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型号：MBR140SFT1G 编号：C43381

封装：SOD-123FL

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。该肖特基整流器的先进几何结构具有铬势垒金属、带氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。该整流器适用于低压高频逆变器、续流二极管和极性保护二极管。

数据手册

5+
￥1.156
50+
￥0.9001
150+
￥0.7905
500+
￥0.6407
3000+
￥0.5798
6000+
￥0.5432

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型号：MC78M05CDTRKG 编号：C20719

封装：DPAK-3

品牌：onsemi(安森美)

高 PSRR

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5+
￥1.2472
50+
￥0.9922
150+
￥0.8829
500+
￥0.7465
2500+
￥0.6858
5000+
￥0.6493

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型号：NTTFS4C25NTWG 编号：C893914

封装：WDFN-8(3.3x3.3)

品牌：onsemi(安森美)

特性：低 RDS(on) 以最小化传导损耗。低电容以最小化驱动损耗。优化的栅极电荷以最小化开关损耗。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，且符合 RoHS 标准。应用：DC-DC 转换器。功率负载开关

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5+
￥1.3086
50+
￥1.1405
150+
￥1.0685
500+
￥0.9128
2500+
￥0.8727
5000+
￥0.8487

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型号：LM833DR2G 编号：C7969

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

LM833是一款标准的低成本单片双路通用运算放大器，采用双极技术，并融入了适用于音频系统应用的创新高性能理念。借助高频PNP晶体管，LM833具备低电压噪声（4.5 nV/√Hz）、15 MHz的增益带宽积、7.0 V/μs的压摆率、0.3 mV的输入失调电压以及2.0 μV/℃的输入失调电压温度系数。LM833的输出级无死区交越失真，输出电压摆幅大，具有出色的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗以及对称的源/灌交流频率响应。

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5+
￥1.3472
50+
￥1.065
150+
￥0.944
500+
￥0.7931
2500+
￥0.634
5000+
￥0.5937

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型号：MBRS360T3G 编号：C24449

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。

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5+
￥1.3522
50+
￥1.0897
150+
￥0.9772
500+
￥0.7301
2500+
￥0.6676
5000+
￥0.6301

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型号：NCP51460SN33T1G 编号：C233715

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

精确电压参考，20 mA，低 Iq，高 PSRR，低噪声

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5+
￥1.3953
50+
￥1.1142
150+
￥0.9937
500+
￥0.8434
3000+
￥0.7765
6000+
￥0.7363

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型号：MBRS360BT3G 编号：C59027

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：onsemi(安森美)

该肖特基整流器运用肖特基势垒原理，采用大面积金属-硅功率二极管。

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5+
￥1.4134
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￥1.1161
150+
￥0.9886
500+
￥0.7741
2500+
￥0.7033
5000+
￥0.6608

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型号：FDN304P 编号：C241803

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 使用先进的低压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电池管理应用。

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5+
￥1.4514
50+
￥1.144
150+
￥1.0122
500+
￥0.8478
3000+
￥0.6906
6000+
￥0.6466

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型号：MURS320T3G 编号：C54101

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：onsemi(安森美)

该超快整流器采用氧化物钝化以及金属覆盖触点的外延结构。适用于高电压、高频率整流，或者适合用作表面贴装应用中的续流和保护二极管，在此类应用中紧凑的尺寸和重量对系统至关重要。

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5+
￥1.6643
50+
￥1.2941
150+
￥1.1355
500+
￥0.9375
2500+
￥0.8494
5000+
￥0.7965

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型号：MC14051BDR2G 编号：C7284

封装：SOIC-16

品牌：onsemi(安森美)

MC14051B 是一种8通道模拟多路复用器/多路分路器，具有低导通阻抗和极低的关断漏电流。

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5+
￥1.8655
50+
￥1.4593
150+
￥1.2852
500+
￥1.0172
2500+
￥0.9205
5000+
￥0.8624

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型号：US1MFA 编号：C894760

封装：SOD-123FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：玻璃钝化芯片结。低功耗、高效率。快速开关反向恢复时间：最大50-75 ns。高浪涌容量。UL可燃性94V-0分类。符合J-STD-020的MSL 1。适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用的NRV前缀；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力。这些器件无铅、无卤素且符合RoHS标准

