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DC输入隔离电压(rms):2500V

型号：FOD8802A 编号：C2902031

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD8802双通道光耦合器是一款一流的光电晶体管光耦合器，采用前沿的专有工艺技术，可实现高达125°C的高工作温度性能。它由两个铝镓砷（AlGaAs）红外发光二极管与两个光电晶体管进行光耦合组成，采用小外形8引脚SOIC封装。在极低的输入电流和不同温度条件下，它能提供稳定的电流传输比

数据手册

1+
￥7.83
10+
￥7.63
30+
￥7.5

有货

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DC输入隔离电压(rms):4170V

型号：4N36SM 编号：C898970

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

该通用型光耦合器在六引脚双列直插封装内包括了一个驱动硅光电晶体管的砷化镓红外发光二极管。

数据手册

1+
￥7.93
10+
￥6.62
50+
￥5.9

有货

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双向可控硅有过零电路 1通道

型号：MOC3061SVM 编号：C899833

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC306XM 和 MOC316XM 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 115/240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

数据手册

1+
￥8.06
10+
￥7.88
30+
￥7.75

有货

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四引脚DIP封装，达林顿光电晶体管输出光耦合器

型号：FOD8523SD 编号：C463971

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD852 在 4 引脚双列直插封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电达林顿输出（带有集成的基极发射电阻）。

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1+
￥8.06
10+
￥6.53
30+
￥5.69

有货

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双向可控硅有过零电路 1通道

型号：MOC3083SR2VM 编号：C899867

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC3081M、MOC3082M 和 MOC3083M 器件由一个与单片硅检测器进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成，执行零电压交叉双侧三路驱动器的功能。此类器件适用于从 240V 交流线路供电设备逻辑系统接口中的分离电源三端双向可控硅开关元件，如固态继电器、工业控制、电机、电磁阀和消费品设备等。

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1+
￥8.29
10+
￥6.92
30+
￥6.17

有货

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DC输入隔离电压(rms):4170V

型号：MOC8021SM 编号：C899879

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC8021M 和 MOC8050M 为光电达林顿型光耦合器,无基极联接。此类器件具有与硅达林顿光电晶体管耦合的砷化镓红外发光二极管。

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1+
￥8.43
10+
￥8.23
30+
￥8.11

有货

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：FOD8173T 编号：C900908

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8173 系列采用拉伸体 6 引脚小型塑料封装，由镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管和 CMOS 检测器集成电路组成，该检测器集成电路包括集成光电二极管、高速互阻抗放大器和带有图腾柱输出驱动器的电压比较器。其电气和开关特性在 -40°C 至 100°C 的扩展工业温度范围和 3 V 至 5.5 V 的 VDD 范围内得以保证。

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1+
￥8.72
10+
￥7.24
30+
￥6.43

有货

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双向可控硅无过零电路 1通道

型号：MOC3053M 编号：C603333

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

MOC3051M、MOC3052M 和 MOC3053M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 115 VAC 和 240 VAC 线路进行隔离，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。

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1+
￥9.78
10+
￥8.16
50+
￥7.27

有货

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DC输入隔离电压(rms):4170V

型号：4N32VM 编号：C898960

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M和TIL113包含一个砷化镓红外线发射器，光耦合至一个硅平面达林顿放大器。

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1+
￥10.22
10+
￥8.53
30+
￥7.6

有货

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光隔离误差放大器

型号：FOD2742BR2 编号：C463019

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD2742 光隔离放大器由受欢迎的 KA431 精确编程分路参考和光耦合器组成。该光耦合器是一款与硅光电晶体管进行光耦合的砷化镓 (GaAs) 发光二极管。它具有 3 个等级的参考耐压 = 2％、1％和 0.5％。电流传输率 (CTR) 范围介于 100％到 200％之间。它还具有出色的 50 ppm/°C 温度系数。它主要用作隔离 AC-DC 电源和 DC-DC 转换器中的误差放大器/参考电压/光耦合器功能。使用 FOD2742 时，电源设计者可以减少组件数量，节省紧凑封装设计中的空间。小允差范围参考消除了很多应用中的调节需要。该器件采用 8 引脚小外形封装。

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1+
￥10.93
10+
￥10.7
30+
￥10.55

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DC输入隔离电压(rms):3750V

型号：FODM8801CR2V 编号：C903722

封装：SOIC-4-175mil

品牌：onsemi(安森美)

OptoHiT FODM8801 是一款全新光电晶体管，利用安森美半导体先进的专属工艺技术，可实现高运行温度特性，最高可达 125°C。该光耦合器在紧凑的半间距、微型扁平、4 引脚封装中包含一个镓铝砷 (AlGaAs) 红外发光二极管 (LED),与光电晶体管进行光耦合。它以极低输入电流提供高电流传输率。输入-输出隔离电压 VISO 额定值为 3750 VACRMS。

