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描述

价格(含税)

库存

操作

CMOS数字集成电路，八路总线缓冲器

型号：74VHCT541AFT(BE) 编号：C146296

封装：TSSOP-20

品牌：TOSHIBA(东芝)

八进制总线缓冲器 74VHCT540AFT：反相三态输出 74VHCT541AFT：同相三态输出 74VHCT540AFT 和 74VHCT541AFT 是采用硅栅 C2MOS 技术制造的先进高速 CMOS 八进制总线缓冲器。它们在保持 CMOS 低功耗的同时，实现了与等效双极肖特基 TTL 相似的高速运行。

数据手册

1+
￥1.8848 ￥2.48
10+
￥1.419 ￥2.15
30+
￥1.12 ￥2
100+
￥1.0192 ￥1.82
500+
￥0.9744 ￥1.74
1000+
￥0.952 ￥1.7

有货

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电压:40V 电流:1A

型号：CMS10(TE12L,Q,M) 编号：C146329

封装：SOD-128

品牌：TOSHIBA(东芝)

由于采用小型表面贴装封装 M- FLATTM（东芝封装名称），适用于紧凑组装。

数据手册

5+
￥1.962
50+
￥1.5576
150+
￥1.3843
500+
￥1.168

有货

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1个N沟道耐压:12V 电流:13.5A

型号：SSM10N954L,EFF(S 编号：C5274420

封装：TCSPAC-153001

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低源极-源极导通电阻：ΔRSS(ON) = 2.2 mΩ（典型值）(@VGS = 3.8 V)；ΔRSS(ON) = 2.1 mΩ（典型值）(@VGS = 4.5 V)。符合RoHS标准。无卤。应用：电池保护电路

数据手册

1+
￥2.05
10+
￥1.78
30+
￥1.66
100+
￥1.51
500+
￥1.44
1000+
￥1.4

有货

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低压八进制D型触发器，输入输出均为5V耐压

型号：74LCX574FT(AJ) 编号：C7421271

封装：TSSOP20B

品牌：TOSHIBA(东芝)

低电压八进制 D 型触发器，具有 5V 容限输入和输出。专为 3.3V 系统设计，在保持 CMOS 低功耗的同时实现高速运行。该器件适用于低电压 (3.3V) VCC 应用，但也可用于输入和输出与 5V 电源环境的接口。这个 8 位 D 型触发器由时钟输入 (CK) 和输出使能输入 (OE) 控制。当 OE 输入为高电平时，八个输出处于高阻抗状态。所有输入均配备防静电放电保护电路。

1+
￥2.11
10+
￥1.86
30+
￥1.75
100+
￥1.62
500+
￥1.56
1000+
￥1.52

有货

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2.7V 500mA 5.5V

型号：TCR5RG28A,LF 编号：C7067148

封装：WCSP4F(0.645x0.645)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TCR5RG系列是带有开/关控制输入的CMOS通用单输出电压调节器，具有低压差和超高纹波抑制比的特点。这些电压调节器的固定输出电压范围为0.9 V至5.0 V，能够驱动高达500 mA的电流。它们具备过流保护、热关断和自动放电功能

5+
￥2.1358
50+
￥1.657
150+
￥1.4518
500+
￥1.1958
2500+
￥1.0818

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:4A

型号：SSM6J412TU,LF 编号：C5349735

封装：SMD-6P

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.5V驱动低导通电阻: -RDS(ON) = 99.6mΩ（最大值） (VG S =-1.5V)。RDS(ON) = 67.8mΩ（最大值） (VG S =-1.8V)。RDS(ON) = 51.4mΩ（最大值） (VG S =-2.5V)。RDS(ON) = 42.7mΩ（最大值） (VG S =-4.5V)

数据手册

5+
￥2.1699
50+
￥1.6864
150+
￥1.4791
500+
￥1.2205

有货

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1个P沟道耐压:12V 电流:14A

型号：SSM6J511NU,LF 编号：C146307

封装：PDFN-6-EP(2x2)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8 V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：Δ:RDS(ON) = 13.5mΩ（最大值，VGS = -2.5V），RDS(ON) = 10mΩ（最大值，VGS = -4.5V）。应用：电源管理开关

