据手册
    • 1+

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      ¥16.02
    • 100+

      ¥14.14
    • 500+

      ¥13.27
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  • ACPL - 217是一款直流输入、单通道、半间距光电晶体管光耦合器,包含一个与光电晶体管光耦合的发光二极管。它采用4引脚SO封装。输入 - 输出隔离电压额定值为3750VRMS
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      ¥2.1515
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      ¥1.7081
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      ¥1.2809
    • 3000+

      ¥1.1753
    • 6000+

      ¥1.1119
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  • 光耦合门,结合了 GaAsP 发光二极管和集成高增益光电探测器。使能输入允许对探测器进行选通。探测器 IC 的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽可保证在 Vcm = 1000V 时,共模瞬态抗扰度规格高达 15,000V/μs。这种独特的设计在实现 TTL 兼容性的同时,提供了最大的交流和直流电路隔离。光耦合器的交流和直流工作参数在 -40℃ 至 +85℃ 范围内得到保证,确保系统无故障运行。
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    • 1+

      ¥5.7
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      ¥2.87
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      ¥2.7
  • 有货
  • 高速光耦合器包含 GaAsP 发光二极管和内置施密特触发器的光电探测器,可提供逻辑兼容波形,无需额外的波形整形。图腾柱输出无需上拉电阻,可直接驱动智能功率模块或栅极驱动器。器件间的传播延迟差异最小化,通过减少开关死区时间提高逆变器效率。
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    • 1+

      ¥5.95
    • 10+

      ¥4.88
    • 30+

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    • 100+

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      ¥2.75
  • 有货
  • 这些小型高速逻辑门光耦合器是单通道设备,采用五引脚微型封装。SO-5 JEDEC注册(MO-155)封装轮廓不需要在PCB上打“通孔”,该封装占用的面积约为标准双列直插式封装的四分之一,引脚轮廓设计为与标准表面贴装工艺兼容。光耦合门结合了GaAsP发光二极管和集成高增益光子探测器,探测器IC的输出是集电极开路肖特基钳位晶体管。内部屏蔽为HCPL-M601提供了5000V/μs的共模瞬态抗扰度保证,为HCPL-M611提供了10000V/μs的共模瞬态抗扰度保证
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  • ACPL - M60L是一款光耦合门电路,它将砷化镓磷(GaAsP)发光二极管与集成高增益光电探测器相结合。探测器IC的输出为集电极开路的肖特基钳位晶体管。内部屏蔽层确保在3.3V工作电压下,共模瞬态抗扰度指标达到15 kV/μs
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    • 1+

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  • 超低功耗数字光耦合器结合了AlGaAs发光二极管 (LED) 和集成高增益光电探测器。光耦合器功耗极低,在整个温度范围内,每通道IDD2电流最大为1.3mA。LED正向电流低至1.6mA,大多数微处理器可直接驱动LED。内部法拉第屏蔽提供了20kV/μs的共模瞬态抗扰度规格。在保持TTL/CMOS兼容性的同时,实现了最大的AC和DC电路隔离。光耦合器的CMOS输出具有压摆率控制功能,可在较宽的负载电容范围内控制上升和下降时间。该系列可在3.3V和5V电源电压下工作,在-40℃至+105℃的宽温度范围内保证AC和DC性能。这些低功耗光耦合器适用于高速逻辑接口应用。
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  • 是一款用于汽车应用的高压光电MOSFET,由AIGaAs红外发光二极管(LED)输入级与高压输出检测电路光耦合而成。检测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路组成,用于开关两个分立的高压MOSFET。光电MOSFET在通过输入LED的最小输入电流为7 mA时开启(触点闭合),在输入电压为0.4V或更低时关闭(触点断开)。提供增强绝缘和可靠性,可实现安全的信号隔离,适用于汽车和高温工业应用。采用16引脚SOIC封装。
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  • 包含一个发光二极管,该二极管与光电晶体管进行光耦合。采用4引脚DIP封装,有宽引脚间距选项和引脚弯曲贴片选项。输入输出隔离电压为5000 Vrms。响应时间tr通常为4 μs,在输入电流为5 mA时,最小电流传输比(CTR)为50%。
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      ¥1.2033
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  • 博通(Broadcom)HCPL - 181包含一个发光二极管和一个与之光耦合的光电晶体管。它采用4引脚迷你扁平表面贴装(SMD)封装,封装高度为2.0毫米。
    • 1+

      ¥2.76
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