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型号：FOD814A3SD 编号：C258230

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814包含两个反向并联的砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动4引脚双列直插封装中的硅光电晶体管输出。 FOD817 系列包含砷化镓红外线发光二极管，该二极管驱动 4 引脚双列直插封装中的硅光电晶体管。

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型号：FODM3052R2-NF098 编号：C903709

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FODM301X、FODM302X 和 FODM305X 系列由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管组成，采用紧凑的 4 引脚微型扁平封装。引线间距为 2.54mm。适用于电子控件与电源三端双向可控硅开关元件之间的接口，以在 115V/240V 条件下控制电阻负载和电感负载。

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型号：H11L3SR2M 编号：C899484

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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型号：MOC3043SM 编号：C899815

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC303XM 和 MOC304XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 AlGaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如电传打字机、CTR、固态继电器、工业控制、打印机、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：MOCD217VM 编号：C891771

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MOCD217M 器件由两个光耦合到两个单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管组成，采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用，无需直通板安装。

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型号：FODM3053R2-NF098 编号：C903711

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FODM301X、FODM302X 和 FODM305X 系列由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管组成，采用紧凑的 4 引脚微型扁平封装。引线间距为 2.54mm。它们适合用作电子控件与功率三端双向可控硅开关元件之间的接口，可控制 115V/240V 运行的电阻和电感负载。

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型号：MOCD211M 编号：C555490

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

MOCD211M 器件由两个光耦合到两个单片硅光电晶体管检测器的砷化镓红外发光二极管组成，采用表面贴装小型塑料封装。它适用于高密度应用，无需直通板安装。

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型号：6N135VM 编号：C188656

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N135M、6N136M、HCPL4503M、HCPL2530M 和 HCPL2531M 光耦合器包括一个与高速光电晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL4503M 与光电晶体管基极没有内部联接，改善了抗扰性。内部干扰屏蔽具有高达 50,000 V/us 的卓越共模抑制。

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型号：H11L2M 编号：C258255

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路集电极输出实现最大应用灵活性。

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型号：FODM3012R2V-NF098 编号：C903707

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FODM301X、FODM302X 和 FODM305X 系列由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管组成，采用紧凑的 4 引脚微型扁平封装。引线间距为 2.54mm。适用于电子控件与电源三端双向可控硅开关元件之间的接口，以在 115V/240V 条件下控制电阻负载和电感负载。

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型号：FODM3063R2 编号：C258233

封装：SOP-4-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FODM306X 和 FODM308X 包含一个红外发光二极管，该二极管与执行零电压交叉双侧三端双向可控硅驱动器功能的单片硅检测器进行光耦合并采用紧凑型 4 引脚微型扁平封装。引线间距为 2.54mm。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：FOD2741AS 编号：C899225

封装：SMD-8P

品牌：onsemi(安森美)

FOD2741光隔离放大器包括流行的KA431精密可编程分流电压基准和光耦合器。该光耦合器是一种以光学方式耦合到硅光电晶体管的砷化镓(GaAs)发光二极管。它具有3级参考电压，容差 = 2%，1%和0.5%。电流传输比(CTR)的范围为100%-200%。它还具有50 ppm/°C的杰出温度系数。它主要用作隔离交流到直流电源和直流/直流转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器。使用FOD2741时，电源设计者可减少紧密封装设计中的组件数量并节省空间。严格的容差参考使得在许多应用中都无需进行调整。该器件采用8引脚DIP白色封装。

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型号：MOC3163SR2M 编号：C899874

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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型号：HCPL2631SM 编号：C899531

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N137M、HCPL2601M、HCPL2611M 单沟道和 HCPL2630M、HCPL2631M 双沟道包含一个 850 nm AlGaAS LED，与带有可调谐输出的极高速集成式光电探测器逻辑门级进行光耦合。此输出具有一个开路集电极，允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5mA 的输入信号提供最小 13mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部干扰屏蔽提供卓越的共模抑制，通常为 10kV/us。HCPL2601M 和 HCPL2631M 的最低 CMR 为 5kV/us。HCPL2611M 的最低 CMR 为 10kV/us。

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型号：FOD4108SD 编号：C899279

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

FOD410、FOD4108、FOD4116和FOD4118器件包含一个红外线发光二极管，该二极管耦合至采用两个反向并联SCR形成的混合三端双向可控硅开关，形成能够驱动分立式三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。 FOD4116和FOD4118采用一个高效红外线发光二极管提供增强的触发灵敏度。这些器件采用标准6引脚双列直插(DIP)封装。

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型号：FOD8332 编号：C462757

封装：SO-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

FOD8332 是一款 2.5 A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器，能够驱动额定值最高为 1,200 V 和 150 A 的中等功率 IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8332 提供了防止导致 IGBT 破坏性散热的故障情况所需的重要保护特性。该器件利用安森美半导体的专属共面 Optoplanar 封装技术和优化的集成电路设计，可实现可靠的高隔离电压和高抗扰性，具有高共模抑制和电源抑制规定特性。该器件采用宽体 16 引脚小型塑料封装。该门极驱动沟道包含一个与高速驱动集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该集成电路带有低 RDS(ON) MOSFET 输出级。故障感应沟道包括一个与集成的高速反馈电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，用于进行故障感应。

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