东芝光耦_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-23F

特性：1.8-V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 56 mΩ（最大值）(@VGS = 4.5 V)。 RDS(ON) = 72 mΩ（最大值）(@VGS = 2.5 V)。 RDS(ON) = 109 mΩ（最大值）(@VGS = 1.8 V)。应用：电源管理开关。 DC-DC 转换器

数据手册

10+
￥0.3481
100+
￥0.2713
300+
￥0.2329
3000+
￥0.2041
6000+
￥0.1811
9000+
￥0.1696

有货

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型号：1SS315TPH3F 编号：C146374

封装：SC-76(SOD-323)

品牌：TOSHIBA(东芝)

应用：UHF 波段混频器应用

数据手册

5+
￥0.7506
50+
￥0.5932
150+
￥0.5146
500+
￥0.4556
3000+
￥0.3711
6000+
￥0.3475

有货

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型号：SSM3K361R,LF 编号：C5444678

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。 175℃ MOSFET。 4.5V驱动。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 65mΩ（典型值）(@ VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 51mΩ（典型值）(@ VGS = 10V)。应用：电源管理开关。 DC-DC转换器

数据手册

5+
￥1.1233
50+
￥0.8713
150+
￥0.7633
500+
￥0.6286
3000+
￥0.5686
6000+
￥0.5326

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型号：TPN2R703NL,L1Q(M 编号：C5307666

封装：TSON-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 5.2 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.3 mΩ（典型值）(VGS = 4.5 V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 30 V)。增强模式：VDA = 1.3 至 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

数据手册

1+
￥4.28
10+
￥3.42
30+
￥2.99
100+
￥2.56
500+
￥2.31
1000+
￥2.18

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型号：TPH3R704PL,L1Q 编号：C141553

封装：DSOP-8-EP-5.0mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：Q_SW = 8.1 nC（典型值）。小输出电荷：Q_SS = 20.2 nC（典型值）。低漏源导通电阻：R_DS(ON) = 3.0 mΩ（典型值） (V_GS = 10 V)。低泄漏电流：I_KSS = 10 μA（最大值） (V_DS = 40 V)。增强模式：V_th = 1.4 至 2.4 V (V_DS = 10 V, I_D = 0.2 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

数据手册

1+
￥4.51
10+
￥3.65
30+
￥3.22
100+
￥2.8
500+
￥2.55
1000+
￥2.42

有货

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型号：TBD62083AFNG(Z,EL) 编号：C4153827

封装：SSOP-18-225mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB62083A 系列和 TB62084A 系列是 8 路 DMOS 晶体管阵列。每个输出端均内置用于开关感性负载的箝位二极管。

1+
￥4.51
10+
￥3.65
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￥3.21
100+
￥2.78
500+
￥2.53
1000+
￥2.39

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型号：TBD62783AFG,EL 编号：C97745

封装：SOP-18-300mil

品牌：TOSHIBA(东芝)

ICLOADSWITCH8CH0.5A18SOP

数据手册

1+
￥5.91
10+
￥4.77
30+
￥4.2
100+
￥3.63
500+
￥3.29
1000+
￥3.11

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型号：TPHR8504PL,LQ(M1W 编号：C22388172

封装：DFN-8(5x5)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 23 nC（典型值）。小输出电荷：QSS = 85.4 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 40 V)。增强模式：Vth = 1.4 至 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

1+
￥6.13
10+
￥4.96
30+
￥4.38
100+
￥3.8
500+
￥3.45
1000+
￥3.27

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型号：GT50JR22(S1WLD,E,S 编号：C2880445

封装：TO-3P-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：6.5 代。 RC-IGBT 由一个在 IGBT 芯片中单片集成的续流二极管 (FWD) 组成。增强模式。高速开关。 -IGBT：tf = 0.05 μs（典型值）(IC = 50A)。 -FWD：trr = 0.35 μs（典型值）(IF = 15A)。应用：电流谐振逆变器开关应用

1+
￥10.27
10+
￥8.58
25+
￥6.52
100+
￥5.48
500+
￥5.01
1000+
￥4.8

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型号：TB67S128FTG(O,EL) 编号：C2150559

封装：VQFN-64-EP(9x9)

品牌：TOSHIBA(东芝)

TB67S128FTG 是一款采用 PWM 斩波器的两相双极步进电机驱动器，内置时钟解码器。它采用 BiCD 工艺制造，输出额定值为 50 V/5。

数据手册

1+
￥19.76
10+
￥16.81
30+
￥15.06
100+
￥13.29
500+
￥12.47

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型号：TCD1209DG(8Z,K) 编号：C5179035

封装：DIP-22

品牌：TOSHIBA(东芝)