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1+
￥11.23
10+
￥10.99
30+
￥10.83

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：FOD3150S 编号：C899250

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

FOD3150是一个1.0A的输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动大部分800V/20A IGBT/MOSFET。它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT和MOSFET。

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1+
￥11.4
10+
￥9.73
50+
￥8.68

有货

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双向可控硅无过零电路 1通道

型号：MOC3072SM 编号：C899848

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MOC3071M、MOC3072M 和 MOC3073M 由与非零交叉硅双向交流开关（三路器件）进行光耦合的 GaAs 红外发光二极管组成。此类器件将低电压逻辑与 240 VAC 线路进行绝缘，可提供对于高电流三端双向可控硅元件或半导体闸流管的随机相控制。此类器件具有增强的静态 dv/dt 功能，可确保电感负载的稳定开关性能。

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1+
￥12.91
10+
￥11.26
50+
￥9.31

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：6N138M 编号：C898994

封装：DIP-8

品牌：onsemi(安森美)

6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分割达林顿光检测器进行光耦合的 AlGaAs LED。该分割达林顿配置将输入光电二极管和第一级增益与输出晶体管进行分离，与传统达林顿光电晶体管光耦合器相比，可实现更低的输出饱和电压和更高的运行速度。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中，集成的发射极-基极电阻器在温度范围内提供了卓越的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适用于 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 输入接口，同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及较高的扇出 TTL 要求。内部噪声屏蔽提供卓越的 10 kV/us 共模抑制。

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1+
￥13.39
10+
￥11.45
50+
￥9.74

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：6N138SDM 编号：C188666

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

6N138M/9M 和 HCPL2730M/31M 光耦合器包括一个与高增益分割达林顿光检测器进行光耦合的 AlGaAs LED。该分割达林顿配置将输入光电二极管和第一级增益与输出晶体管进行分离，与传统达林顿光电晶体管光耦合器相比，可实现更低的输出饱和电压和更高的运行速度。在双沟道器件 HCPL2730M/HCPL2731M 中，集成的发射极-基极电阻器在温度范围内提供了卓越的稳定性。0.5mA 极低输入电流和 2000% 高电流传输比组合使得此系列特别适用于 MOS、CMOS、LSTTL 和 EIA RS232C 输入接口，同时可确保到 CMOS 的输出兼容性以及较高的扇出 TTL 要求。内部噪声屏蔽提供卓越的 10 kV/us 共模抑制。

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1+
￥14.74
10+
￥12.51
30+
￥11.11

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H11N1

型号：H11N1 编号：C22404786

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

1+
￥15.08
10+
￥12.89
50+
￥11.52

有货

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DC输入隔离电压(rms):4170V

型号：MCT5211SR2M 编号：C899741

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

MCT52XXM 系列在六引脚双列直插封装内包括一个与 NPN 光电晶体管耦合的高能效 AlGaAs 红外发光二极管。MCT52XXM 适用于 CMOS 与 LSTT/TTL 的接口，提供 250% CTR CE(SAT)，LED 输入电流为 1mA。提供 1.6mA 的 LED 输入电流时，数据速率可达 20K bits/s。MCT52XXM 可将 LSTTL 轻松接口 LSTTL/ TTL，使用外部基极-射极电阻时，数据速率可达 100K bits/s。

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1+
￥15.9
10+
￥13.57
30+
￥12.11

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):4170V

型号：H11N1SR2M 编号：C899489

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

H11NX-M 系列具有与 AlGaAs 红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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1+
￥16.51
10+
￥13.89
30+
￥12.25

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：FOD8343R2 编号：C899350

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

4.0 A Output Current, High Speed Gate Drive Optocoupler in Stretched Body

数据手册

1+
￥17.52
10+
￥17.11
30+
￥16.84

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：FOD3180SDV 编号：C899259

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3180 是一款 2 A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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1+
￥20.18
10+
￥19.72
30+
￥19.4

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：FOD3182SV 编号：C899266

封装：SOP-8-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD3182 是一款 3A 输出电流，高速 MOSFET 门极驱动器光耦合器。它包含一个与 CMOS 检测器进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED)，该检测器带有集成了 PMOS 和 NMOS 输出功率晶体管的电路功率级。它适用于等离子显示面板 (PDP)、电机控制逆变器应用和高性能 DC-DC 转换器中使用的功率 MOSFET 的高频驱动。该器件封装在 8 引脚双线内外壳中，可兼容 260°C 回流工艺，用于实现无引线焊接机合规性。

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1+
￥22.72
10+
￥22.19
30+
￥21.84

