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首页 > 热门关键词 > 东芝光耦
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特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 1.35mΩ(典型值)(VGS = -4.5V)。 低泄漏电流:IRSS = -10μA(最大值)(VDS = -20V)。 增强模式:VDA = -0.5 至 -1.2V (VDS = -10V, ID = -1.0 mA)。应用:锂离子二次电池电源管理开关
数据手册
  • 1+

    ¥11.08
  • 10+

    ¥9.3
  • 30+

    ¥8.19
  • 100+

    ¥7.04
  • 500+

    ¥6.53
  • 1000+

    ¥6.3
  • 有货
  • 特性:低漏源导通电阻:RDS(ON)= 0.105Ω(典型值),采用超级结结构DTMOS。 具有较低电容的高速开关特性。 增强模式:Vth = 2.5 至 3.5V,VDS = 10V,ID = 1.2mA。应用:开关稳压器
    • 1+

      ¥16.84
    • 10+

      ¥14.43
    • 50+

      ¥12.92
    • 100+

      ¥11.37
    • 500+

      ¥10.68
    • 1000+

      ¥10.37
  • 有货
    • 1+

      ¥19.59
    • 10+

      ¥16.91
    • 30+

      ¥15.31
    • 100+

      ¥13.7
    • 500+

      ¥12.96
  • 有货
  • 隔离放大器用于电子电机驱动器中的电流感应。在典型应用中,电机电流流经外部电阻,产生的模拟电压降由隔离放大器感应。
    数据手册
    • 1+

      ¥26.39
    • 10+

      ¥22.92
    • 30+

      ¥20.85
    • 100+

      ¥16.97
    • 500+

      ¥16.01
  • 有货
  • 特性:快速反向恢复时间:trr = 150 ns(典型值)。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.062Ω(典型值),采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式:VDA = 3至4.5V,VDS = 10V,ID = 1.9mA。应用:开关稳压器
    • 1+

      ¥27.86
    • 10+

      ¥24.32
    • 30+

      ¥22.22
    • 90+

      ¥20.1
  • 有货
  • 用于音频频率的通用放大器应用。具有高电压和高电流、出色的hFE线性度、高hFE、低噪声等特点,采用小封装。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1687
    • 200+

      ¥0.1363
    • 600+

      ¥0.1183
  • 有货
  • 适用于音频通用放大应用
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2643
    • 100+

      ¥0.2065
    • 300+

      ¥0.1777
    • 3000+

      ¥0.156
    • 6000+

      ¥0.1387
  • 有货
  • 适用于通用放大器应用,具有高电压和高电流特性,VCEO = 50V,IC = 150mA(最大值),hFE线性良好,hFE(IC = 0.1mA) / hFE(IC = 2mA) = 0.95(典型值),hFE为120至400,与2SA2154MFV互补。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.27336 ¥0.3417
    • 100+

      ¥0.21872 ¥0.2734
    • 300+

      ¥0.19144 ¥0.2393
    • 1000+

      ¥0.17096 ¥0.2137
    • 5000+

      ¥0.15456 ¥0.1932
    • 8000+

      ¥0.14632 ¥0.1829
  • 有货
  • 适用于高速开关应用和模拟开关应用,紧凑的封装适合高密度安装。
    • 5+

      ¥0.3353
    • 50+

      ¥0.2913
    • 150+

      ¥0.2693
    • 500+

      ¥0.2528
    • 3000+

      ¥0.2396
    • 6000+

      ¥0.233
  • 有货
  • DF2B20M4SL是一款具有高反向工作电压(VRWM为18.5V)的双向瞬态电压抑制(TVS)二极管,旨在保护高速线路或差分信号线免受静电放电(ESD)和其他瞬态电压的损害。该TVS二极管凭借低动态电阻可很好地保护后端电路,凭借高静电放电抗扰度(VESD)性能提升系统可靠性。因其低电容特性,非常适合用于近场通信(NFC)等天线应用。此外,其小封装尺寸(0.62mm×0.32mm)适用于高密度贴装。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.341
    • 50+

      ¥0.297
    • 150+

      ¥0.275
    • 500+

      ¥0.2585
    • 2500+

      ¥0.2453
    • 5000+

      ¥0.2387
  • 有货
  • 适用于超高速开关应用,小封装,正向电流和正向电压特性出色,反向恢复时间快,总电容小。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.369
    • 100+

      ¥0.2989
    • 300+

      ¥0.2639
    • 1000+

      ¥0.2376
    • 5000+

      ¥0.2166
  • 有货
  • 特性:AEC-Q101合格。 小封装:SC-59。 低正向电压:VF(3) = 0.9V(典型值)。 快速反向恢复时间:trr = 1.6ns(典型值)。 小总电容:CT = 0.9pF(典型值)
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3755
    • 100+