TCD1209DG是一款高灵敏度、低暗电流的2048像元CCD线性图像传感器。该器件包含一排2048像元的光电二极管，在B4尺寸纸张上可实现每毫米8线的分辨率。该器件由5个（此处原文未完整说明5个什么，可能是引脚、电源等，需结合完整原文确定）进行操作

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1+
￥165.1
30+
￥149.51

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型号：TCD1304DG(8Z,K) 编号：C5348961

封装：CDIP-22

品牌：TOSHIBA(东芝)

是高灵敏度、低暗电流的3648像元CCD线性图像传感器，由高灵敏度CCD芯片组成，具有电子快门功能（ICG），该功能可使输出电压不受光强变化影响而保持恒定。

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1+
￥309
30+
￥293.22

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型号：1SS302TE85LF 编号：C150148

封装：SC-70

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装：SC-70。低正向电压：0.90V（典型值）。快速反向恢复时间：1.6ns（典型值）。小总电容：0.9pF（典型值）。重量：0.006g（典型值）

数据手册

10+
￥0.2557
100+
￥0.2029
300+
￥0.1765
3000+
￥0.1567
6000+
￥0.1409
9000+
￥0.1329

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型号：1SV325,H3F 编号：C4153758

封装：SOD-523

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高电容比：C₁V / C₄V = 4.3（典型值）。低串联电阻：rs = 0.4Ω（典型值）。适用于小尺寸调谐器

5+
￥0.5465
50+
￥0.4265
150+
￥0.3665
500+
￥0.3215
2500+
￥0.2855
4000+
￥0.2675

有货

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型号：TC7WH157FU,LJ(CT 编号：C128633

封装：SSOP-8-3mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

双通道多路复用器。

数据手册

5+
￥0.805896 ￥1.1193
50+
￥0.692496 ￥0.9618
150+
￥0.643896 ￥0.8943
500+
￥0.5832 ￥0.81
3000+
￥0.5562 ￥0.7725
6000+
￥0.54 ￥0.75

有货

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型号：CMS04(TE12L,Q,M) 编号：C603062

封装：SOD-128

品牌：TOSHIBA(东芝)

近年来，从计算机、家用电器到汽车和工业设备等众多产品，都对减小尺寸和重量的有效解决方案提出了需求。不同应用场景对半导体的要求也有所不同。以电源为例，要求在更小的尺寸内容纳更高的容量，这会提高系统的运行温度

数据手册

5+
￥0.9557
50+
￥0.7733
150+
￥0.6821
500+
￥0.6137
3000+
￥0.4984
6000+
￥0.471

有货

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型号：1SV281(TPH3,F) 编号：C146317

封装：SOD-523

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于小型调谐器

数据手册

5+
￥0.965294 ￥1.0846
50+
￥0.851285 ￥0.9565
150+
￥0.802424 ￥0.9016
500+
￥0.741548 ￥0.8332
2500+
￥0.714403 ￥0.8027
4000+
￥0.698116 ￥0.7844

有货

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型号：TC7WB66CFK,LF 编号：C516178

封装：US-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC7WB66CFK/L8X 和 TC7WB67CFK/L8X 是低导通电阻、高速 CMOS 2 位总线开关。这些总线开关能够以极小的传播延迟实现连接或断开，同时保持 CMOS 的低功耗特性

数据手册

5+
￥1.4321
50+
￥1.1144
150+
￥0.9782
500+
￥0.8083
3000+
￥0.7326

有货

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型号：74VHC74FT(BJ) 编号：C7421300

封装：TSSOP14B

品牌：TOSHIBA(东芝)

双 D 型触发器，具有预置和清除功能。采用硅栅 C2MOS 技术制造，实现了与等效双极肖特基 TTL 类似的高速操作，同时保持了 CMOS 的低功耗特性。在 CK 脉冲的正跳变期间，施加到 D 输入的信号电平被传输到 Q 输出。CLR 和 PR 独立于 CK，通过将相应输入设置为低电平来完成操作。输入保护电路确保在不考虑电源电压的情况下，0 至 5.5V 可以施加到输入引脚。该器件可用于 5V 至 3V 系统和双电源系统（如备用电池）的接口，防止因电源和输入电压不匹配而导致器件损坏。

5+
￥1.4434
50+
￥1.1332
150+
￥1.0003
500+
￥0.8344
2500+
￥0.7605

有货

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型号：TC7W74FU,LF 编号：C128631

封装：SSOP-8-3mm

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC7W74是一款采用硅栅C²MOS技术制造的高速C²MOS D触发器。它在保持C²MOS低功耗的同时，能实现与等效LSTTL类似的高速运行。在时钟脉冲的上升沿，施加到D输入端的信号电平会传输到Q输出端

