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首页 > 热门关键词 > on光耦
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512 Kb串行CMOS EEPROM
型号：CAT25512VI-GT3 编号：C146783
封装：SOIC-8
品牌：onsemi(安森美)
CAT25512是一款512 Kb的串行CMOS EEPROM器件，内部组织为64Kx8位。它具有128字节的页写缓冲区，并支持串行外设接口（SPI）协议。该器件通过片选（CS(overline)）输入使能
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  • 1+

    ￥3.76

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    轨到轨输出，3 MHz带宽运算放大器
    型号：NCS20074DR2G 编号：C89844
    封装：SOIC-14
    品牌：onsemi(安森美)
    提供轨到轨输出操作，3MHz带宽，有单通道、双通道和四通道配置。轨到轨操作使用户能够充分利用整个电源电压范围，同时利用3MHz带宽。可在低至2.7V的电源电压下工作，工作温度范围为 -40°C至125°C。在2.7V电源下，高带宽提供2.8V/μs的压摆率，而每通道仅消耗405μA的静态电流。宽电源范围允许其在高达36V的电源电压下运行，适用于广泛的应用。由于这是一款CMOS器件，高输入阻抗和低偏置电流使其非常适合与各种信号传感器接口。器件有多种紧凑型封装可供选择。带有NCV前缀的产品适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥3.83

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    ESD 5V截止 峰值浪涌电流：28A@8/20us
    型号：NUP4202W1T2G 编号：C89319
    封装：SC-88
    品牌：onsemi(安森美)
    NUP4202W1浪涌保护器件旨在保护高速数据线免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷击的影响。全新的NUP4202W1是一款低电容浪涌保护二极管阵列，用于保护通信系统、计算机及计算机外设等敏感电子设备，使其免受静电放电事件或瞬态过压情况造成的损坏。由于其电容较低，可用于高速输入/输出（I/O）数据线。NUP4202W1采用集成设计，在单个封装（SC - 88）中集成了具有浪涌额定值的低电容导向二极管和浪涌保护二极管。若出现瞬态情况，导向二极管会将瞬态电流引导至电源的正轨或接地。浪涌保护器件可保护电源线免受电压过高的影响，避免损坏电源及任何下游组件。

    • 1+

      ￥4.2

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:12A
    型号：NTD3055-094T4G 编号：C179612
    封装：DPAK
    品牌：onsemi(安森美)
    设计用于电源、转换器、动力电机控制和桥接电路中的低电压、高速开关应用。
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      ￥4.3

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    1个P沟道 耐压:60V 电流:9.4A
    型号：FQD11P06TM 编号：C719783
    封装：DPAK
    品牌：onsemi(安森美)
    此 P 沟道增强型功率 MOSFET 是使用平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术适用于降低导通电阻，提供卓越的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
    数据手册

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      ￥4.49

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    低功耗，双SIM卡模拟开关
    型号：FSA2567UMX 编号：C357761
    封装：UFQFN-16(1.8x2.6)
    品牌：onsemi(安森美)
    双路低电容、低导通电阻、宽Vcc工作范围(1.65V至4.3V)的模拟开关，适用于双SIM卡多路复用。
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      ￥5.65

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    升压型 1.5A 3V~40V
    型号：NCP3063BDR2G 编号：C41034
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    NCP3063是一款专为直流 - 直流转换器应用优化的单片式功率开关稳压器。其特性组合使系统设计人员能够使用最少数量的外部组件直接实现升压、降压和电压反相转换器。潜在应用包括对成本敏感的消费产品以及工业市场设备
    数据手册

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      ￥6.26

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    1个N沟道 耐压:150V
    型号：FDMS86200 编号：C128799
    封装：PDFN-8(4.9x5.8)
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
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      ￥7.08