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5+
￥2.004
50+
￥1.6225
150+
￥1.4591
500+
￥1.0764
3000+
￥0.9856
6000+
￥0.9311

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型号：NDT2955 编号：C194179

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

此 60V P 沟道 MOSFET 是使用 Fairchild Semiconductor 的高压沟槽工艺生产的。此产品非常适用于电源管理应用。

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5+
￥2.1809
50+
￥1.6971
150+
￥1.4897
500+
￥1.231
2500+
￥1.1158
4000+
￥1.0467

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型号：NCS20074DTBR2G 编号：C411221

封装：TSSOP-14

品牌：onsemi(安森美)

该系列运算放大器提供轨到轨输出操作，3MHz带宽，有单通道、双通道和四通道配置。轨到轨操作使用户能够充分利用整个电源电压范围，同时利用3MHz带宽。该系列可在低至2.7V的电源电压下工作，温度范围为 -40℃至125℃。在2.7V电源下，高带宽提供2.8V/μs的压摆率，而每通道仅消耗405μA的静态电流。宽电源范围允许该系列在高达36V的电源电压下运行，使其适用于广泛的应用。由于这是一款CMOS器件，高输入阻抗和低偏置电流使其非常适合与各种信号传感器接口。该系列器件有多种紧凑型封装可供选择。带有NCV前缀的产品适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用。

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1+
￥2.46
10+
￥1.91
30+
￥1.67
100+
￥1.37
500+
￥1.24
1000+
￥1.16

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型号：NTMFS5C670NLT1G 编号：C179626

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

特性：小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑设计。低RθJC，以减少传导损耗。低QG和电容，以减少驱动损耗。这些器件无铅且符合RoHS标准

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1+
￥3.23
10+
￥2.55
30+
￥2.25
100+
￥1.89
500+
￥1.72

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型号：CAT823TTDI-GT3 编号：C91360

封装：TSOT-23-5

品牌：onsemi(安森美)

CAT823和CAT824为电子系统提供基本的复位和监控功能。每个器件都会监控系统电压，并保持复位输出，直到该电压达到器件指定的跳变值，然后在内部定时器（最短为140 ms）计时结束前，维持复位输出的有效状态，以使系统电源稳定。CAT823和CAT824还设有看门狗输入，可用于监控系统信号，若信号在超时条件发生前未改变状态，则会触发复位

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1+
￥3.36
10+
￥2.65
30+
￥2.35
100+
￥1.97
500+
￥1.68
1000+
￥1.58

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型号：MC33074DR2G 编号：C43547

封装：SOIC-14

品牌：onsemi(安森美)

MC33071/72/74、MC34071/72/74和NCV33072/74A系列单片运算放大器采用了高质量的双极型制造工艺和创新的设计理念。这一系列运算放大器提供了4.5 MHz的增益带宽积、13 V/μs的摆率以及快速建立时间，且未使用JFET器件技术。虽然这一系列可以采用双电源供电工作，但特别适合单电源供电，因为其共模输入电压范围包括地电位（VEE）。凭借达林顿输入级，该系列表现出高输入阻抗、低输入偏移电压和高增益。全NPN输出级的特点是没有死区交叉失真和大输出电压摆幅，提供了高电容驱动能力、优异的相位和增益裕度、低开环高频输出阻抗以及对称的源/吸交流频率响应。

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1+
￥3.42
10+
￥2.66
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￥2.34
100+
￥1.94
500+
￥1.7
1000+
￥1.59

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型号：LM317D2TR4G 编号：C12848

封装：TO-263-2

品牌：onsemi(安森美)

高PSRR 可调正向

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1+
￥3.47
10+
￥2.75
30+
￥2.45
100+
￥2.06
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￥1.71
800+
￥1.6

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型号：NTMFS5C628NLT1G 编号：C145537

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，60V，150A，2.4mΩ，单 N 沟道

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1+
￥3.57
10+
￥2.84
30+
￥2.48
100+
￥2.12
500+
￥1.9
1500+
￥1.79

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型号：CAT24C256HU4IGT3 编号：C233771

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb I2C，内部组织为 512 页，每页 64 字节。它具有 64 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止（这样会保护整个内存）。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C256 器件。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

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