数据手册

5+
￥1.7733
50+
￥1.3795
150+
￥1.2107
500+
￥1.0001
3000+
￥0.9063
6000+
￥0.85

有货

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型号：TPH1R403NL 编号：C83440

封装：DFN-8(5x6)

品牌：TOSHIBA(东芝)

N-MOS管 30V150A

数据手册

1+
￥3.29
10+
￥2.63
30+
￥2.3
100+
￥1.97
500+
￥1.77
1000+
￥1.67

有货

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型号：TPHR8504PL,L1Q(M 编号：C5331611

封装：SOP-8Advance

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 23 nC（典型值）。小输出电荷：QSS = 85.4 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 40 V)。增强模式：Vth = 1.4 至 2.4 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。开关稳压器

数据手册

1+
￥5.31
10+
￥4.76
30+
￥4.45
100+
￥4.11
500+
￥3.96
1000+
￥3.89

有货

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型号：CUS05S40,H3F 编号：C442418

封装：SC-76(SOD-323)

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小封装。低正向电压：VF(2) = 0.56 V（典型值）(@IF = 500mA)。应用：高速开关

10+
￥0.3959
100+
￥0.3095
300+
￥0.2663
3000+
￥0.2339
6000+
￥0.208
9000+
￥0.195

有货

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型号：RN1106MFV,L3F 编号：C5349733

封装：SOT-723

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格（请参阅可订购的零件编号列表）。超小型封装，适合非常高密度的安装。集成偏置电阻减少了所需的外部零件数量，从而有可能减小系统尺寸并缩短组装时间。提供具有各种电阻值的晶体管，以适应各种电路设计。与RN2101MFV至RN2106MFV互补。应用：开关。逆变器电路

数据手册

10+
￥0.3989
100+
￥0.3125
300+
￥0.2693
1000+
￥0.2369
5000+
￥0.211
8000+
￥0.198

有货

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型号：1SV323,H3F 编号：C516856

封装：SOD-523

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高电容比：C₁V / C₄V = 4.3（典型值）。低串联电阻：rs = 0.4Ω（典型值）。适用于小尺寸调谐器

数据手册

5+
￥0.7023
50+
￥0.5575
150+
￥0.4851
500+
￥0.4308
2500+
￥0.3874
4000+
￥0.3656

有货

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型号：TC7SU04F,LF 编号：C6944

封装：SOT-25-5

品牌：TOSHIBA(东芝)

TC7SUO4是一款采用硅栅C2MOS技术制造的高速C2MOS反相器。它在保持C2MOS低功耗的同时，能实现与等效LSTTL相近的高速运行。内部电路由单级反相器组成，可应用于晶体振荡

数据手册

5+
￥1.4688
50+
￥1.1386
150+
￥0.997
500+
￥0.648116 ￥0.8204
3000+
￥0.586022 ￥0.7418
6000+
￥0.548734 ￥0.6946

有货

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型号：SSM3K357R,LF 编号：C7369997

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：AEC-Q101合格。 3.0V栅极驱动电压。内置齐纳二极管和电阻。应用：继电器驱动器

5+
￥1.5361
50+
￥1.2085
150+
￥1.0681
500+
￥0.893
3000+
￥0.815
6000+
￥0.7681

有货

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型号：SSM3J338R,LF 编号：C146352

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：1.8 V 栅极驱动电压。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 26.3mΩ（典型值）(@VGS = -1.8V)；RDS(ON) = 20.1mΩ（典型值）(@VGS = -2.5V)；RDS(ON) = 15.9mΩ（典型值）(@VGS = -4.5V)。应用：电源管理开关

数据手册

5+
￥1.6166
50+
￥1.2758
150+
￥1.1298
500+
￥0.9476
3000+
￥0.8664
6000+
￥0.8178

有货

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型号：TPH8R80ANH,L1Q(M 编号：C5328892

封装：SOP-8

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：小而薄的封装。高速开关。小栅极电荷：QSW = 13 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 7.4 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。增强模式：VTH = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用：DC-DC 转换器。开关稳压器

数据手册

1+
￥4.7641 ￥6.71
10+
￥3.8766 ￥5.46
30+
￥3.4364 ￥4.84
100+
￥2.9962 ￥4.22
500+
￥2.6128 ￥3.68
1000+
￥2.4708 ￥3.48

有货

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型号：TPH3R70APL,L1Q(M 编号：C471285

封装：SOP-8-Advance

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：高速开关。小栅极电荷：QSW = 21 nC（典型值）。小输出电荷：QSS = 74 nC（典型值）。低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.1 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IHSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100 V)。增强模式：Vth = 1.5 至 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)。应用：高效DC-DC转换器。开关稳压器

数据手册

1+
￥10.07
10+
￥8.33
30+
￥7.38
100+
￥6.31
500+
￥5.83
1000+
￥5.61

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