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首页 > 热门关键词 > 东芝光耦
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1个N沟道 耐压:60V 电流:9A
型号：SSM3K341R,LF 编号：C2932178
封装：SOT-23F
品牌：TOSHIBA(东芝)
特性：AFC-Q101合格。 175℃ MOSFET。 4.0V驱动。 低漏源导通电阻: -RDS(ON) = 28 mΩ（典型值）(@VGS = 10V)。 -RDS(ON) = 36 mΩ（典型值）(@VGS = 4.5V)。 -RDS(ON) = 43 mΩ（典型值）(@VGS = 4V)。应用：电源管理开关。 DC-DC转换器
数据手册

  • 5+

    ￥1.1265

  • 50+

    ￥0.8745

  • 150+

    ￥0.7665

  • 500+

    ￥0.6318

  • 3000+

    ￥0.5718

  • 6000+

    ￥0.5358
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:800V
    型号：TK10A80E,S4X(S 编号：C5379814
    封装：TO-220SIS
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7 Ω（典型值）。 低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 640 V)。 增强模式：Vtch = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)。应用：开关稳压器
    数据手册

    • 1+

      ￥5.38

    • 10+

      ￥4.31

    • 50+

      ￥3.77

    • 100+

      ￥3.23

    • 500+

      ￥2.91

    • 1000+

      ￥2.75
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:80V 电流:214A
    型号：TK100E08N1,S1X(S 编号：C396033
    封装：TO-220
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.6 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 80 V)。 增强模式：VTH = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：开关稳压器
    数据手册

    • 1+

      ￥10.08

    • 10+

      ￥8.71

    • 50+

      ￥7.96

    • 100+

      ￥7.11

    • 500+

      ￥6.74

    • 1000+

      ￥6.57
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:900V
    型号：TK5A90E,S4X(S 编号：C5360505
    封装：TO-220SIS-3
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.5Ω（典型值）。 低泄漏电流：IRSS = 10μA（最大值）（VRS = 720V）。 增强模式：Vth = 2.5 至 4.0V（VDS = 10V，ID = 0.45mA）。应用：开关稳压器
    数据手册

    • 1+

      ￥4.56

    • 10+

      ￥3.72

    • 50+

      ￥3.3

    • 100+

      ￥2.88

    • 500+

      ￥2.63

    • 1000+

      ￥2.5
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:207A
    型号：TK100E10N1,S1X(S 编号：C396029
    封装：TO-220
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.8 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。 低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100V)。 增强模式：VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V，ID = 1.0 mA)。应用：开关稳压器
    数据手册

    • 1+

      ￥9.3

    • 10+

      ￥7.95

    • 50+

      ￥6.82

    • 100+

      ￥5.98

    • 500+

      ￥5.61

    • 1000+

      ￥5.44
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:4A
    型号：SSM3J334R,LF 编号：C396017
    封装：SOT-23F
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    适用于电源管理开关应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4116

    • 100+

      ￥0.3298

    • 300+

      ￥0.289

    • 3000+

      ￥0.2583

    • 6000+

      ￥0.2338

    • 9000+

      ￥0.2215
  • 有货
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    TLP7820(TP4,E(O
    型号：TLP7820(TP4,E 编号：C2978064
    封装：SOIC-8
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    隔离放大器用于电子电机驱动器中的电流感应。在典型应用中，电机电流流经外部电阻，产生的模拟电压降由隔离放大器感应。
    数据手册

    • 1+

      ￥25.55

    • 10+

      ￥22.01

    • 30+

      ￥19.91

    • 100+

      ￥15.96

    • 500+

      ￥14.98

    • 1500+

      ￥14.54
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:150mA 电压:50V
    型号：2SC2712-GR,LF 编号：C83447
    封装：SOT-23
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    用于音频频率的通用放大器应用。具有高电压和高电流、出色的hFE线性度、高hFE、低噪声等特点，采用小封装。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1753

    • 200+

      ￥0.1429

    • 600+

      ￥0.1249

    • 3000+

      ￥0.0925

    • 9000+

      ￥0.0831

    • 21000+

      ￥0.078
  • 有货
    • 立即购买
    电压:30V 电流:200mA
    型号：CUS520,H3F 编号：C324473
    封装：SC-76(SOD-323)
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：低反向电流：IR(2) = 5 μA (max)。 通用USC封装，相当于SOD-323和SC-76封装。应用：高速开关
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2378

    • 200+

      ￥0.1839

    • 600+

      ￥0.1539

    • 3000+

      ￥0.1359

    • 9000+

      ￥0.1203

    • 21000+

      ￥0.1119
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:9A
    型号：SSM3K333R,LF 编号：C395454
    封装：SOT-23F
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：4.5V驱动低导通电阻：RDS(ON) = 42mΩ（最大值）(VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 28mΩ（最大值）(VGS = 10V)。应用：电源管理开关应用。 高速开关应用
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3057

