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型号：NTD3055L104T4G 编号：C10668

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

适用于电源、转换器、功率电机控制和桥式电路中的低压高速开关应用。

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1+
￥3.64
10+
￥2.9
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型号：NTMFS5C430NLT1G 编号：C194661

封装：DFN5(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，40 V，1.4 mΩ，200 A，单 N 沟道

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￥3.84
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型号：FSA2567MPX 编号：C512961

封装：WFQFN-16(3x3)

品牌：onsemi(安森美)

双路低电容、低导通电阻、宽Vcc工作范围(1.65V至4.3V)的模拟开关，适用于双SIM卡多路复用。

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￥4.33
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￥3.43
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型号：RHRP860 编号：C11751

封装：ITO-220AC

品牌：onsemi(安森美)

RHRP840 和 RHRP860 是具有软恢复特性的超高速二极管

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￥4.9444 ￥5.26
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型号：FDS6681Z 编号：C236906

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。

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￥5.34
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型号：CAT811TTBI-GT3 编号：C73274

封装：SOT-143

品牌：onsemi(安森美)

CAT811是一款用于监控电源的微处理器监控电路。在工业温度范围内工作的应用中，具备手动复位输入功能。这些器件会生成一个复位信号，当电源电压低于预设阈值电平时，该信号有效，并在电源电平升至该阈值以上后至少保持140 ms。采用的基础浮栅技术——模拟EEPROM，使得提供任何定制复位阈值成为可能。提供七种行业标准阈值电平，以支持+5.0 V、+3.3 V、+3.0 V和+2.5 V系统。CAT811具有RESET推挽输出（低电平有效）。电源上的快速瞬变会被忽略，并且保证在低至1.0 V的Vcc电平下，输出处于正确状态。 CAT811在工业温度范围（-40°C至85°C）内进行了全面规格定义，采用紧凑的4引脚SOT - 143封装。

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￥6.12
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型号：FQD5N60CTM 编号：C467458

封装：DPAK

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型功率 MOSFET 使用平面条纹和 DMOS 专属工艺生产。此先进 MOSFET 工艺适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

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1+
￥7.11
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￥5.82
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￥5.18
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型号：FDPC5018SG 编号：C464164

封装：PQFN-8-EP(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

此器件在一个双封装中包括了两个特制的 N 沟道 MOSFET。开关节点已经内部连接，可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。控制 MOSFET (Q1) 和同步 SyncFET (Q2) 可提供最佳功率效率。

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￥7.23
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￥5.37
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型号：NCV57001DWR2G 编号：C603965

封装：SOIC-16-300mil

品牌：onsemi(安森美)

NCV57001是一款具有内部电流隔离功能的高电流单通道IGBT驱动器，专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。其特性包括互补输入、漏极开路故障和就绪输出、有源米勒钳位、精确的欠压锁定（UVLO）、退饱和（DESAT）保护以及退饱和时的软关断功能。NCV57001兼容5 V和3.3V

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￥12.98
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￥11.36
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型号：MMUN2111LT1G 编号：C97123

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省在板空间。

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20+
￥0.1715
200+
￥0.1406
600+
￥0.1234
3000+
￥0.113
9000+
￥0.1041
21000+
￥0.0993

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型号：MMBT3904LT3G 编号：C150052

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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20+
￥0.1896
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￥0.1525
600+
￥0.1319
2000+
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10000+
￥0.0787
20000+
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型号：MM3Z16VT1G 编号：C150089

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用 SOD-323 表面贴装封装，功率耗散为 300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

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20+
￥0.1948
200+
￥0.1544
600+
￥0.1319
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9000+
￥0.1067
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￥0.1004

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型号：MM3Z6V2T1G 编号：C393369

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

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20+
￥0.2424
200+
￥0.19
600+
￥0.161
3000+
￥0.1435
9000+
￥0.1284
21000+
￥0.1202

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型号：ESD5Z2.5T1G 编号：C890620

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

ESD5Z 系列适用于针对 ESD 和瞬态电压事件为电压敏感部件提供保护。卓越的箝位功能、低泄漏和快速响应时间使得这些零件非常适用于在板空间非常宝贵的设计中提供 ESD 防护。因为其尺寸较小，适合用于蜂窝电话、移动设备、数码相机、电源和其他多种移动应用。