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    1.1 GHz 预分频器
    型号：MC12080DR2G 编号：C903920
    封装：SOIC-8
    品牌：onsemi(安森美)
    MC12080 是一款通过 10、20、40、80 预分频器进行分频的单模，用于 1.1GHz 高频输入信号的低功耗分频。分频比控制输入 SW1、SW2 和 SW3 选择所需的 10、20、40 或 80 分频比。需要外部负载电阻来端接输出。假设负载为 8.0 pF，如果以最低分频比 10 对 1.1 GHz 输入信号进行分频，则推荐 820 Ohm 电阻来实现 1.2 Vpp 输出摆幅。输出电流可以根据输出频率、驱动的电容负载和所需输出电压摆幅等条件进行最大程度降低。负载电阻的典型值针对 1.1 GHz 输入频率下的不同分频比包含在 Vout 规格内。
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      ￥31.12

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    1/3英寸 1.2 MP CMOS图像传感器 数字型 全局快门
    型号：AR0134CSSC00SUEA0-TPBR 编号：C900726
    封装：IBGA-63
    品牌：onsemi(安森美)
    安森美半导体非常关注像素性能卓越性，为此传感器的卓越图像质量和卓越性能提供了基础。该传感器在一个 1/3" 光学制式高清 (HD) 器件中集成了安森美半导体最小型、高性能的全局快门技术，可实现高速图像捕获。具有卓越低光度性能的 3.75 微米全局快门像素停止操作时不会出现传统卷帘快门像素通常会出现的瑕疵。
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    • 1+

      ￥204.43

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    NPN 电流:100mA 电压:45V
    型号：BC847CLT1G 编号：C150094
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：湿度敏感度等级：1-ESD 等级。 人体模型：>4000V。 机器模型：>400V。 S 和 NSV 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，且符合 RoHS 标准
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    • 20+

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    数字晶体管（BRT），带单片偏置电阻网络的PNP晶体管
    型号：MMUN2111LT1G 编号：C97123
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此系列数字晶体管用于替代单器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管，搭载一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极-射极电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省在板空间。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1715

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      ￥0.0993
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    50V 100mA
    型号：MMUN2211LT3G 编号：C150229
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此系列数字晶体管用于替代一个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络；一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些组件集成到了一个器件中，因此不再需要这些外部组件。使用 BRT 可以同时降低系统成本和板空间。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1965

    • 200+

      ￥0.1516

    • 600+

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    独立式 耐压:15V 电流:0.05uA@10.5V
    型号：BZX84C15LT1G 编号：C80857
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。它们非常适合用于手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2121

    • 200+

      ￥0.1663

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      ￥0.1408

    • 3000+

      ￥0.1255
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    独立式 耐压:3.6V 电流:5uA@1V
    型号：BZX84C3V6LT1G 编号：C94413
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装，旨在以最小的空间需求提供电压调节，非常适合手机、手持便携式设备和高密度印刷电路板等应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2304

    • 200+

      ￥0.1872

    • 600+

      ￥0.1632

    • 3000+

      ￥0.1488

    • 9000+

      ￥0.1363

    • 21000+

      ￥0.1295
  • 有货
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    电压:30V 电流:200mA
    型号：RB521S30T1G 编号：C145179
    封装：SOD-523
    品牌：onsemi(安森美)
    这些肖特基势垒二极管专为高速开关应用、电路保护和电压钳位而设计。极低的正向电压可降低传导损耗。微型表面贴装封装非常适合空间有限的手持和便携式应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2367

    • 200+

      ￥0.1866

    • 600+

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    • 3000+

      ￥0.1243

    • 9000+

      ￥0.1098

    • 21000+

      ￥0.102
  • 有货
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    独立式 耐压:6.2V 电流:3uA@4.0V
    型号：MM3Z6V2T1G 编号：C393369
    封装：SOD-323
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功率耗散为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，特别适用于空间有限的情况。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2424

    • 200+

      ￥0.19

    • 600+

      ￥0.161

    • 3000+

      ￥0.1435

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      ￥0.1284

    • 21000+

      ￥0.1202
  • 有货
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    独立式 耐压:15V 电流:0.1uA@11V
    型号：MMSZ5245BT1G 编号：C129730
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2457