    • 100+

      ￥0.2395

    • 300+

      ￥0.2064

    • 3000+

      ￥0.1816

    • 6000+

      ￥0.1617

    • 9000+

      ￥0.1518
  • 有货
    • 立即购买
    CMOS数字集成电路，硅单片双输入与门
    型号：TC7SH08FU,LJ(CT 编号：C5156525
    封装：USV
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    2输入与门
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3926

    • 100+

      ￥0.3062

    • 300+

      ￥0.263

    • 3000+

      ￥0.2306

    • 6000+

      ￥0.2047

    • 9000+

      ￥0.1917
  • 有货
    • 立即购买
    hfe=350~1200 NPN 电流:300mA 电压:20V
    型号：2SC3326-B,LF 编号：C27829
    封装：SOT-23
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：AEC-Q101合格。 高发射极-基极电压：VEBO = 25 V。 高反向hFE。 反向hFE = 150（典型值）(VCE = -2V, IC = -4mA)。 低导通电阻：RON = 1 Ω（典型值）(IB = 5mA)。 高直流电流增益：hFE = 200至1200。应用：静音和开关应用
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5767

    • 50+

      ￥0.4495

    • 150+

      ￥0.3859

    • 500+

      ￥0.3382

    • 3000+

      ￥0.3

    • 6000+

      ￥0.2809
  • 有货
    • 立即购买
    1.5V@100nA
    型号：2SK209-GR(TE85L,F) 编号：C61792
    封装：SC-59
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    N沟道,10V,0.014A,150mW
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8444

    • 50+

      ￥0.6595

    • 150+

      ￥0.567

    • 500+

      ￥0.4977

    • 3000+

      ￥0.4515

    • 6000+

      ￥0.4238
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V
    型号：TPN2R703NL,L1Q(M 编号：C5307666
    封装：TSON-8
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：高速开关。 小栅极电荷：QSW = 5.2 nC（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.3 mΩ（典型值）(VGS = 4.5 V)。 低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 30 V)。 增强模式：VDA = 1.3 至 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.3 mA)。应用：高效 DC-DC 转换器。 开关稳压器
    数据手册

    • 1+

      ￥3.24

    • 10+

      ￥2.53

    • 30+

      ￥2.22

    • 100+

      ￥1.84

    • 500+

      ￥1.67

    • 1000+

      ￥1.57
  • 有货
    • 立即购买
    8通道源极型DMOS晶体管阵列
    型号：TBD62783AFG,EL 编号：C97745
    封装：SOP-18-300mil
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    ICLOADSWITCH8CH0.5A18SOP
    数据手册

    • 1+

      ￥6.06

    • 10+

      ￥4.98

    • 30+

      ￥4.39

    • 100+

      ￥3.72

    • 500+

      ￥3.42

    • 1000+

      ￥3.28
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:15A 电压:230V
    型号：2SA1943-O(Q) 编号：C545244
    封装：TO-3PL
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    适用于功率放大器应用，与2SC5200互补，推荐用于100W高保真音频放大器输出级。
    数据手册

    • 1+

      ￥10.22

    • 10+

      ￥8.6

    • 30+

      ￥7.71

    • 100+

      ￥6.5

    • 500+

      ￥6.06

    • 1000+

      ￥5.85
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:15A 电压:230V
    型号：2SC5200-O(Q) 编号：C559174
    封装：TO-3PL
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：高击穿电压：VCEO = 230 V (min)。 与2SA1943互补。 适用于100W高保真音频放大器的输出级
    数据手册

    • 1+

      ￥10.62

    • 10+

      ￥8.95

    • 30+

      ￥7.9

    • 100+

      ￥6.6

    • 500+

      ￥6.11

    • 1000+

      ￥5.9
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:150mA 电压:50V
    型号：2SC2712-Y(TE85L,F) 编号：C4153761
    封装：SOT-346
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：AEC-Q101合格。 高电压：VCEO = 50V。 高集电极电流：IC = 150mA（最大值）。 高hFE：hFE = 70至700。 出色的hFE线性度：hFE（IC = 0.1mA）/ hFE（IC = 2mA）= 0.95（典型值）。 低噪声：NF = 1dB（典型值），10dB（最大值）。应用：低频放大器。 音频通用放大器应用
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1479

    • 200+

      ￥0.1182

    • 600+

      ￥0.1017

    • 3000+

      ￥0.0918

    • 9000+

      ￥0.0832

    • 21000+

      ￥0.0786
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:4A
    型号：SSM3K324R,LF 编号：C395455
    封装：SOT-23F
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：1.8-V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 56 mΩ（最大值）(@VGS = 4.5 V)。 RDS(ON) = 72 mΩ（最大值）(@VGS = 2.5 V)。 RDS(ON) = 109 mΩ（最大值）(@VGS = 1.8 V)。应用：电源管理开关。 DC-DC 转换器
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2619