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20+
￥0.2541
200+
￥0.2066
600+
￥0.1802
3000+
￥0.1433
9000+
￥0.1295
21000+
￥0.1221

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型号：BAT54SWT1G 编号：C78260

封装：SOT-323

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。

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20+
￥0.2556
200+
￥0.2016
600+
￥0.1716
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￥0.1403
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￥0.1247
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￥0.1162

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型号：MMSZ5248BT1G 编号：C82088

封装：SOD-123

品牌：onsemi(安森美)

三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。

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20+
￥0.2569
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￥0.1999
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￥0.1681
3000+
￥0.1491
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￥0.1326
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￥0.1237

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型号：MM5Z18VT1G 编号：C327501

封装：SOD-523

品牌：onsemi(安森美)

此类齐纳二极管稳压器采用 SOD-523 表面贴装封装。此类稳压器可提供电压调节保护，特别适用于空间宝贵的情况。此类器件非常适用于蜂窝电话、手持便携设备和高密度 PC 主板等应用。

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10+
￥0.2901
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￥0.2307
300+
￥0.2009
3000+
￥0.1786
6000+
￥0.1608
9000+
￥0.1518

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型号：MM3Z5V6T1G 编号：C82071

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

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20+
￥0.3145
200+
￥0.2492
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￥0.2129
3000+
￥0.1574
9000+
￥0.1385
21000+
￥0.1283

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型号：MM3Z12VT1G 编号：C236177

封装：SOD-323

品牌：onsemi(安森美)

该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。

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10+
￥0.3286
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￥0.2656
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￥0.2341
3000+
￥0.1912
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￥0.1723
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￥0.1628

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型号：BC847BDW1T1G 编号：C82368

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

这些晶体管专为通用放大器应用而设计。它们采用 SOT−363/SC−88 封装，该封装专为低功率表面贴装应用而设计。

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20+
￥0.3312
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￥0.2655
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￥0.229
3000+
￥0.2071
9000+
￥0.1881
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￥0.1778

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型号：NSR0620P2T5G 编号：C91106

封装：SOD-923

品牌：onsemi(安森美)

肖特基势垒二极管针对非常低的正向压降和低漏电流进行了优化，用于便携式设备中的各种直流-直流转换器、钳位和保护应用。SOD-923微型封装使设计人员能够应对提高效率和满足减小空间要求的挑战。

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10+
￥0.3869
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￥0.3092
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￥0.2703
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￥0.2411
5000+
￥0.2175
8000+
￥0.2058

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型号：MUN5233DW1T1G 编号：C182463

封装：SOT-363

品牌：onsemi(安森美)

该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络：一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中，因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省板空间。

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10+
￥0.3922
100+
￥0.3174
300+
￥0.28
3000+
￥0.2441
6000+
￥0.2217
9000+
￥0.2105

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型号：MMBT5088LT1G 编号：C232555

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 NPN 双极晶体管适用于高增益、低噪声通用放大器应用。此器件采用 SOT-23 封装，适合低功率表面贴装应用。

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10+
￥0.4014
100+
￥0.3205
300+
￥0.28
3000+
￥0.2412
6000+
￥0.2169
9000+
￥0.2047

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型号：NDS0605 编号：C124476

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供了坚固可靠的性能和快速的开关。NDS0605 可用于最高要求 0.18A DC 的大多数应用，可以提供高达 1 A 的脉冲电流，且工作量极小。此产品尤其适用于需要低电流高压侧开关的低压应用。

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5+
￥0.5308
50+
￥0.4241
150+
￥0.3707
500+
￥0.3307
3000+
￥0.2817
6000+
￥0.2657

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型号：ESD8472MUT5G 编号：C133346

封装：X3-DFN-2(0.3x0.6)

品牌：onsemi(安森美)

ESD8472旨在保护需要超低电容的电压敏感元件，使其免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低电容、高击穿电压、高线性度、低泄漏和快速响应时间，使其成为电路板空间有限设计中ESD保护的理想选择。它在不同电压下具有行业领先的电容线性度，非常适合射频（RF）应用。这种电容线性度与极小的封装和低插入损耗相结合，使其非常适合用于无线手机和终端的天线线路应用。

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