数据手册

5+
￥2.1896
50+
￥1.711
150+
￥1.5058
500+
￥1.2499

有货

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1个N沟道耐压:800V 电流:6A

型号：TK6A80E,S4X 编号：C556305

封装：TO-220-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.35Ω（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 640V)。增强模式：VtA = 2.5 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.6 mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥2.91
10+
￥2.56
30+
￥2.39
100+
￥2.21
500+
￥2.11
1000+
￥2.05

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:13A

型号：TPCA8131,LQ(S 编号：C27534296

封装：SOP-8-Advance(5x6)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小而薄的封装。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 12.4 mΩ（典型值）(VGS = -10 V)。低泄漏电流：IRSS = -10 μA（最大值）(VDS = -30 V)。增强模式：VDA = -0.8 至 -2.0 V (VDS = -10 V, ID = -0.2 mA)。应用：锂离子二次电池电源管理开关

1+
￥4.01
10+
￥3.58
30+
￥3.37
100+
￥3.15
500+
￥3.02
1000+
￥2.96

有货

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1个N沟道耐压:7.5V 电流:1A

型号：2SK3756(TE12L.F) 编号：C2762664

封装：SC-62

品牌：TOSHIBA(东芝)

应用：VHF和UHF频段放大器应用。电信设备的高频功率放大器

数据手册

1+
￥4.12
10+
￥3.34
30+
￥2.96
100+
￥2.57
500+
￥2.34
1000+
￥2.22

有货

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8通道源型DMOS晶体管阵列

型号：TBD62783AFNG(Z,EL) 编号：C4153829

封装：SSOP-18

品牌：TOSHIBA(东芝)

TBD62783A 系列是一款 8 通道 DMOS 晶体管阵列。每个输出端均内置用于切换感性负载的钳位二极管。

1+
￥4.43
10+
￥3.53
30+
￥3.08
100+
￥2.63
500+
￥2.36
1000+
￥2.22

有货

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1个N沟道耐压:60V

型号：TPN11006NL,LQ 编号：C146304

封装：TSDSON-8(3.3x3.3)

品牌：TOSHIBA(东芝)

N沟道,60V,17A,11.4mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.78
10+
￥3.84
30+
￥3.37
100+
￥2.9
500+
￥2.62
1000+
￥2.47

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:60A

型号：TPHR9003NL,L1Q 编号：C129784

封装：DSOP-8-EP-5.0mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

N沟道

数据手册

1+
￥4.96
10+
￥4.05
30+
￥3.6
100+
￥3.14
500+
￥2.88

有货

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单路8通道复用器/解复用器、差分4通道复用器/解复用器、三路2通道复用器/解复用器

型号：TC4053BF(EL,N,F) 编号：C5331541

封装：SOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC4051B、TC4052B和TC4053B是具备模拟信号和数字信号选择与混合功能的多路复用器。TC4051B为8通道配置，TC4052B为4通道×2配置，TC4053B为2通道×3配置。

数据手册

1+
￥5.1
10+
￥4.06
30+
￥3.54
100+
￥3.03
500+
￥2.72
1000+
￥2.56

有货

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8通道源型DMOS晶体管阵列

型号：TBD62783AFWG,EL 编号：C146353

封装：SOIC-18-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

是DMOS晶体管阵列，具有8个电路。每个输出端内置用于切换感性负载的钳位二极管。

数据手册

1+
￥5.18
10+
￥4.14
30+
￥3.63
100+
￥3.11
500+
￥2.8
1000+
￥2.64

有货

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PNP 电流:10A 电压:140V

型号：2SA1941-O(S1,E,S) 编号：C261917

封装：TO-3P-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于70W高保真音频放大器输出级

数据手册

1+
￥5.97
10+
￥4.95
25+
￥4.15
100+
￥3.64
500+
￥3.34
1000+
￥3.18

有货

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N沟道耐压:500V 电流:15A

型号：TK15A50D(STA4,X,S) 编号：C5143007

封装：SC-67

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.24Ω（典型值）。高正向传输导纳：|Yfs| = 7.0S（典型值）。低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 500V)。增强模式：Vth = 2.0-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。应用：开关调节器应用