      ¥0.2976
    • 300+

      ¥0.2586
    • 3000+

      ¥0.2294
    • 6000+

      ¥0.206
  • 有货
  • 适用于通用放大器应用,具有高电压和高电流特性,hFE线性度出色,hFE值高。
    • 5+

      ¥0.4832
    • 50+

      ¥0.3776
    • 150+

      ¥0.3248
    • 500+

      ¥0.2852
    • 2500+

      ¥0.2535
    • 5000+

      ¥0.2376
  • 有货
  • 特性:高速:tpH = 7 ns(典型值),VCC = 5V。 低功耗:ICC = 1 μA(最大值),Ta = 25℃。 高抗噪性:VMIN = VNIL = 28% VCC(最小值)。 输出驱动能力:5个LSTTL负载。 对称输出阻抗:|IOH| = |IOL| = 2 mA(最小值)。 平衡传播延迟:tpLH÷tpHL。 宽工作电压范围:VCC = 2 至 6V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.5572
    • 50+

      ¥0.4372
    • 150+

      ¥0.3772
    • 500+

      ¥0.3322
  • 有货
  • TC4S584F 是一款在输入端具备施密特触发器功能的单路反相器。也就是说,由于输入波形上升沿和下降沿的电路阈值电平电压不同(V_P、V_N),除了普通反相器应用外,TC4S584F 还可广泛应用于多种场景,包括线路接收器、波形整形电路、无稳态多谐振荡器等。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6096
    • 50+

      ¥0.4752
    • 150+

      ¥0.4079
    • 500+

      ¥0.3575
    • 3000+

      ¥0.3172
  • 有货
  • 特性:高速:在VCC = 5V时,tpd = 7ns(典型值)。低功耗:在Ta = 25℃时,ICC = 1μA(最大值)。高抗噪性:VNI_H = VNI_L = 28%VCC(最小值)。输出驱动能力:5个LSTTL负载。对称输出阻抗:|IO_H| = |IO_L| = 2mA(最小值)。平衡传播延迟:tp_LH ≡ tp_HL。宽工作电压范围:VCC = 2至6V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6225
    • 50+

      ¥0.4913
    • 150+

      ¥0.4257
    • 500+

      ¥0.3765
  • 有货
  • 特性:高速:在VCC = 5V时,tpd = 7ns(典型值)。 低功耗:在Ta = 25℃时,ICC = 1μA(最大值)。 高抗噪性:VNH = VNL = 28%VCC(最小值)。 输出驱动能力:5个低功耗肖特基TTL负载。 对称输出阻抗:|IOH| = |IOL| = 2mA(最小值)。 平衡传播延迟:tpLH ≡ tpH。 宽工作电压范围:VCC = 2至6V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6765
    • 50+

      ¥0.5421
    • 150+

      ¥0.4749
    • 500+

      ¥0.4245
    • 3000+

      ¥0.3842
  • 有货
  • 2-输入与非门
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7161
    • 50+

      ¥0.5577
    • 150+

      ¥0.4785
    • 500+

      ¥0.4192
  • 有货
  • 特性:小而薄的封装。 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 5.2mΩ(典型值)(VGS = 10V)。 低泄漏电流:IRSS = 10μA(最大值)(VDS = 30V)。 增强模式:VDA = 1.3 至 2.3V (VDS = 10V, ID = 0.2mA)。应用:锂离子二次电池电源管理开关
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8813
    • 50+

      ¥0.7763
    • 150+

      ¥0.7313
    • 500+

      ¥0.6751
    • 3000+

      ¥0.5401
  • 有货
  • 是一款采用硅栅CMOS技术制造的高速CMOS双路双向开关。它由四个独立的高速开关组成,能够控制数字或模拟信号,同时保持CMOS的低功耗特性。提供控制输入 (C) 来控制开关。当C输入为高电平时,开关导通;当C输入为低电平时,开关断开。所有输入均配备了防静电放电或瞬态过电压的保护电路。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9298
    • 50+

      ¥0.7244
    • 150+

      ¥0.6364
    • 500+

      ¥0.5266
  • 有货
  • 特性:AEC-Q100 (Rev. H)。 宽工作温度范围:Topr = -40 至 125°C。 高速运行:tpd = 4.3 ns(典型值)(VCC = 5.0 V,CL = 15 pF)。 低功耗:ICC = 2.0 μA(最大值)(Ta = 25°C)。 高抗噪性:VNI_H = VNI_L = 28%VCC(最小值)。 5.5 V 耐压输入。 宽工作电压范围:VCC = 2.0 至 5.5 V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9317
    • 50+