    • 100+

      ￥0.2289

    • 300+

      ￥0.2124

    • 3000+

      ￥0.2

    • 6000+

      ￥0.1901

    • 9000+

      ￥0.1852
  • 有货
    • 立即购买
    电压:40V 电流:100mA
    型号：1SS294,LF 编号：C261914
    封装：SC-59
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    低电压高速开关。符合AEC Q101标准。低正向电压Δ:VF(3) = 0.54V（典型值）
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3233

    • 100+

      ￥0.2544

    • 300+

      ￥0.22

    • 3000+

      ￥0.1942

    • 6000+

      ￥0.1735

    • 9000+

      ￥0.1632
  • 有货
    • 立即购买
    2通道多路复用器
    型号：TC7WH157FU,LJ(CT 编号：C128633
    封装：SSOP-8-3mm
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    双通道多路复用器。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.966885 ￥1.3245

    • 50+

      ￥0.73521 ￥1.167

    • 150+

      ￥0.582735 ￥1.0995

    • 500+

      ￥0.538109 ￥1.0153

    • 3000+

      ￥0.518234 ￥0.9778

    • 6000+

      ￥0.506309 ￥0.9553
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:3.5A
    型号：SSM3K361R,LF 编号：C5444678
    封装：SOT-23F
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：AEC-Q101合格。 175℃ MOSFET。 4.5V驱动。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 65mΩ（典型值）(@ VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 51mΩ（典型值）(@ VGS = 10V)。应用：电源管理开关。 DC-DC转换器
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1233

    • 50+

      ￥0.8713

    • 150+

      ￥0.7633

    • 500+

      ￥0.6286

    • 3000+

      ￥0.5686

    • 6000+

      ￥0.5326
  • 有货
    • 立即购买
    8通道灌电流型DMoS晶体管阵列
    型号：TBD62083AFNG,EL 编号：C163229
    封装：SSOP-18-225mil
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    新产品，超小体积，ULN2803升级品，场效应管作输出管，管压降更低，芯片发热更少，驱动性能更佳。
    数据手册

    • 1+

      ￥4.3

    • 10+

      ￥3.44

    • 30+

      ￥3.01

    • 100+

      ￥2.58

    • 500+

      ￥2.32

    • 1000+

      ￥2.19
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    N沟道MOS（π-MOSVII）MOSFET
    型号：TK6A80E,S4X(S 编号：C22413233
    封装：TO-220SIS
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.35Ω（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 640V)。 增强模式：VtA = 2.5 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 0.6 mA)。应用：开关稳压器

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      ￥4.34

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    电压:30V 电流:100mA
    型号：1SS416,L3M(B 编号：C2943683
    封装：SOD-923
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    应用：高速开关
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    • 20+

      ￥0.1869

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      ￥0.086
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    电压:80V 电流:100mA
    型号：1SS352(TPH3,F) 编号：C2847394
    封装：USC
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：AEC-Q101合格。 小封装。 低正向电压：0.98V（典型值）。 快速反向恢复时间：1.6 ns（典型值）。 小总电容：0.5 pF（典型值）

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      ￥0.1983

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    80V 100mA
    型号：1SS226(TE85L,F) 编号：C165923
    封装：S-Mini
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：AEC-Q101合格。应用：超高速开关
    数据手册

    • 10+

      ￥0.239

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    NPN 电流:500mA 电压:50V
    型号：2SC3325-Y,LF 编号：C165920
    封装：SOT-23
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：出色的hPE线性度：hPE(q) = 25（最小值）（VCE = 6V，IC = 400 mA）。 高电压：VCEO = 50V（最小值）。 与2SA1313互补。 小封装。应用：音频低功率放大器。 驱动级放大器
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3598

    • 100+

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:2.5A
    型号：SSM3K318R,LF 编号：C146333
    封装：SOT-23F
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：4.5V 栅极驱动电压。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 145 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V)；RDS(ON) = 107 mΩ (max) (@VGS = 10 V)。应用：负载开关。 超高速开关
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6529

    • 50+

      ￥0.5089

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    200V 1A
    型号：CRH01(TE85L,Q,M) 编号：C2847411
    封装：S-FLAT(1.6x3.5)
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：重复峰值反向电压：VRRM = 200V。 平均正向电流：IF(AV) = 1A。 峰值正向电压：VFM = 0.98V(Max.)。 极快反向恢复时间：trr = 35 ns (Max.)。 因采用小型表面贴装封装“S-FLAT”，适合紧凑组装
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    • 5+

      ￥0.9667

    • 50+

      ￥0.7423

    • 150+

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