1+
￥6.25
10+
￥5.6
50+
￥5.25
100+
￥4.2108 ￥4.84
500+
￥4.0542 ￥4.66
1000+
￥3.9846 ￥4.58

有货

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六路施密特触发反相器

型号：TC4584BF(EL,N,F) 编号：C107730

封装：SOP-14-208mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC4584B是一款在输入端具备施密特触发器功能的6路反相器。也就是说，由于输入波形上升沿和下降沿的电路阈值电压不同（V P 、V N ），除了普通反相器应用外，TC4584B还可广泛应用于线路接收器、波形整形电路、无稳态多谐振荡器、单稳态多谐振荡器等领域。由于其引脚与TC4069UB兼容，因此也可以相互替换

数据手册

1+
￥7.3
10+
￥5.98
30+
￥5.25
100+
￥4.43
500+
￥4.07

有货

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TBD62503AFG(Z,EL)

型号：TBD62503AFG(Z,EL) 编号：C7495064

封装：SOP-16

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：7 个电路内置。高电压：VOUT = 50V（最大值）。高电流：IOUT = 300mA/ch（最大值）。输入电压（输出开启）：TBD62502A 系列 14V（最小值），TBD62503A 系列 2.5V（最小值）。输入电压（输出关闭）：TBD62502A 系列 7.0V（最大值），TBD62503A 系列 0.6V（最大值）。封装：PG 型 DIP16-P-300-2.54A；FG 型 SOP16-P-225-1.27；FNG 型 SSOP16-P-225-0.65B；FWG 型 P-SOP16-0410-1.27-002

1+
￥7.81
10+
￥6.55
30+
￥5.85
100+
￥5.07
500+
￥4.72
1000+
￥4.57

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:20A

型号：TK20A60W5,S5VX 编号：C5350395

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：快速反向恢复时间：trr = 110 ns（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.15Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。易于控制栅极开关。增强模式：VCu = 3至4.5V，VDS = 10V，ID = 1mA。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥8.77
10+
￥7.99
50+
￥7.51
100+
￥7.01
500+
￥6.79

有货

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CMOS 数字集成电路单片硅

型号：TC358748XBG(EL) 编号：C5447096

封装：VFBGA-80(7x7)

品牌：TOSHIBA(东芝)

是一种桥接设备，可将MIPI CSl-2到并行端口和并行端口到CSl-2的数据转换。所有内部寄存器可以通过I2C或SPI访问。

1+
￥18.21
10+
￥15.38
30+
￥13.69
100+
￥12.41
500+
￥11.63
1000+
￥11.27

有货

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时钟输入和串行控制双极步进电机驱动器

型号：TB5128FTG(CP,EL 编号：C428723

封装：QFN-48

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB5128是一款采用斩波器的两相双极步进电机驱动器，内置时钟解码器。采用BiCD工艺制造，输出额定值为50 V/5.0 A（电机电源电压μ = 44 V）。

1+
￥22.59
10+
￥19.37
30+
￥17.46
100+
￥14.55

有货

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CMOS 数字集成电路硅单片

型号：TC358870XBG(NOK) 编号：C3008712

封装：VFBGA-80(7x7)

品牌：TOSHIBA(东芝)

Ultra HD to DSI桥接器将高分辨率(高于4 Gbps)HDMI流转换为MIPI DSI Tx视频。它是TC358779XBG的后续产品,没有缩放功能。HDMI-RX以297 MHz运行,可承载高达7.2 Gbps的视频流。它需要双链路MIPI DSI Tx(1 Gbps/数据通道)来传输最大7.2 Gbps的视频数据。该桥接芯片是当前和下一代应用处理器通过其HDMI Tx输出端口驱动(双)DSI链路显示器所必需的。