    • 200+

      ￥0.1905

    • 600+

      ￥0.1598

    • 3000+

      ￥0.1341

    • 9000+

      ￥0.1181

    • 21000+

      ￥0.1095
  • 有货
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    独立式 耐压:10V 电流:3uA@8V
    型号：MMBZ5240BLT1G 编号：C29115
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOT-23封装。这些器件旨在以最小的空间需求提供电压调节。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.248

    • 200+

      ￥0.1989

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      ￥0.1716

    • 3000+

      ￥0.1552

    • 9000+

      ￥0.141

    • 21000+

      ￥0.1333
  • 有货
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    耐压:5.1V 电流:5uA@2.0V
    型号：1N5231B 编号：C895239
    封装：DO-204
    品牌：onsemi(安森美)
    数据手册

    • 10+

      ￥0.254

    • 100+

      ￥0.2001

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      ￥0.1439

    • 5000+

      ￥0.1277
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    电压:30V 电流:200mA
    型号：BAT54SWT1G 编号：C78260
    封装：SOT-323
    品牌：onsemi(安森美)
    该肖特基二极管适用于高速开关应用、电路保护和电压箝位。极低正向电压降低了导通损耗。微型表面贴装封装非常适用于空间有限的手持和便携式应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2556

    • 200+

      ￥0.2016

    • 600+

      ￥0.1716

    • 3000+

      ￥0.1403

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    • 21000+

      ￥0.1162
  • 有货
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    独立式 耐压:4.7V 电流:10uA@3V
    型号：MMSZ4688T1G 编号：C242285
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    提供了三个完整系列的齐纳二极管，采用方便的表面贴装塑料SOD-123封装。这些器件是无引脚34封装样式的便捷替代方案。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2596

    • 200+

      ￥0.2078

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    • 3000+

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      ￥0.1273

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      ￥0.1192
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    NPN 电流:600mA 电压:30V
    型号：MMBT2222LT1G 编号：C43496
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.27

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      ￥0.1923

    • 3000+

      ￥0.1584

    • 6000+

      ￥0.1428

    • 9000+

      ￥0.135
  • 有货
    • 立即购买
    独立式 耐压:12V 电流:0.1uA@8V
    型号：MMSZ12T1G 编号：C72599
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整系列的齐纳二极管采用方便的表面贴装塑料SOD-123封装。这些器件为无引脚34封装样式提供了方便的替代方案。
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    独立式 耐压:3.3V 电流:5uA@1.0V
    型号：MM3Z3V3ST1G 编号：C182011
    封装：SOD-323
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列齐纳二极管采用SOD-323表面贴装封装，功耗为300 mW。它们旨在提供电压调节保护，在空间有限的情况下特别有吸引力。适用于手机、手持便携式设备和高密度PC板等应用。
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    独立式 耐压:3.6V 电流:15uA@1V
    型号：MMSZ5227BT1G 编号：C154803
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:0.5A
    型号：MMBF170LT1G 编号：C28871
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    功率 MOSFET，500 mA，60 V，N 沟道，SOT?23
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    独立式 耐压:2.4V 电流:100uA@1V
    型号：MMSZ5221BT1G 编号：C94406
    封装：SOD-123
    品牌：onsemi(安森美)
    三个完整齐纳二极管系列采用方便的表面贴装塑料 SOD-123 封装。此类器件提供了无引线 34 封装样式的方便替代产品。
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    双NPN偏置电阻晶体管
    型号：MUN5233DW1T1G 编号：C182463
    封装：SOT-363
    品牌：onsemi(安森美)
    该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络：一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中，因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省板空间。
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    单路反相器
    型号：NC7SZ04M5X 编号：C32090
    封装：SC-74A-5
    品牌：onsemi(安森美)
    NC7SZ04 是安森美半导体的 TinyLogic 超高速系列单逆变器。该器件使用先进的 CMOS 工艺制造，可实现超高速和高输出驱动，同时可在非常宽的 VCC 运行范围内保持低静态功耗。该器件规定运行范围为 1.65 至 5.5V VCC。当 VCC 为 0V 时，输入和输出为高阻抗。输入耐压达 5.5V，而无论 VCC 运行电压任何。
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