on光耦_厂家_价格_品牌_库存

OptoHiT 系列的FODM8801器件是第一款此类光电晶体管，它采用飞兆半导体领先的专利工艺技术生产，可实现高达125°C的工作温度特性。光电耦合器是由与光电晶体管进行光耦合的铝砷化镓(AlGaAs)红外发光二极管组成，它采用紧凑型的半间距、4引脚微型扁平封装。它可以在极低的输入电流下提供高电流传输比。输入输出隔离电压V

数据手册

1+
￥6.54
10+
￥5.31
30+
￥4.69

有货

立即购买

型号：6N139SM 编号：C898996

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分离式达林顿光检测器光耦合的 AlGaAs LED。与传统的达林顿光电耦合器相比，分离式达林顿配置将输入光电二极管和第一阶增益从输出晶体管中分离出来，使得输出饱和电压更低，运行速度更快。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中，集成的发射极-基极电阻器在温度范围内具有出色的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适合用作 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 的输入接口，同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及高扇出 TTL 要求。内部干扰屏蔽具有 10 kV/us 的卓越共模抑制。

数据手册

1+
￥6.62
10+
￥5.35
50+
￥4.71
100+
￥4.09
500+
￥3.71

有货

立即购买

型号：FODM3053R2-NF098 编号：C903711

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FODM301X、FODM302X 和 FODM305X 系列由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管组成，采用紧凑的 4 引脚微型扁平封装。引线间距为 2.54mm。它们适合用作电子控件与功率三端双向可控硅开关元件之间的接口，可控制 115V/240V 运行的电阻和电感负载。

数据手册

1+
￥7.24
10+
￥7.07
30+
￥6.96

有货

立即购买

型号：CNY17F1SM 编号：C899089

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

CNY17XM、CNY17FXM 和 MOC810XM 器件由与 NPN 光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管组成，采用双列直插封装。

数据手册

1+
￥7.31
10+
￥6.16
50+
￥5.52

有货

立即购买

型号：H11G1SM 编号：C899466

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

H11G1M 和 H11G2M 是光电达林顿型光耦合器。这些器件具有与硅达灵顿连接光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管，具有集成的基极-发射极电阻，可优化高温特性。

数据手册

1+
￥7.66
10+
￥6.39
50+
￥5.7
100+
￥4.91

有货

立即购买

型号：H11G1SR2M 编号：C463995

封装：PDIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11G1M 和 H11G2M 是光电达林顿型光耦合器。这些器件具有与硅达灵顿连接光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管，具有集成的基极-发射极电阻，可优化高温特性。

数据手册

1+
￥9.54
10+
￥7.96
30+
￥7.09

有货

立即购买

型号：MOC8204M 编号：C899887

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

4N38M、H11D1M、H11D3M 和 MOC8204M 为光电晶体管型光耦合光绝缘体。砷化镓红外发光二极管与高压 NPN 硅光电晶体管进行耦合。该器件采用标准塑料六引脚双列直插式封装。

数据手册

1+
￥9.62
10+
￥8.18
50+
￥6.67

有货

立即购买

型号：MOC3063SVM 编号：C899842

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

数据手册

1+
￥10.62
10+
￥8.82
50+
￥7.83

有货

立即购买

型号：FODM3012R2V-NF098 编号：C903707

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FODM301X、FODM302X 和 FODM305X 系列由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管组成，采用紧凑的 4 引脚微型扁平封装。引线间距为 2.54mm。适用于电子控件与电源三端双向可控硅开关元件之间的接口，以在 115V/240V 条件下控制电阻负载和电感负载。

数据手册

1+
￥11.09
10+
￥9.42
30+
￥8.37

有货

立即购买

型号：FOD260LSD 编号：C899215

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

这些光耦合器由与极高速集成光电检测器逻辑门极光耦合的 AlGaAS LED 组成。这些器件包括一个可调谐输出。此输出具有一个开路集电极，因此允许有线 OR 输出。耦合参数在 -40°C 至 +85°C 的温度范围内可得以保证。最高 5 mA 的输入信号提供最小 13 mA 的输出汲电流（扇出 8）。内部噪声屏蔽提供卓越的共模抑制，在 1,000V 共模下的典型值为 50 kV/us。

数据手册

1+
￥11.34
10+
￥11.13
30+
￥10.99

有货

立即购买

型号：HCPL0534 编号：C891325

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

HCPL05XX 和 HCPL04XX 光耦合器由与高速光电检测器晶体管进行光耦合的 AlGaAs LED 组成，采用紧凑的 8 引脚小外形封装。用于光电二极管偏置的单独联接降低了输入晶体管的基极-集极电容，与传统光电晶体管相比，速度提高了若干个数量级。HCPL04XX 器件没有与引线结合的基板，可实现更大噪声裕度。HCPL053X 器件的每个封装有两个沟道，具有最佳安装密度。

数据手册

1+
￥13.16
10+
￥12.84
30+
￥12.62

有货

立即购买

型号：6N138M 编号：C898994

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分割达林顿光检测器进行光耦合的 AlGaAs LED。该分割达林顿配置将输入光电二极管和第一级增益与输出晶体管进行分离，与传统达林顿光电晶体管光耦合器相比，可实现更低的输出饱和电压和更高的运行速度。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中，集成的发射极-基极电阻器在温度范围内提供了卓越的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适用于 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 输入接口，同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及较高的扇出 TTL 要求。内部噪声屏蔽提供卓越的 10 kV/us 共模抑制。

数据手册

1+
￥13.39
10+
￥11.45
50+
￥9.74

有货

立即购买

型号：HCPL2530 编号：C410940

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

由一个与高速光电探测器晶体管光耦合的AlGaAs LED组成。光电二极管偏置的独立连接通过减少输入晶体管的基极-集电极电容，比传统光电晶体管光耦合器提高了几个数量级的速度。内部噪声屏蔽提供了10kV/µs的卓越共模抑制能力。改进的封装允许480V的工作电压，而行业标准为220V。

数据手册

1+
￥14.37
10+
￥12.8
50+
￥11.04

有货

立即购买

型号：H11N1 编号：C22404786

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

1+
￥15.08
10+
￥12.89
50+
￥11.52

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示