      ¥0.7301
    • 150+

      ¥0.6437
    • 500+

      ¥0.5119
  • 有货
  • 特性:包含两个采用SM6封装(6引脚超小型)的器件。 内置偏置电阻。 简化电路设计。 减少零件数量和制造工艺,使设备小型化。应用:开关电路。 逆变器电路
    • 5+

      ¥0.9781
    • 50+

      ¥0.7765
    • 150+

      ¥0.6901
    • 500+

      ¥0.5823
  • 有货
  • 是高速C²MOS反相器,采用硅栅C²MOS技术制造。能实现与等效LSTTL类似的高速运行,同时保持C²MOS低功耗。内部电路由单级反相器组成,可用于晶体振荡。输入配备了防止静电放电或瞬态过电压的保护电路。输出电流是TC74HC系列型号的1/2。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0039
    • 50+

      ¥0.7872
    • 150+

      ¥0.6943
    • 500+

      ¥0.5526
  • 有货
  • 特性:高直流电流增益:hFE = 2000(最小值)(VCE = 2V, IC = 1A)。 集电极和基极之间包含齐纳二极管。应用:电磁阀驱动应用。 电机驱动应用
    数据手册
    • 5+

      ¥1.1062
    • 50+

      ¥0.9739
    • 150+

      ¥0.9172
    • 500+

      ¥0.8465
    • 3000+

      ¥0.815
    • 6000+

      ¥0.7961
  • 有货
  • 同步可预置4位计数器 74VHC161FT:二进制、异步清零;74VHC163FT:二进制、同步清零。74VHC161FT和74VHC163FT是采用硅栅C2MOS技术制造的先进高速CMOS同步可预置4位二进制计数器。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.186601 ¥1.2233
    • 50+

      ¥0.937686 ¥1.0778
    • 150+

      ¥0.781935 ¥1.0155
    • 500+

      ¥0.722029 ¥0.9377
    • 2500+

      ¥0.695387 ¥0.9031
    • 5000+

      ¥0.679371 ¥0.8823
  • 有货
  • TC7WT125FU 是采用硅栅 CMOS 技术制造的高速 CMOS 双总线缓冲器。它在保持 CMOS 低功耗的同时,能实现与等效 LSTTL 相似的高速运行。其输入阈值电平与 TTL 输出电压兼容
    数据手册
    • 5+

      ¥1.3285
    • 50+

      ¥1.15
    • 150+

      ¥1.0735
    • 500+

      ¥0.978
  • 有货
  • 特性:高正向传输导纳:|Yfs| = 15 mS(典型值),VDS = 10 V,VGS = 0。 高击穿电压:VGD_S =-30 V。 低噪声:NF = 1.0 dB(典型值),VDS = 10 V,ID = 0.5 mA,f = 1 kHz,RG = 1 kΩ。 高输入阻抗:IGSS =-1 nA(最大值),VGS =-30 V。 小封装。应用:音频频率低噪声放大器应用
    • 5+

      ¥1.4184
    • 50+

      ¥1.1104
    • 150+

      ¥0.9784
    • 500+

      ¥0.8137
    • 3000+

      ¥0.7404
    • 6000+

      ¥0.6963
  • 有货
  • 双总线缓冲器,具有三态输出
    • 5+

      ¥1.5453
    • 50+

      ¥1.1421
    • 150+

      ¥0.9693
    • 500+

      ¥0.7537
    • 2500+

      ¥0.6577
  • 有货
  • 八进制 D 型触发器,具有三态输出。采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制触发器。实现了与等效双极肖特基 TTL 相似的高速运行,同时保持了 CMOS 的低功耗。该 8 位 D 型触发器由时钟输入 (CK) 和输出使能输入 (OE) 控制。当 OE 输入为高电平时,八个输出处于高阻态。输入电压与 TTL 输出电压兼容。该器件可用作 3.3V 至 5.5V 系统接口的电平转换器。输入保护和输出电路确保在不考虑电源电压的情况下,可将 0 至 5.5V 的电压施加到输入和输出引脚上。这种结构可防止因电源和输入/输出电压不匹配(如电池备份、热板插入等)而导致器件损坏
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5665
    • 50+

      ¥1.367
    • 150+

      ¥1.2815
    • 500+

      ¥1.1748
  • 有货
  • 74LCX541FT 是一款高性能 CMOS 八进制总线缓冲器。它专为 3.3 V 系统设计,在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行
    数据手册
    • 5+

      ¥1.5769
    • 50+

      ¥1.254
    • 150+

      ¥1.1157
    • 500+

      ¥0.943
  • 有货
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