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DC输入 1通道

型号：FOD8482T 编号：C605164

封装：SOP-6-6.8mm

品牌：onsemi(安森美)

是低功率光耦合器，支持与智能功率模块 (IPM) 的隔离接口，将数字控制信号从控制器传输到 IPM，而不会传导接地回路或危险电压。采用拉伸体 6 引脚小外形塑料封装，由砷化铝镓 (AlGaAs) 发光二极管和集成高增益光电探测器组成。探测器具有带迟滞的探测器阈值，可提供差模抗噪性并消除输出信号抖动的可能性。其同相输出设计为图腾柱结构，无需任何上拉电阻

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1+
￥22.94
10+
￥22.41
30+
￥22.05

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DC输入 1通道隔离电压(rms):5000V

型号：FOD8160R2V 编号：C899329

封装：SOIC-5-9.2mm

品牌：onsemi(安森美)

FOD8160 是一款 3.3V/5V 高速逻辑门输出（开路集电极输出）光电耦合器，支持隔离式通信，允许数字信号在不传导接地环路或危险电压的情况下在系统间通信。该器件采用飞兆专有的 Optoplanar 共面封装技术，优化了 IC 设计，通过高共模抑制规格特点实现了高抗噪能力。

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1+
￥28.99
10+
￥24.53
30+
￥21.88

有货

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双向可控硅无过零电路 1通道

型号：FOD4208SD 编号：C899305

封装：SMD-6P

品牌：onsemi(安森美)

FOD420、FOD4208、FOD4216和FOD4218器件包含一个红外线发光二极管，该二极管耦合至采用两个反向并联SCR形成的混合任意相位三端双向可控硅开关，形成能够驱动分立式三端双向可控硅开关的三端双向可控硅开关功能。 FOD4216和FOD4218采用一个高效红外线发光二极管提供增强的触发灵敏度。这些器件采用标准6引脚双列直插(DIP)封装。

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1+
￥38.7
10+
￥32.94
30+
￥29.43

有货

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DC 4.17kV

型号：H11F1SR2M 编号：C463503

封装：PDIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11FXM 系列由一个与对称双向硅光电检测器耦合的砷铝镓红外发光二极管组成。该检测器可与输入进行电气隔离，就好像一个理想隔离的 FET，适用于低电平交流和直流模拟信号的无失真控制。H11FXM 系列器件安装在双线内封装内。

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1+
￥49.63
10+
￥42.99
30+
￥38.94

有货

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4引脚DIP光电晶体管光耦合器

型号：FOD817AS 编号：C243067

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FOD814 在 4 引脚双线内封装内包括两个砷化镓红外发光二极管，反相并联，驱动硅光电晶体管输出。FOD817 系列在 4 引脚双线内封装内包括一个砷化镓红外发光二极管，驱动硅光电晶体管。

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1+
￥1.8638
10+
￥1.4796
30+
￥1.315

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):4170V

型号：H11L1TVM 编号：C899475

封装：DIP-6

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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1+
￥3.17
10+
￥3.09
30+
￥3.04

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DC输入隔离电压(rms):5000V

型号：FOD819 编号：C479729

封装：DIP-4

品牌：onsemi(安森美)

FOD819 在 4 引脚双列直插封装内包括一个砷化镓 (GaAs) 红外发光二极管，驱动带有集成的基极发射电阻 RBE 的硅光电达林顿输出。当绝缘数据信号传输中需要更高速度性能时，它适用于以更高性能替代受欢迎的 FOD817 系列。

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1+
￥4.05
10+
￥3.97
50+
￥3.91

有货

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DC输入 1通道隔离电压(rms):4170V

型号：H11L3SR2VM 编号：C899485

封装：SOP-6-2.54mm

品牌：onsemi(安森美)

H11LXM 系列具有与砷化镓红外发光二极管光耦合的高速集成电路检测器。输出集成了施密特触发器，针对抗扰性和脉冲整形提供了迟滞。该检测器电路针对运行简单性进行优化，利用开路收集器输出实现最大应用灵活性。

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1+
￥5.64
10+
￥5.51
30+
￥5.42

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双向可控硅无过零电路 1通道

型号：FODM3052-NF098 编号：C457811

封装：SMD-4P

品牌：onsemi(安森美)

FODM301X、FODM302X 和 FODM305X 系列由一个驱动硅双向开关的 GaAs 红外发光二极管组成，采用紧凑的 4 引脚微型扁平封装。引线间距为 2.54mm。适用于电子控件与电源三端双向可控硅开关元件之间的接口，以在 115V/240V 条件下控制电阻负载和电感负载。

数据手册

1+
￥5.81
10+
￥5.66
30+
￥5.57

有货

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