数据手册

1+
￥54.89
10+
￥47.27
30+
￥42.63
100+
￥38.74

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:250mA

型号：SSM3K37MFV,L3F 编号：C146334

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于高速开关应用和模拟开关应用，1.5V驱动，低导通电阻。导通电阻 RDS(ON) 在不同条件下有不同最大值：VGS = 1.5V 时，RDS(ON) 最大为 5.60Ω；VGS = 1.8V 时，RDS(ON) 最大为 4.05Ω；VGS = 2.5V 时，RDS(ON) 最大为 3.02Ω；VGS = 4.5V 时，RDS(ON) 最大为 2.20Ω。

数据手册

10+
￥0.21054 ￥0.319
100+
￥0.17391 ￥0.2635
300+
￥0.155628 ￥0.2358
1000+
￥0.1419 ￥0.215
5000+
￥0.130944 ￥0.1984
8000+
￥0.1254 ￥0.19

有货

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1SS226,LF(T

型号：1SS226,LF 编号：C2847900

封装：S-Mini

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101 qualified。应用：超高速开关

数据手册

10+
￥0.2314
100+
￥0.1833
300+
￥0.1593
3000+
￥0.1413
6000+
￥0.1269

有货

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85V 100mA

型号：1SS301,LF 编号：C603065

封装：SC-70

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101 Qualified。小封装：SC-70。低正向电压：VF = 0.90V（典型值）。快速反向恢复时间：tr = 1.6 ns（典型值）。小总电容：CT = 0.9 pF（典型值）

数据手册

10+
￥0.2458
100+
￥0.1954
300+
￥0.1702
3000+
￥0.1513
6000+
￥0.1362

有货

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N沟道耐压:20V 电流:1400mA

型号：SSM3K56ACT,L3F 编号：C146308

封装：SOT-883-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.5V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 235 mΩ（最大值）(@VGS = 4.5V)。RDS(ON) = 300 mΩ（最大值）(@VGS = 2.5V)。RDS(ON) = 480 mΩ（最大值）(@VGS = 1.8V)。RDS(ON) = 840 mΩ（最大值）(@VGS = 1.5V)。应用：高速开关

数据手册

10+
￥0.2909
100+
￥0.228
300+
￥0.1966
1000+
￥0.173

有货

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电压:40V 电流:100mA

型号：1SS294,LF 编号：C261914

封装：SC-59

品牌：TOSHIBA(东芝)

低电压高速开关。符合AEC Q101标准。低正向电压Δ:VF(3) = 0.54V（典型值）

数据手册

10+
￥0.3154
100+
￥0.2482
300+
￥0.2146
3000+
￥0.1894

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:800mA

型号：SSM3J56MFV,L3F 编号：C5274157

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.2V驱动低导通电阻: -RDS(ON) = 390mΩ（最大值）(VGS =-4.5V)。 -RDS(ON) = 480mΩ（最大值）(VGS =-2.5V)。 -RDS(ON) = 660mΩ（最大值）(VGS =-1.8V)。 -RDS(ON) = 900mΩ（最大值）(VGS =-1.5V)。 -RDS(ON) = 4000mΩ（最大值）(VGS =-1.2V)。重量：1.5mg（典型值）

数据手册

10+
￥0.3663
100+
￥0.289
300+
￥0.2504
1000+
￥0.2214
5000+
￥0.1886

有货

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ESD 3.5V截止

型号：DF3A5.6LFV(TPL3,Z) 编号：C1974863

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

DF3A5.6LFV 产品仅用于防止静电放电 (ESD)。该产品仅用于防止静电放电 (ESD)，不适用于其他用途，包括但不限于恒压二极管应用。在超紧凑封装中安装两个设备可以减少零件数量和安装成本。终端电容低：CT = 8.0 pF（典型值）。

数据手册

10+
￥0.4142
100+
￥0.3297
300+
￥0.2874
1000+
￥0.2557

有货

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70万种现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

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降低成本

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